Логический элемент "и-не

Логический элемент "и-не

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

: i) 59586l

Сои)з Советских

Социалистических

Республик

))), (61) Дополнительное к авт. CI.11.7,-у (22) Заявлено 28.02.75 (21) 2109247/18-21 с присоединением заявки ¹ 2109248!21 (23) Приоритет (43) Опуоликопапо 28.02.78. Е)!031 7cтcпь ¹ 8 (45) Дата опубликования оп:ic;iiiия 03.03.78 (51) !(!, Кл.- Н 03К 19 36

Государственный комитет

Совета Министров СССР (53) 3 Д1 621.374.3 (088.8) ло делам изобретений и открытий (72) Лвтор

ИЗООРСТСИИ51

С. А. Бирюков (71) Заявитель (54) ЛОГИЧЕСКИЙ ЗЛЕЧЕ11Т И вЂ” ИЕ

Изобретение относится к и)мпульс:1ой тскгп! ке.

Извсстси логичсскшi элемент И вЂ” НЕ, состоящий из сосдииеииык между каскадами 1111всpToplllix с(с.(1, каждая из которы.; включает

1(21 p ) ЗО IIII>lй Тра I!311CTOp, pklOOT2101L11111 13 режиме объединения, и задающий МДП-транзистор в режиме обогащения (!).

Однако этот элемент ело)кен.

Наиболее близким по технической сущности к изобретению является элемент И вЂ” НЕ, содер)кащий в(одной многоэмиттериый транзистор, эмиттсры которого соединены со входами элемента, база соединена через резистор с источником питания, а коллектор подключен к базе иивертирующсго Tp2k13èñòîðà, эмиттер которого через два последовательно включениык резистора соединен с общей шиной, а коллектор соединен через резистор с источником питаш!я и непосредственно с базой транзистора эмиттериого повторителя, эмиттср которого через последовательно вкл!очеииые 711од и вы: одной транзистор соед1гнеи с общей шиной, If шунтирующий транзистор, эм иттер которого соединен с общей шиной, коллектор подкл!очсп к базе выходного транзистора и эмиттеру иивертирующего транзистора, 2 база соединена с точкой соединения упомянутых последовательно включсниык рсзисторов (2).

>тот эг! с:)f c! I т T) — . 1 Г llc Обг) 2.(аc i;100 Г 1 i О 1иы.,i оыст )Оде!107 вис.

1 1,,"! 10 и 100рст(" и 5! ив ", 5!с)си li(31)! Ilc! . Iic U l)1с7 ро (сй(ствия. (!О 1 2В7СИИ;151 Цс, i;),О, !!11 ;1!(!. 1 (:l, l, 0,7!)—

ГIl!Ic I(fili элс .,Iс!1Г 1 111-, co;jcp:кащи11 If."().L!101!

:,!погоэ.. иттсрпый транзистор, база которого соединена через рсзистор с иc.ãоч;!1 ком;!Пт;11(! ППЯ, 1 коллсктор пОЛе, 110 icli If 13c иивсpTIfрующего трап-;по-;ора. эмпттср которого:срез два последовательно вкл!o Ic! Iïû(резистора

coc;lIIIIcH с общей LLIIII!0!I, fi коллектор со(:IllIICll IСРСЗ PC3!ICTOP С ИСТО IIII!(0>1 Illl Ã2!!!:Я И

15 непосредственно с б;!зой тр.:1пзис(ора эмит!срИОГО IIOI) TOP IITC,! ß, Э. )! П 1 ТСD Котоl) О! О )1 СРС; 110следовательно включсииыс диод и пы;одной транзистор coc,!I!Icll с общей и!иной(, !f шу1:ирующий тра!)зистор, эмиттср которого сосди20 пси с oбп1,сй 11!1 llnil, k!0.7 7cliTOp I).OTop0; о 170дкг 10:Icil к базс вьлодио."о транзистор; и э иттсру ипвсртирующсго тр и-. Icòoð2,;1 б(!3(i CO(.1! 11(! 2 с To lкой сосди иси и и )71О(! Яп ) 1 ь1(нос. 1(. (оватс 7ьп0 Вкл!0 !синь!. (1) сзисторов, вl)с;1си

2.з Лополиительиы! Лi:î7, 2lio:1 которого сосдпис;! с базой шунтиру!ощсго тра) зистсра, и катод— с эмиттсром транзистора эмиттсриого повторителя, доно,шитс7bIIIII! эмиттср в!!.(Одного транзистора coc .7111!cll с эмиттсром транзистора

30 эмиттсриого повторителя.

595861

1;) ((ОГI) 1(I)i! Н, (и). Саl! < !IO)3 2

П Р Н П Ц И П И 2 Л Ы l 2 Я Э,!1 С КТ P 11 1 С С 1(;J Я C С М сl ОП ПСЫВ2СМОГО ЛОГИ(IPCI(OI ЭГ(СЪ(сп 1 <(IIPII«CÄCI12 Ня чертеже.

