Устройство для измерения напряженности магнитного поля

Устройство для измерения напряженности магнитного поля

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

е

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЙТВЛЬСТВУ (Й) Дополнительное. к авт. свил-ву (Щ Заявлено 14.06,76 (21) 2371232/18-21 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 15.03.78 Бюллетень Ph 10 (45) Дата опубликования описания 25.02.78

Свез Сееетскма

С оцмлмстммecee

Расятбямк

Оц 598000 (53) М. Кл, 601 R 33!02

ГаЩдаВстауаай вматут

Севвта 1уулктра СССВ аа дулам азебретеел

II атлрмтай (53} УДК 621.317.44 (088.8) (72) Авторы изобретеиия

И. А. Вальтас и В-Б. В. Маргайтис

Специальное проектно-конструкторское и технолоннеское бюро малых электрических машин объединения "Эльфа".(71) Заявитель

{54) УСТРОИСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ НАПРЯЖЕННОСТИ

МАГНИТНОГО ПОЛЯ

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано для измерения напряженности постоянных и Переменных магнитных полей.

Известно устройство для измерения напряженности магнитного поля, содержащее два полулроводниковых магниторезистивных элемента, соединенных с источником постоянного тока, постоянный магнит, задающий смещающее магнитное ноле (t) .

Недостатком этого устройства является слож- 1О ность его конструкции, связанная с необходимостью использования постоянного магнита, смещающего рабочую точку на линейный участок градуировочной характеристики.

Известно также устройство для измерения напряженности магнитного поля, содержащее полупроводниковые потокочувствительные элементы с противоположно ориентированными и последовательно чередующимися в ннх областями с повышенными скоростями поверхностной рекомбинации носите- 20 лей тока, источник постоянного тока, подключенный к полупроводниковым потокочувствительным элементам, и индикатор (2).

Недостатком такого устройства является узкий .диапазон линейности градуировочной характеристн- ы ки, что ограничивает его применение при измерении сильных магнитных полей.

Целью изобретения является расширение линейного диапазона градуировочной характеристики.

Поставленная цель достигается тем, что в предлагаемом устройстве полупроводниковые потокочувствительные элементы включены в плечи моста, каждое иэ которых состоит из элементов с четным числом областей с повышенными скоростями поверхностной рекомбинации носителей тока, а элементы первого и четвертого плеча включены противоположно элементам второго н третьего плеча, прн этом в одну из диагоналей моста включен источник постоянного тока, а в другую — индикатор.

На фиг. 1 изображена электрическая схема предложенного устройства, соответствующая случаю подключения полупроводниковых потокочувствнтельных элементов к источнику напряжения; на фнг, " — вариант выполнения полупроводниковых потокочувсгвительных элементов на примере их подключения к источннку напряжения.

В устройстве выводы 1 н 2 источника постоянного тока соединены с полупроводниковыми потокочувствнтельными элементами 3, 4, 5 н б непосред. ственно, в случае их питания от источника напряже598000

Тираж »l»2 Подписи ос

Ц»» КИПИ Зэка з 1?! 1 36

Филиал lllll» "Па геи1", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

3 иия. Места соединения элементов 3 и 4, 5 н 6 подключены к выходному прибору 7.

В отдельном варианте выполнения устройства выводы 8 и 9 источника постоя»п»ого тока могут быть соединены с полупроводниковыми потокочувствительнь»мй элементами 10 и 11, каждый из ко. торых имеет по две противоположно ориентированные области с повышенными скоростями поверхностной рекомбинации носителей тока, между которыми установлены контакты, подключенные к вы- о ходкому прибору 12. Области с повышенными скоростями поверхностной рекомбинации носителей тока на фигурах обозначены условно утолщенными линиями.

Устройство работает следующим образом.

При воздействии магнитного поля на элементы

3, 4, S и 6 происходит изменение их сопротивления, Ввиду противоположной ориентации областей с повышенными скоростями поверхностной рекомбинации носителей тока изменения, сопротивлений в них про- ?О тивоположны по знаку.

Напряжение, измеряемое прибором 7, линейно зависит от измеряемой напряженности магнитного поля благодаря компенсации квадратичных составляющих изменений сопротивления элементов 3, 4, 5 и б.

Элементы 10, 11 в устройстве могут быть выпол иены содержащими по две противоположно ориентированные области с повышенными скоростями поверх постной рекомбинации носителей тока, за счет чего о0 в каждом из элементов 10 и 11 будут образованы части, изменения.сопротивлений которых противоположны по знаку, и при этом взаимная ориентация областей с повышенными скоростями поверхностной рекомбинации носителей тока сразу устанавливается 35 правильная, что дополнительно приводит и к ловышению точности измерения, Высокая чувствительность устройства позволяп его использовать для измерения напряженности слабых магнитных полей беэ применения магнитных концентраторов..Формула изобретения

Устройство для измерения напряженности магнитного поля, содержащее полупроводниковые потокочувствительные элементы с противоположно ориентированными и последовательно чередующимися в них областями с повышенными скоростями поверхностной рекомбинации носителей тока, источник постоянного тока, подключенный к полупроводниковым потокочувстви тельным элементам, и индикатор, о т л и ч а ю ° щ е е с я тем, что, с целью расширения линейного диапазона градуировочной характеристики, полупроводниковые потокочувствнтельные элементы включены в плечи моста, каждое из которых состоит иэ элементов с четным числом областей с повышенными скоростями поверхностной рекомбинации носителей тока, а элементы первого и четвертого плеча включены противоположно элементам второго и третьего плеча, при этом в одну из диагоналей моста включен источник постояш»ого тока, а в другую— индикатор.

Источники информации, принятие во внимание прн экспертим:

1. Патент Великобритании пб 1320857, кл. G 01 R 33/02, 1972, 2. Заявка Японии М 43-91807, кл. 110 L 1, 1972.