Стекло
Иллюстрации
Реферат
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
Х АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22} ЗаявленО 180676 (21) 2373402/29-33 с присоединением заявки Ph (23) Приоритет— (43) Опубликоваио05о2 8. Бтоллетень М 5
Союз Советских
Социалистических
Республик (11) 59 14 19 (53) N. Кл.
С 03 С 3/10
Гаат аратааааый ааватат
Вааата Маааатраа COOP аа дааев ааабратаааб а атарытаб (53) УДК ббб. 112.4 (088. 8) (45} Дата опубликования описаний 2301.78 (72) Автори
В. В. Тарасов, Э. Н. Каплина, Г. И. АРтамонова и К. Я. Виневич
Государственный научно-исследовательский институт стекла
Pl) Заявитель (54) СТЕКЛО
Изобретение. относится к составам легкоплавких стекол, которые могут быть использованы, греимущественио, в виде диэлектрических покрытий при создании дискретных элементов. 5
Известно стекло, применяемое в качестве изолирующих покрытий в полупроводниковой и радиоэлектронной промышпенностн, следующего состава sec.II 10
РВО 60-70
В Оа 20-26 аЛ
2- 7 по крайней мере, один окисел из группы КЗ0 NaOl, Ссй CuO 0,1 — 1 ь1), 1C
Адгеэия стекла укаэанного состава составляет 150 кг/см, б, 15-16, KTP (20-300 С) 90-95 1/ С. Наиболее близким к изобретению является состав стек-20 ла, применяемого в радиоэлектронной промышленности, содержащий следующие компоненты, вес.Ф:
Ps 0 45-85
В 0 2-19 25
За Оф а а
7-40
Ae,О, 0- 3
2йО
0-10 атогО О- 5
R0 О-1О 12 .
Стекло данного состава имеет температуру плавления 540-560 С. Кроме того, стекла имеют плохую адгезию к токопроводящим пленкам, например, 6 о zn og
Цель" изобретения является понижение температуры плавления и улучшение адгезни к токопроводящим пленкам.
Эта цель достигается тем, что предложенное„стекло, включающее РвО, Вг Оа, 5(0а . Ыга, дополнительно содержит один компонент из группы Си0, К О, CdO, Ив За при следующем соотношения указанных компонентов, вес.а:
РвО 65"79
- Вга, 4- 9
SIO 1 3-20 ма 3, 5-5,6 и покрайней мере, один окисел из группы
Х О, Сиа, Сда, Мп Îl 0,1 1.
Введение окислов Ьта и Мг 0 при соотношении 3:1 — 4:1 обеспечйвает ограничение температуры плавления с верхним пределом до 500 С. Введение одного окисла из группыСиО,СдО,Мп О,И 0 снижает способность свинца к восстановлению что улучшает адгезию стекла.
Стекло укаэанного состава обеспечивает диэлектрическое покрытие толщиной 5-50 ф при общем светопропуска59 14 1.9 нчн 40-80%. Диэлектрическое покрытие обеспечивает получение дискретных элементов заданной формы и. глубины.
В качестве сырьевых материалов для варки стекла используют окись свинца, борную кислоту, фтористый алюминий, кремниевую кислоту, окись меди, окись кадмия,перманганат калия, Сырьевые материалы должны быть марки ч и хч .
Изобретение поясняется на конкретных,. 0 примерах.
РвО
74 66
6 9
14,5 19,5
5 5,5
0 5
78,2
67
74,0
В) О, 7,5
81О, 13,5
14,5
19,3
И О) 3,5
5,0
5,3
5 5
Css0
Ccf0
0,8
0i3
Мп 0
0,2
0,2
0,2 аа0 13-20
Ql ле,о) 3,5-5,6 по крайней мерв, один окисел нз руппы Esse С40 kin)0 К 0
ЦНИИПИ Эаказ 522/18 Тираж 596 Подпи снов
Филиал ППП Патент . r. Ужгород, ул. Проектная, 4
Пленку из разработанного стекла получают при следующем режиме:„
- подъем температуры до 480 С (5б град/мин)у
- выдержка при температуре 480 С в течение 30 мин.
Физико-химические свойства стекол следующие:
Температура плавления, с 470-500
Краевой угол смачивания 9-11
Формула изобретения
Стекло, включахицее РвО, В О),610
А6 О, о т л .и ч а ю щ е в с я тем, что, с целью понижения температуры плавления и улучшения адгвзии к токопроводящим пленкам, оно дополнительно содержит, по крайней мере один окисел из группы СвО, Х О, О, Мп О при следующем соотношении укаэанных ингредиентов, ввс.as
РвО 65-70
a4O) 4- 9
Температура варки, С 900-1000
КТР (20-300 С), 1/град 91-95
Общее светопропускание, В 40-80
Химстойкость: к воде, мг/дм 0,5
Диэлектрическая. постоянная 11-13,5
При толщине диэлектрического покрытия иэ стеклопорошка 40 мк на электровакуумном стекле с токопроводящей пленкой из окиси олова или окиси индия адгеэия диэлектрического покрытия 150 кг/см при толщине диэлектрического покрытия из стекла в
20 мк на электровакуумном стекле с токопроводящей пленкой из окиси олова или окиси индия, адгезия диэлектрического покрытия 190 кг/см.
Предлагаемое стекло относится к типу диэлектриков. Оно может широко применяться в радио- .и электронной промьпапенностн.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
1. Авторское свидетельство СС Р
S 544624, кл. С 03 С 3/10, 1976.,2. Патент Англии 9 1088889 кл. С 1 М, 1967.