Способ изготовления носителя термомагнитной записи
Иллюстрации
Показать всеРеферат
Союз Советских
Социалистических
Республик
ОП ИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕН ИЯ (111591980
1 (6l) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 22.06.76 (21)2378104/18-1 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 05.02.78. Бюллетень № 5 (45) Дата опубликования описания s.6 .78. (Ы) М. Кл.
Я ll В 5/84
Государственный комитет
Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 681.84. .083.84 (088.8) В. Д. Баурин, Г, В. Бондаренко и В. Г. Пынько (72) Авторы изобретения
Институт физики им. Л. В. Киренского Сибирского отделения
АН СССР (71) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НОСИТЕЛЯ ТЕРМОМАГНИТНОЙ
ЗАПИСИ
Изобретение относится к области магнитной записи.
Оно может применяться при записи локальным нагревом без приложения магнитного поля.
Известен способ изготовления носителя термомагнитной записи путем осаждения пленки кобальтового феррита (1) .
Известный способ обеспечивает изготовление носителя термомагнитной записи достаточно простыми средствами. Однако носитель термомагнитной записи, изготовленный подобным способом, не позволяет обеспечить высокую плотность записи.
Известен также способ изготовления носителя термомагнитной записи путем осаждения в процессе химических транспортных реакций поликристаллической пленки кобальтового феррита в диффузионном зазоре в среде воздуха и в среде осушенного хлористого водорода из окисленной железокобальтовой шихты, имеющей температуру выше 900 С (2).
Этот способ позволяет изготавливать носитель термопластической записи, обеспечивающий получение высокой плотности записи. Однако процесс изготовления носителя термомагнитной записи подобным способом сопряжен со значительными трудностями.
Цель изобретения — упрощение процесса изготовления носителя термомагнитной записи.
Это достигается за счет того, что осаждение ведут на поликристаллическую основу из плавленого кварца„имеющую температуру 800850 С, при давлении воздуха 0,1 — 1,0 мм рт.ст. и давлении осушенного хлористого водорода
5 0,05 — 0,10 мм рт.ст.
Изготовление носителя термомагнитной записи согласно предлагаемому способу происходит следующим образом. На поликристаллическую основу из плавленого кварца, имеющую, например, температуру 850 С, из окисленной железокобальтовой шихты, имеющей температуру выше 900 С, осаждают поликристаллическую пленку кобальтового феррита.
Осаждение поликристаллической пленки кобальтового феррита производят в процессе химических транспортных реакций в диффузионном зазоре в среде воздуха и в среде осушенного хлористого водорода. При этом давление воздуха равно, например, 1,0 мм рт.ст., а давление осушенного хлористого водорода—
0,10 мм рт.ст. Подобное осаждение обеспечивает получение пол икристалличе ской пленки кобальтового феррита толщиной 0,2 — 1,0 мкм с осью легкого намагничивания, перпендикулярной ее поверхности.
Использование предлагаемого способа позволяет в значительной степени упростить про75 цесс изготовления носителя термомагнитной за591930
Фор.иу:ш изобретения
Составится ь Е. Polil нов
Текрез ). Луговая Корректор Д Мельниченко
Тираж717 Подписное
Редактор Г. Кузьмина
Заказ 602, 46
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам - изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раугдская наб., д. 4 5
Филиал ППП «Патент», r. Ужгород, ул. Проектная, 4,писи, позволяющего получить высокую плотность записи.
Способ изготовления носителя термомагнитпой записи путем осаждения в процессе химических транспортных реакций поликристаллической пленки кобальтового феррита в диффузионном зазоре в среде воздуха и в среде осушенного хлористого водорода из окисленной железокобальтовой шихты, имеющей температуру выше 900 С. orличаюи1ийся тем, что, с целью упрощения процес а изготовления, осаждение ведут на поликристаллическую основу из плавленого кварца, имеющую температуру 800 — -850" С, при давлении воздуха 0,1—
5 1,0 мм рт.ст. и давлении осушенного хлористого водорода 0,05 — 0,10 мм рт.ст.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:
1. Патент Японии № 40 — 5349, кл. 102 Е 11, 1965. а
2. Патент Японии № 49 — 23678, кл. 62 В 74, ! 974.