Способ обработки голографической регистрирующей среды из кристалла ниобата лития

Патент 585753

Авторы

Иллюстрации

Показать все

Реферат

О П И.44 H H Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистимескил

Республик

< 585753

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (6!) Дополнительное к авт, свид.ву(22) Заявлено 07.06.76 (2i) 2369130/18-25 с присоединением заявки _#_0 (23) ПриоритетвЂ” (43) Опубликоваиа15 11.78.Бюллетень N 42 (45) Дата опубликования описания 25.11.78 (51) М, Кл

G 03 Н 1/18

Н 01 L 21/477

Гасудзрстееннвй наметет

Совета Менестроо СССР ао делам нэобретеней

N 0TKPblTNII (53) УДК 772.99 (088.8) В, C. Айрапетян, И. Б. Баркин, Л. С- Ибрагимова

С. И. Маренников и E. В. Пестряков (72) Авторы изобретения (7l) Заявители Институт физики полупроводников Сибирского отделения AH СССР и Новосибирский государственный университет (54) СПОСОБ ОБРАБОТКИ ГОЛОГРАФИЧЕСКОЙ РЕГИСТРИРУЮЩЕЙ

СРЕДЫ ИЗ КРИСТАЛЛА НИОБАТА ЛИТИЙ

Изобретение относится к голографии и может использоваться в оперативных заполняющих устройствах, устройствах ввода и вывода, отображения, распознавания, анализа и т. д.

Известны способы обработки голографических регистрирующих сред путем термообработки (11. Голограммы, зарегистрированные на кристаллах ниобата лития, являются нестабильными, что позволяет использовать их в указанных разработках. IÎ

При разработке голографического запоминающего устройства (ГЗУ), содержащего в качестве регистрирующей среды монокристалла ниобата лития с концентрацией железа 0,3-1,0 вес.%, было установ- IS лено, что регистрирующая среда обладает свойствами самостирания голограмм; процесс самостирания голограммы подчиняет» ся экспоненциальному закону от времени, т. е. дифракционная эффективность запи- 20 санной голограммы экспоненциально убывает со временем; характерное время экспоненты 7 (время самостирания) резко убывает с ростом концентрации железа.

Например, для кристалла с концентрацией железа К - 0,31 вес.% 2 =1,3 с, а для

К-0,54 вес.% Ф =01 с.

Наиболее близким техническим решением к предлагаемому изобретению является способ обработки голографической среды иэ кристалла ниобата лития путем отжига в восстановительной атмосфере(2).

С помощью этого способа изменялась чувствительность голографической регистрирующей среды на основе кристалла ииобаталития. Однако из-ва невозможности применения голографической среды с примесью железа 0,3»1,0 вес.% нельзя варьировать временем самостирания голограммы.

Бель изобретения - уменьшение времени самостирания голограммы.

Для этого ниобат лития с примесью железа 0,3-1,0 вес.% отжигают при 500о

900 С в течение 10-100 мин.

Отжиг элементов ГРС производится при высокой температуре в восстановительной (вакуум 10 торр) атмосфере. 3IIe менты PC представляют собой поляризованные (по оптическому классу частоты) 2.М йсптз 0 3shidetA. Effects о 01цеп

De åñt,encies of the Record in Sensitie1ч o f. Hofog r ass in R8-doped Й Н03."0pt Сомтощ1 с 1юп 1973,ч.9,р.351-3 6 .. "ч Ва ." .,;1.49@

Фi :- - Ъ

4 . "t ° в пластинки ниобата лития X-среза, толщи- Использование предлагаемого способа ной 0,075 см. Измерение времени само- обработки голографической регистрируюстирания производится следующим обра- щей срецы обеспечивает возможность эом; в кристалле ниобата лития произво- / /уменьшения времени самостирания ГРС, цится запись голограммь. излучением вто- у тем самым позволяет из одного выращенрой гармоники неодимового лазера (цли- ного кристалла (були изготовить множена волны 530 нм, цлительность импуль- ство (библиотеку) элементов ГРС, обласа 25 нс, энергия в импульсе 0,3 Дж/см ) ..

2 дающих разными временами самостирания

Записывается простейшая голограммавЂ” голограммы (это можно использовать для решетка с частотой 500 линий/мм. Вре- ll разных частот следования в канале обраменная зависимость образования и само- ботки оптической информации); воэможстирания голограммы исследуется с по- ность многократного изменения времени мощью излучения непрерывного гелий-не- самостирания одного и того же элемента онового лазера (633 нм), ГРС.

Отжиг кристалла производится в вос- 15 становительной атмосфере, (вакуум

-з Формула изобретения

10 торр, отпаянная стеклянная ампула) .

Пример 1. Исходный кристалл с концентрацией примеси железа К-0,31 вес.%, Способ обработки голографической репри этом время самостирания . -1,3 сек. 26 гистрирующей срецы из кристалла ниобаПосле отжига элемента ГРС на осно- та лития с примесью железа путем отжио ве этого кристалла при 540 С в течение га в восстановительной атмосфере, о твЂ”

1 ч время самостирания уменьшилось qo л и ч а ю шийся тем, что, сцелью Г 0,6 сек. уменьшения времени самостирания голоfl р и м е р 2. Исходный кристалл с 2 граммы, ниобат лития с примесью желеконцентрациейпримесижелеэаК-0,54вес.%, за 0 3-1,0 вес.lo отжигают при 500 при этом время самостйрания Q =0,1 сек. 900 С в течение 10-100 мин, После отжига элемента ГРС на осноо ве этого кристалла при 540 С в течение Источники информации, принятые во

1 ч время сам остирания уменьшилось 36 внимание при экспертизе: до <0,01 сек. 1. Кольер P. и цр. Оптическая голоКак видно из примеров, способ обра- графия, М., Мир, 1973, с. 305. ботки ГРС на основе кристалла ниобата лития с примесью железа при высоких температурах в восстановительной атмосфере привоцит к уменьшению времени са. мостирания.

Составитель Е. Халатова

Редактор Л. Письман ТехредЮ, Ниймет Корректор(. Гарасиняк

Заказ 6599/52 Тираж 522 П одписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4