Матрица для накопителя полупостоянного запоминающего устройства

Матрица для накопителя полупостоянного запоминающего устройства

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ!!1) 595793

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 29.11.76 (21) 2424280, 18-24 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет (43) Опубликовано 28.02.78. Бюллетень № 8 (45) Дата опубликования описания 02.03.78 (51) М, Кл.- з6 11С 17> 06

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 628.327.6 (088.8) (72) Авторы изобретения

В. П. Деркач, A. М. Заброда и Д. М. Некрасов

Ордена Ленина институт кибернетики AH Украинской ССР (71) Заявитель (54) MATPHUÀ ДЛЯ НАКОПИТЕЛЯ ПОЛУПОСТОЯННОГО

ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙCTBA

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для хранения, считывания и перезаписи дискретнойй ин фор м ации.

Известны матрицы для накопителей полупостоянных запоминающих устройств.

Одна из известных матриц для накопителя полупостоянного запоминающего устройства содержит транзисторы и переключатели с памятью из аморфного полупроводникового 1о материала, которые имеют два устойчивых состояния с высокой и низкой проводимостью (1).

Недостатком такой матрицы является высокая стоимость, обусловленная сложностью 15 запоминающего элемента и большой площадью, занимаемой им на кристалле.

Наиболсс близкая по технической сущности к изобретению матрица для накопителя полупостоянного запоминающего устройства со- 2О держит адрссиыс и разрядные шины, в псрскрестиях которых включены последовательно сосдинсниыс диоды и переключатели (2), Такая матрица требует наличия большого количества мощных и сложных разрядных формирователей, рассчитанных на пропускание импульсов тока большой величины, необходимых для стирания информации. Так как большую часть времени матрица работает в режиме считывания, при котором ток, потреб- рр лясмьш одним элементом, иа два порядка мсньшс тока стирания, то мощные и сложные формирователи Tolls;I используются исэффскTi1BkIo. Это приводит к повышсншо стоимости устройства, в котором применяется данная матрица, сш!жсншо его экономичности ii быстрр од ей ств ия.

Цель изобретения — повышение надежноcTIt матрицы путем сокpaltteIIII» оборудования.

Зто достигается тем, что в матрицу введены доиолнитсль11ыс переключатели, шины упр 2 в. с и и я и р 2 3 3 я 3 ы в 2 10 и и с диоды, одн и из которы.; подключеиы к разрядным шинам, к одной из шии управления и дополнительным переключателям, соединенным через другие развязывающис д1:оды с соответствующими шинами управления.

На чертеже представлена принципиальная электрическая с.. сми матрицы j.iÿ накопителя иолупостояииого заиомии21о1цсго устройства. ,! 12тр иц2;I„1!! и 21;Они те.lя ио. ! постоянного зииомииаюи1сго устройства co:Iñðæèò разрядны- 1 ii;lдрссиыс 2 и!ииы, псрсключатсли 3

li .IIlOT1 1 4, Ill ii ll I I O, 6, 7 i пр I B 1си ия, дополнитсльili lo переключатели 8, развязывающие диоды 9, 10, 11. Б качссгвс переключателей 3, 8 могуT быть использовз:tbl исрсключатсли с память!о 113 аморфных полупроводников.

Запись информации осун1сствлястся следующим образом.

595793

Выбранklая адресная шина 2 и шипа 6 управления подключается к общей точке, а нсвыбранные адресныс шины 2, шины 5 l 7 управления — к источнику постоянного напряжения положительной полярности. На тс разрядные шины, где необходимо произвести переключение, подастся импульс тока записи необходимой величины и длительности. В результате происходит переход в проводящее состояние тех полупроводниковых переключателей, которые находились в местах пересечения выорапных разрядной и адресной и.:ин.

Для стирания информации на вес адресные шины 2 и шину 7 управления поступает положительное напряжение, достаточнос для запирания всех диодов, подсоединенных к этим шинам, а шины 5 и б управления подключаются к общей точке. Далее иа одну из разрядных шин подастся импульс тока записи, который переводит дополнительный переключатель 8 в проводящее состояние. Затем осуществлястся одновременный псрсвод в иепроводящее состояние дополнительного переключателя 8 и одного из переключателей 3, Для этого па шину 5 управления подастся положительнос напряжение, запирающее развязывающие диоды 10, выбранная адресная шина

2 подключается к общсй точке, а на ш.ину б управления проходит импульс тока стирания, который одновременно переводит в нспроводящсе состояние дополнительный переключатель 8 и выбранный переключатель 3. Шина 7 управления и развязывающис диоды 9 нужны для перевода в непроводящсе состояние дополнительных переключателей 8, которые изза разброса параметров случайно остались в проводящем состоянии.

Длительность импульса записи составляет обычно единицы миллисекунд, в то время как импульс стирания длится всего несколько микросекунд, поэтому процесс стирания информации существенно затягивается. Его можно заметно ускорить, если дополнительный псрсключатель 8 не переводить в устойчивос проводящее состояние, а только «пробизать» коротким импульсом тока записи и в момент, когда действие этого импульса еще нс закопчено, производить стирание. 11ри этом доно I0II re;Il,klblс переключатели 8 никогда с оудуr »ере ор»Т» в устойчивое проводяill eñ cocTo5IIl 0 «, ITo благollpll5ITIIQ cIcH IKCTc5f на

5 рссурсс их работы.

Таким образом, для предложенной организации матрипы klñoáõoällì всего один формирователь гока стирания, который подключается к шине 6 управления.

10 Считывание информации обеспечивается путем подачи тока считывания иа все разрядные шины и подключения выбранной адресной шины 2 к общей точке, На остальные шины 2, а также шины 5, б и 7 управления подастся за15 пирающее напряжение. Падсние напряжений на проводящих и нспроводящих переключателях оказывается различным, что позволяет судить об информации, записанной в запоминающей ячейке.

20 Матриц5 IIBKQTIIITC75i эффективно Ilcllo;Ib30вать в том случае, когда в состав всего запоминающего устройства должны входить цепи для перезаписи инсрормации и особенно, сели эти цспи нсобходимо разместить на том жс

25 кристалле, что и накопитсль.

Формула пзоорстсния

Матрица для накопителя полупостоянного

30 запоминающего устройства, содержащая адресные и разрядные шины, в перекрестиях которы.; включены последовательно соединенныс диоды и переключатели, о т л и ч а ю щ а яся тем, что, с целью повышения надежности

35 матрицы, она содержит дополнительные переключатели, шины управления и развязывающие диоды, одни из которых подключены к разрядным ш|шам, к одной из шин управления и дополнительным переключателям, со40 едипенным через другие развязывающие диоды с соотвстству1ощими шинами управления.

Источники информации, принятыс во внимание при экспертизе

1. Негатроны в вычислительной и измерительной технике. Рига, «Зинатпе», 1973, с. 90.

2. «Электроника», т. 43, № 20, 1970, с. 4, 1

1 (Составитель Л. Амусьева

Техред А. Кал ышникова

Корректоры: Л. Орлова и А. Степанова

Рс.чактор И. Грузова

Подписнос

Типография, пр. Сапунова, 2

Заказ 191/)5 Изд ¹ 312 Тирани 734

НПО Госупарс-венного комитета C0 . åòà Министров СССР по ислам изобретений и открытий

113035, Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4 5