Способ изготовления выпрямительного элемента симистора

Способ изготовления выпрямительного элемента симистора

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз т оветских

Социалистических

Республик

ОП К!, (, ;. с 1:

1 ! (61 ) Дополнительное H;!B-,. санд-ву—

1 (22 ° ЗдявленО 1- . 3 : i о . ?, 1 38333 1 ь — -

1 с при-..Ok äмнением заявки I;, Государственный комитет

СССР по делам изобретений и откок1ти л (3 ) P i„-i y 0 P H т Е т—

Q,- óO ")»ковано 13 ) 1 Г о!. k N;ллстенв - 3,,С;.:>Та ОПVЬЛИКОВBИH Х Qпнодн:1я Л 3 . 1!l.,с <

Л . н, KPk-..лов, З,,Е . СР:,1,е-.;i Hk .и 11 ., Е . Го !, и (/ g) Двт " Л1B! изоосете1.-;ив (71) Заявител:. (54 1 С !С, ДБ;.1 — 1Г т:."; т, 1 г т ..

Ызобоетениа о-носит я к --,;1yóHOO— в Оде! иковому пр иб О 0oc Tpoi HS H ю бв1ть испол= oâ ано г.ри из гот. в.— -.".. :. н сплавного омического кон. актTермок0мпенса-.opом, на1:р. M,=p, из

Фрама, и кремниевой струхт, рэ1-; тора, на контактной пс»ер;.;-:Ости .;c .:0— рой имеются области как — . так н

p+ — Tиilа пров оцHмoc и

ИзвестнО, чтО для сОзда; —:и: О.".!. 1.ес— кого контак=ного соедине -1ия тер.=:З.O:-:-пенсатора с кремниевнтм дискэ1-1,. щим пов ерхнос Tü р-типа п-,ов -.,-;мос-. и, применяют метод сплавле: ия с 1!смоке.;о алюминия 1ли си у:тина пр;-. - ...Нер-. рах 3 начи - ел ьн О прев ьш1а101ди х е:.:пе— ратуру эвте к тики сист-емь; а",! .."B-1н:-.нКО Ми Ий

Однако этот метод при соедине .и;:, ТЕ рМОКОМ:lЕ-:1 С 3TOp 8 С КрЕМН И - .. 0:. - ТСЗ i - у,. турОй симистОра на KQHTBKTHой пО верхности которой имеются о; ласт.. как и —, так и н -типа IlpoB o kимости, He klp:kT ogeH . 3To обвесняется что при сплавлении растворяе-.. ся крем- 25 ний в апюми1 ии до насьдпения, а в ремя охлахсде н ия и з бы то-. ный к тçi!ì!kè -". выкристаллизовывается из p.:-. .. —. тора на исходной кремниевой с Tpóктуре, Формируя рекристаллизован.-:л и слой

:! .. ; . 1 .

1 ! а,". С Г О .:... . = В. 1е Н.; Н э;v3! . : —:, -:.! т .1Ракт i . К1

597289

Формула и"обретения

Составитель А. Прохорова

Редактор Т . Колодцева Техред А.Ач Корректор М. Вигула

Заказ 8666/72 Тираж 844 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 лиэованяый слой кремния на контактной поверхности структуры, и контакт по;,учается омическим как к р»- так

f и+-области

Сдна«о при этом спос обе из готовле; вЂ:;я выпрямительного элемента симистора существенно повышаются ток и напряжение управления.

Пель изобретения — снижение тока

:-:c.пряжеяия управления симистора.

".-то достигается тем, что под областью управляюцегo электрода помещаюг материал, яе растворяюций кремний

Способ изготовления выпрямительно: о элсменга симистора состоит B сле"ующем.

На дяо кассеты для оплавления по.;"ещают термокомпенсирующий диск а затем и алюминиев ую шайбу, толщиной —.ри.:1ер;-.о 15 мкм, с круглым отверстием ,-;иамстр которого ранен диаметру об— сти управления . Далее в отверстие

=--.ами::невой шайбы помещают диск из

: тсри.=" ..! e p аств оряющего кремнии, например . аэвтектического силумина, тогтцияа ко —:. орого ранка толщине шайбы.

На:а .-; у и диск помещают кремниевую ст.:,ук гуру симистора . Все э то прижи:а: -,"... ом или спрессовыв а:-зт,. н апригр -.. .-«ит овым пор ошк см и помещают

:=. -.ь, я оплавления, когорое про577-600""C .

;-.емя спл!авле,п,я люмияиевая .: ..;. а с: ;=-: .-:вает эми=тсрные области . =:: ;:: —:-:".евой структуры и контактную .-:.=. .:-:сз - термокомпенсатора, Формируя контактное соединение. Заэвтектический силуминовый, циск при с."!ëàà— лении находится в .жидко-твердом состоянии и заполняет пространство между областью кремниевой отру<=, ры под управляюцим электродом и =ермокомгенсатором, создавая меха".èческ ю прочность элементу симистора, Использование предлагаемого способа иэ готовления выпрямительяого элемента позволяет уменьшить ток и напряжение управления ооратной ветвью в. а.х. симистора соответственно в 10 и 5 раз по сравнению с выпрямительными элементами, изготовленными иэ— вестным способом.

Способ изготовления выпрямитель—

29 ного элемента симистора, включающий операции помещения прокладки сплава между термокомпенсатором и кремниев вой структурой и последующего сплав— ления, о т л и ч а ю щ и и с я тем, что, с целью снижения тока и напряжения управления симис-.ора, под об— ластью управляюцегo электрода помещают материал, не раствсряюций кремний.

39

Ист очн . Ки и н формации р принятые во внимание при =-кс -ертизе

1 . Патент CIA 9 3445301,кл. 148- 77, опублик. 1969, 2 . Патент Англии Ф 2?-088, кл. Н 01 К, опублик. 197