Магнитный запоминающий элемент

Магнитный запоминающий элемент

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О Il И С А Н И Е {!))597004

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Соцналнстимеских

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополиительиое к авт. саид-ву (22) Заявлено 25. 01.77 (21) 2445561/18-24 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет (43) Опубликовано 05. 03.7 83юллетеиь № 9 (45) Дата опубликования описаиия20.02.78

2 (51) и. Кл.

5 11 C 11/06

Государственный номнтет

Совета Мнннстроа СССР оо делам нэобретеннй н отнрытнй (53} У@1(628.327..6 (088.8) (72) Авторы изобретения

М. Г. Гессен, Т. А. Котягова и A. О. Тимофеев

Ленинградский ордена Ленина электротехнический институт им. В. И. Ульянова (Ленина) (71) Заявитель (54) МАГНИТНЫЙ ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ

Изобретение относится к области автоматики и вычислительной техники и может быть использовано в оперативных запоминающих устройствах ОЗУ с двухкоординатной выборкой (структура 33).

Известны магнитные запоминающие элементы, допускаюшие более технологичное групповое изготовление. К ним относятся элементы на многоотверстных феррнтовых пластинах и элементы на плоских или дилинд-1, рнческих пленках. Последние имеют малый выходной сигнал и подвержены заметному процессу старения.

Известны магнитные запоминаюшие элементы дпя ОЗУ с двухкоординатной выборо кой, содержащие пластину из материала с

ППГ с восемью отверстиями (1). Однако элемент с расположением отверстий на двух перпендикулярных осях симметрии имеет слабую модуляцию выходного сигнала разрядол ным током записи.

Наиболее близким техническим решением к изобретению, является магнитный запоминающий элемент, содержащий пластину из материала с ППГ с восемью отверстиями, объединенными в две группы по четыре отверстия, координатные обмотки, обмотку смешения н разрядную обмотку. Два отверстия каждой группы расположены по диагонали пластины, а два других - по разные . стороны диагонали пластины (21.

Недостаток элемента заключается в больших затратах энергии.

Целью изобретения является уменьшение мощности, потребляемой элементом.

Эта пель достигается тем, что в предложенном запоминающем элементе обмотка смешения прошита в противоположных направлениях через средние отверстия групп, расположенных по диагонали пластины, Одна координатная обмотка прошита в противоположных направлениях через крайние отверстия групп, расположенных по диагонали пластины. Другая координатная обмотка прошита в противоположных направлениях через два отверстия групп, расположенных цо разные стороны диагонали пластины, а разряд ная обмотка прошита в одинаковых направлениях через два других отверстия групп, 597 004 расположенных по разные стороны диагонали пластины.

На фиг. 1 изображен магнитный запоминающий элемент; на фиг. 2 — временная диаграмма токов и напряжений; на фиг. 3график переходов элемента.

Магнитный запоминающий элемент содержит пластину 1 иэ материала с ППГ с восемью отверстиями, две координатные обмотки 2, 3, обмотку смешения 4 разрядную щ обмотку 5. Отверстия образуют две группы

6, 7 по четыре отверстия в каждой группе.

Для выборки элемента должны быть поданы в координатные обмотки 2 и 3 оба коор динатных тока 3 g, «» HB фоне тока сме,5 щения 3 (фиг. 2}, протекающего в обмот ке 4. Результирующая положительная МДС

7 (фиг, 2) переводит элемент в магнитное состояние С (фиг. 3). При этом выполняечся считывание со стиранием информации; a zu, разрядной обмотке .,5 наводится импульс напряжения {.{» или О (фиг. 2) в зависимости от предыдущего магнитного состоянии

«1» или 0" (фиг. 3), 25

Запись {,перезапись) информации осушесв» вляется по окончании координатных токов под действием тока смешения при наличии одного из разрядных токов,.{ (фиг. 2), подаваемого в разрядную обмотку 5. Ток

>Р (2р)нарушает баланс в магнитопроводе о Р» элемента, изменяется магнитный поток, пе ремычки между группами 6 и 7 отверстий замыкаются в основном вокруг группы 7(6), и элемент попадает в состояние 0 ("1 ). д5

Элемент может хранить троичную информацию. Если при записи разрядные токи 3 ро> не подаются, то элемент переходит в третье состояние хранения с симметрич- о ным распределением потоков вокруг групп отверстий.

В предложенном элементе по сравнению с известными элементами координатные токи и ток смешения уменьшились примерно на

25% при прочих равных условиях.

Формула изобретения

Магнитный запоминающий элемент, содержащий пластину из материала с прямоуголь» ной петлей гистереэиса с восемью отверстиями, объединенными в две группы по четыре отверстии, причем два отверстия каждой группы расположены по диагонали жюстины, а два других- „ао разные стороньг.диагонали пластины, координатные обмотки, обмотку смещения и разрядную обмотку, о т.л и ч а ю щ и и сятем,,что, с целью уменьшения потребляемой мощности элемента, обмотка смешения прошита в противоположных направлениях через средние отверстия групп, расположенных по диа гонали пластины; одна координатная. обмотка прошита B противоположных направлениях через крайние отверстия групп, расположен» ных по диагонали пластины; другая координатная обмотка прошита в противоположных направлениях через два отверстия групп, расположенных по разные стороны диагона» ли пластины, а разрядная обмотка прошита в одиночных направлениях через два других отверртия ppynlI, расположенных по разные стороны диагонали пластины.

Источники информации, принятые во вни мание пои экспеЬтизе: х. Заявка М 2135944/24., кл. Q 11 С 11/14, 1975, по которой при» нято положительное решение.

2. Заявка % 2354654/24, кл. 6 11 Х 1/06, 1976 по которой принято положйтельное решение.

597004

4 Ь Р

1„

Фиэ.l. 1Р

) 1pn

2хЦ хР1

Фси.З

Составитель В. Гордонова

Редактор Л. Утехина Техред Э. Чужих.. Корректор А. Власенко

Заказ 1154/50 Тираж 717 Подписное.

БНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035,.Москва, Ж-35, Раушскаа наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, г. Ужгород. ул. Проектная, 4