Интегральная схема

Интегральная схема

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

г А

НИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ ()587808

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву и 571155 (22) Заявлено 120774 (21) 2045258/18-25 (51)

H 01 L 27/00 с присоединением заявки йо (23) Приоритет—

Государственный комитет

СССР оо делам изобретений и открытий

Опубликовано 070881. Бюллетень М29

Дата опубликования описания 070881 (53) УДК621. 382 (088.8) (72) Авторы изобретения

Р. Ж. Ержанов, .8.Я. Кремлев, Г. И. Стороженко и tQ.H. Щетинин (7() Заяви ель (54 ) ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА

Изобретение относится к логическим интегральным схемам инжекционного типа и может быть применено при изготовлении больших интегральных, схем с высокой плотностью размещения компонентов на кристалле.

Известны интегральные схемы инжекционного типа, содержащие горизонтальные и вертикальные транзисторы дополнительного типа проводимости 1). .виболее близкой к предложенной интегральной схеме является интегральная схема инжекционного типа по основному авт. св. СССР М 571155 с 15 горизонтальным и вертикальным транзисторами дополнительного типа проводимости и дополнительными инжектирующими областями, снабженными омическими контактами и расположенными 20 между эмиттером горизонтального и базой вертикального транзисторов $2).

Недостатком этой интегральной схемы является ограниченности ее функциональных возможностей, обуслов- 25 ленная использованием каждой дополнительной инжектирующей области в качестве лишь одного логического входа и затруднениями, возникающими при объединении входов нескольких 30 схем иэ-за сильного влияния разброса их входных характеристик (разброса параметров р-и-переходов между дополнительными инжектирующими областями и подложкой) на работу схем.

Цель изобретения — расширение функциональных возможностей интегральной схемы, т.е. увеличение числа ее независимых логических входов (при ТоМ же количестве дополнительных инжектирующих областей) и обеспечение возможности непосредственного объединения схем по входам. указанная цель достигается размещением диодных структур в дополнительных инжектирующих областях интегральной схемы.

На чертеже схематически показана предложенная многовходовая логическая интегральная схема.

Интегральная схема размещена на кремниевой подложке, например р-типа проводимости и содержит горизонтальный токозадающий и-р-и-транзистор с базовой областью 1, эмиттерной областью 2 и коллекторной областью 3; вертикальный переключательный р-о-р-транзистор с эмиттерной областью 1, базовой областью 3, коллекторной областью 4 и контактным

587808

Я-Яо

?num электродом 5, являющимся выходным электродом схемы; дополнительные инжектнрующие области 6 п-типа проводимостй, расположенные между областями 2 и .3 и имеющие диодные структуры (диоды Шоттки}, анодами которых являются входные (например, алюминиевые), электроды 7, катодами — области 6. Периферия областей

S для улучш ения их инжектирующих свойств может быть более легированной, чем участки, на которых размещены 10 диодные структуры, например легированной в одном диффузионном процессе с областью 2. Диодные структуры, образованные электродами 7 и областями 6, характеризуются малым (по сравнению с р-и-переходами) прямым падением напряжения.

Предложенная интегральная схема работает следующим образом.

Области 1 и 2 через контактные 2О электроды подключаются соответственно к общей шине и отрицательному полюсу источника питания (тока). Входные электроды 7 подключаются к источникам сигналов, выходной электрод — к нагрузке. В качестве источников сигналов и нагрузки могут быть использованы такие же интегральные схемы, обычные инжекционные схемы и т.д.

Работа описываемой интегральной схемы в значительной степени аналогична 30 работе интегральной схемы-прототипа, но отличается тем, что диодные структуры с малым прямым падением напряжения, размещенные в пределах дополнительных инжектирующих облас- 33 тей 6; образуют в контакте е ýòîé областью диодные логические сборки и реализуют (дополнительно к общий с .прототипом логическим возможностям схема} в пределах каждой из об- д) ластей 6 логическую функцию "И" (функцию "ИЛИ" при противоположном способе кодирования логических coc— тояний). Эти же диодные структуры

6 обеспечивают независимость всех логических входов интегральных схем и возможность их непосредственного объединения, так как в пределах каждой области 6 электрод 7 оказывается разделенным двумя встречно включенными диодными структурами с односторонней проводимостью.

Преимуществами предложенной интегральной логической схемы перед схемой-прототипом являются существенное расширение ее функциональных возможностей, увеличение числа независимых логических входов, обеспечение возможности непосредственного объединения схем rro входам, повышение быстродействия за счет уменьшения логических уровней на дополнительных инжектирующих областях и уменьшения количества этих областей при том же числе входов, а также повышение нагрузочной способности, обусловленное большим коэффициентом усиления вертикального переключательного транзистора, не имеющего контактного электрода к базовой области.

Предложеиная интегральная схема может найти щи@@кое применение в больших интеГральиых схемах калькуляторов, микропроцессов и других логических устройств.

Формула изобретения

Интегральная схема по авт. св. 9 571155, о т л и ч а ю щ а я— с я тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, в ее дополнительных инжектирующих областях раэМещены диодные структуры.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент Франции В 2088338, кл. Н 01 L 19/ОО, И 03 К 19/00, опублик. 1971.

2. Авторское свидетельство СССР

9 571155, кл. Н 01 L 27/00, 1974.

ВНИИПИ Заказ 5815/43

Тираж 784 Подписное

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4