Злсмснт II — НЕ содержит «.;одной многоэмиттерный транзистор 1, шшсртиру!ощий транзистор 2, вы.;одной транзистор 3 с основным 4 и дополнительным 5 эмиттерами, JII) Ilтиру!ощ(ш транзистор 6, транзистор 7 эмиттерного повторителя, диоды 8, 9 и резисторы 10

14. Вкодные сип!алы подгпотся 112 в.;оды 15—

1 ), 2 «ы. одно(! сиГнал снимястсЯ (Вы Ода 18.

В СЛ Ч с(С ИСПОЛ ЬЗОВапИЯ 1>Ы: . ОДНОГО ТРЯНЗИ—

c!ора 3 с одпич основным эмиттсром вклю lcll

«ысокоочньш резистор 19.

Пршщип работы описываемого элемента

И вЂ” IIL зак;почается в следующем.

ПРИ ПОДс(IP ВЫСОКОГÎ ПОТСНЦИсlпс(ll;I ВСС В СОды 15 — 17 транзисторы 2 и 3 вк.;почены и няС!>(ЩСНЫ, Нс(ПРЯЖСПНС if2 ЭМНТТСРЕ ТP2НЗИСГОРа зя cчет резистора 19 близко к нулю, и он на. одптся на границе оп!Ирания. 11ри подаче низкого потенциала Iio крайней мере на один

Из В,ОДОВ 1 0 — 1 / TP211311CTOP 2 3 с(и ИРсlСТСЯ> 112

НР 5!ЖСI(Ис 1! Ы ЕГО КОЛ(1 СКТОР С ИОВЫ Ш 2 СТОЯ, 01 и:(рястся транзистор 7, повышается напряжение иа его эмиттерс, через емкость диода 9

1(0«hI IIIC11Jf С 11211Р Я жСПИЯ II CP C;i с(С 1 СЯ Н 2 0 23 транзистора б, он отпирается и с«оич коллскТОРН1>(Ъ(ТОКОМ УСКОРЯСТ P2C(а СЫЬЫIIIIC TP< Нзнсгора 3.

При использовании вы. .одпого транзистора

3 С дОПОЛНИтСЛЬНЫЧ ЭмнттерОМ 5 фИKC<(ния «я пряжсння ня эмиттсрс транзистора 7 на уровне, Олизком I(н <, 110, нри вк2lo (p((нll тра.нзll—

CTOpOI3 2 Il 3 OCA Il(CCTB I5fCTC)f 32 C

Ввсдспис диода, «ключсииого между базой и;уит((рукпцсго транзистора н эчиттсром «hlXI), ((f0(О эЪ(ит1 Cpllot IIΫTop(IT(,IH, н03130л51ст 3 1POCTJIТЬ (".()(1 Э, !С >((Н1 (СИТЬ СГÎ ОЬIстродействис, а подключение дополнительного э)(иттсра !)ы(о;и!Ого транзистора к базе эмит1(Pl(010 11013TOPIIT(. ЛЯ вЂ” ДОПО,IНИТСЛI.НО ЧПРОспить с(ему п cilti3JtIl общую площадь кри5 стялла (((if!(pocxc Tthl.

Формулы Ilçoîðcòåi,Ilÿ

Логи содержащий

I0! в.;одной многоэмиттсрный транзистор, оаза которого cocT(ff(c112 через резистор с источником питания, а коллектор подк(ночсн к базе ннвертирующсго транзистора, эмиттср которого через два послед()ватсльио вк(!103!снн!.!.(рсзисто15 ра соединен с оощсй шиной, а коллектор через резистор соединен с исто и(иком питаш(я и непосредственно с базой транзистора эмиттерного но«торитсля, эмигтср которого через последовательно вклю (еиныс диод и ()ы. (одно!й

20 транзистор соединен с общей шиной, и шуптирую(цш(транзистор, эмиттср которого соединен с общей шиной, коллектор кoloporo подключен к базе «ы.;о;(ного транзистора:1 эмитТСР 3 ни«СPTIIP (IOI(ICI ТР с(НЗИ СТО() а. 2 0232 CO с.(инена с точкой соединения у!!Ом5!Иу!(.1:(ИОслсдовятсл по вк((!Очснны:(рсзисторо«, о т;I JI 1 а И Н! ((Jl С 51 ТСМ, ЧТО> С ЦСЛ1>Ю ЧОВЫШСИИЯ быстродействия, в не(0 «всдсli дополнительный диод,;Jiio;i оторого соединен с базой

0() н!унтиру!Огцсго трянзи;тора, i .O Illol 0 ГP 211311лора сосдиисll с;-:3(н(тсром транзистора эм.ITтсриогo повторителя.

:>» Источники информации, llpllil5ITf>lc во ш(имы нс ири экспертизе

1. (!((тс(гг СП(:"(¹ 370098), кл. 317 — 235, 07>1 )0 72, 2. 3 (3-85632, кл. 98(:>) С221, к) 25.05.70.

СnсcTа!3:!Tc((. > f. А()тгОХ

Р(тактор А. Купрвкова Тскр(;I Л. Кваакова

1(орр(ктор)(; Л. Корогод и Е. 3)(охова

3ака) 13(1, 16 113,!. Л 304 ТII;)

I II!0 1 осу,((рств(ак<)го ко

СOI3< T

IIO .IC.(а): !!3O()j)(Т IIIIII )) ОТкр)>(Т!(й

I 13035, 31оск()а, >,,. 4,5