Источник опорного постоянного напряжения
Патент 595718
Авторы
Классы МПК
Источник опорного постоянного напряжения
Иллюстрации
Реферат
Г; с
1 4
ОП КСАН И (tt) 5957I8
Сон1а Советских
Сониалистичесних
Республин цзоьретения и ьвтосиому авидетии с их (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 21.09.76 (21) 2405366 24-07 с присоединением заязки № (23) Приоритет (51) М. Кл. 6 05F 3/08
Гасударственный комитет
Совета Уинистров СССР ло делам изобретений и отнрытнй (43) Опубликовано 28.02.78. Бюллетень ¹ 8 (53) УДК 621.316.772.1 (088.8) (45) Дата опубликования описания 05.04,78
I (72) Автор изобретения
l0. Н. Кузнецов (71) Заявитель (54) ИСТОЧНИК ОПОРНОГО ПОСТОЯННОГО
НАПРЯЖЕН ИЯ
Изобретение относится к области электрорадиотехники, а именно к источникам пптания, и может быть использовано в стабилизаторах напряжения и тока микроэлектронных устройств.
Известны источники опорного постоянного напряжения, предназначенные для получения стабильного постоянного напряжения и содержащие токозадающий резистор и опорный элемент, соединенные последовательно.
Наиболее близким к изобретению техническим решением является источник опорного постоянного напряжения, содержащий опорный элемент, выполненный на транзисторе и — р — n-типа, эмиттер которого через токозадающий резистор соединен с плюсовым входным выводом и непосредственно с одним выводом для подключения нагрузки, а коллектор — с минусовым входным выводом и другим выводом для подключения нагрузки.
Недостатком известного источника опорного постоянного напряжения является отсутствие ограничения предельно допустимой мощности рассеивания* на транзисторе опо тпого элемента.
Целью изобретения является защита опорного элемента от превышения максимально допуст11мой мо цпостп рассеивания на транзисторе опорного элемс:1та путем самоб".o:
Постагленная цель достигается тем, ITo в источник дополнительно введен транзистор
5 противоположного транзистору опорного элсмс1:та типа проводимости, коллектор которого соединен с оазой, база — с эмпттером трапзпсто;а опорного элемента, а эмпттер подсоединен к средней точке токозадающего рези10 стор а.
На чертеже представлена принципиальная электрическая схема источника опорного постоянного напряжения.
1Лсточни1 . OIIOpHOH HOCTOHHHOI 0 H3IIp кс15 ния содержит опорный элемент. вьнолн1спный
H"! транзисторе 1 n — р — n-типа, эмпттср которого черсз токозадающий резистор 2 соединен с плюсовым входным выводом п непосредственно с одним выводом для подключе20 ппя нагрузки, дополнительно введенный транзистор 3 противоположного транзистору 1 опорного элсмсптя типа проводимости.
Принцип ряооты предлягя;1010 исто t»1»ia закл1очается ь следующем.
25 Р1гп! Пптаюшсit H".ïðÿæoHH:; I!1:ке мя спМЯЛI ПО ДОП СТПМ011 ГСЛПЧПНЫ ЧЕРСЗ ТР 1:1ЗПстор 1 протекает эмпттерный ток. Прп этом тядепис папряж - нпя HH нижней !ястп то .IOзядяющсг0 пез icTtii H 2 остается меньше:1а595718
Формула изобретения
+ 0|
Составитель В. Косырев
Тсхрсд Л. Гладкова
Корректоры: Л. Брахнина и Н. федорова
Редактор В. Левятов
Подписное
Заказ 268/15 Изд. № 327 Тираж 1047
НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, К-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр, Сапунова, 2 пряжения отсечки транзистора 3, и транзистор закрыт. При увеличении напряжения питания выше максимально допустимой величины увеличивается и эмиттерный ток транзистора. Падение напряжения па нижней части токозадающего резистора 2 также увеличивается, становится больше напряжения отсечки транзистора 3, и последний открывается. Открывание транзистора 3 приводит к увеличению его коллекторного тока и к увеличению базового тока транзистора 1. Зто, в свою очередь приводит к увеличению эмиттерного тока транзистора 1 и к еще большему падению напряжения на нижней части токозадающего резистора 2.
Возникнувшая таким образом положительная обратная связь по току приводит к насыщению транзисторов 3 и 1, т. е. к самоблокировке транзистора опорного элемента. Подбирая величину сопротивления нижней части токозадающего резистора 2, можно задавать величину эмиттерного тока транзистора 3, при котором происходит самоблокировка транзистора 1, ограничивая величину мощности рассеивания транзистора 3 па требуемом уровне.
Введение транзистора 3, подключенного упомянутым образом, выгодно отличает предлагаемый источник опорного постоянного напряжения от указанного прототипа из-за наличия защиты источника от перегрузки по питающему напряжению, току и допустимой мощности рассеивания.
Как показали результаты опытной провер ки, предлагаемый источник работает в диапазоне токов переключения 0,1 — 10 м/г с температурной нестабильностью порога переклю5 мкА чения по току 0,4 — 40 и соответственно град в диапазоне пороговых значений мощности рассеяния 0,75 — 75 мВт при опорном напряжении 7,5 В.
Источник опорного постоянного напряже15 ния, содержащий опорный элемент, выполненный па транзисторе и — р — п-типа, эмиттер которого через токозадающий резистор соединен с плюсовым входным выводом и непосредственно с одним выводом для подклю20 чения нагрузки, а коллектор с минусовым входным выводом и другим выводом для подключения нагрузки, отличающийся тем, что, с целью защиты опорного элемента от превышения максимально допустимой мошно25 сти рассеивания на транзисторе опорного элемента путем самоблокировки по току транзистора опорного элемента, в него дополнительно введен транзистор противоположного по отношению к транзистору опорного элемента
30 типа проводимости, коллектор которого ñîåдинен с базой, база — с эмиттером транзистора опорного элемента, а эмиттер подключен к средней точке токозадающего резистора.