Мишень видикона

Мишень видикона

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

01598450

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

И АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ф (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 01.12.76 (21) 2426076/18-25 с присоединением заявки ¹â€” (23) Приоритет (43) Опубликовано 15.08.82. Бюллетень ¹ 30 (45) Дата опубликования описания 15.08.82 (51) X. K,.

Н 011 29/45

Государственный комитет (53) УДК 621.385.832 (088.8) по делам изобретений н открытий (72) Авторы изобретения Г. A. Федорова, Л. М. Прокатор, И. Н. Якименко и П. П. Зефиров (71) Заявитель (54) МИШЕНЬ ВИДHKOHA

Изобретение относится к телевизионным передающим трубкам типа видикон и их мишеням.

Известна мишень видикона, которая содержит на прозрачной проводящей подлоя<- 5 ке слой и-типа проводимости из селепида кадмия с примесью хлорида кадмия и хлорида меди, и второй слой р-типа из полупроводникового материала с высоким удельным сопротивлением (1). Однако 10 известная мишень имеет низкую чувствительность.

Известена также мишень видикона, содержащая расположенный па прозрачной проводящей подложке поликристаллический 15 слой п-типа на основе селенида кадмия н поверх него высокоомный слой фотопроводника р-типа, образующие гстеропсреход (2). Эта мишень имеет также относительно низкую интегральную чувствптель- 20 ность.

Целью изобретения является повышение интегральной чувствительности.

В описываемой мишени это достигается тем, что в ней поликристаллическпй слой 25 выполнен из твердого раствора CdSe — Г.1Те с содержанием CdTe от 5 до 95 вес. о.

На чертеже показано спектральное распределение чувствительности 51 видико- 30 нов с такой мишенью в относительных единицах.

Мишень такого типа может быть изготовлена последовательным напылением в вакууме слоев, составляющих гетеропереход, на покрытые прозрачной проводящей пленкой Sno пли УпаОа стеклянные планшайбы.

Поликристаллическпе слои твердого раствора CdSe — CdTe образуются при конденсации паров исходного твердого раствора па нагретых подложках. Твердые растворы могут иметь содержание CdTe от 5 до

95 вес.%. Медь и хлорид кадмия вводят в шихту при синтезе исходного твердого раствора. Толщину напыленного слоя варьируют в пределах 0,5 — 10 мкм.

После напыления поликрпсталлический слой твердого раствора подвергают активационному отжигу. Затем на слой твердого раствора напыляют слой высокоомного фотопроводника AsqSe>Ge,, As Р„Яе, или

AsSbSq. Могут быть использованы также

Аз.З.-, Р,Яе„, As SOq, ZnS u ZnSe.

Толщину слоя фотопроводнпка в зависпмост; от сопротивления и толщины слоя твердого раствора и удельного сопротивлен„я фотопроводника варьируют от 0,1 до

50 мкм, 598450

Формула пзобретсния

60 б0

Ю0 б00 700 600 900 1000

Техред А Камышникова Корректор Н. Федорова

Редактор Е. Месропова

Заказ 1186/3 Изд. № 205 Тира>к 758 Подписное

НПО «Поиск» Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Мишень видикона, содержащая расположенный на прозрачной проводящей подложке поликристаллический слой и-типа на 5 основе селенида кадмия и поверх него— высокоомный слой фотопроводника р-типа, образующие гетеропереход, отл и ч а ющи и ся тем, что, с целью повышения интегральной чувствительности, поликристал- 10 лпческий слой выполнен из твердого раствора CdSe — CdTe с содержанием CdTe от

5 до 95 вес.%.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент Франции № 15825б1, кл. Н 01 J

29/00, опублик. 1971.

2. Авторское свидетельство СССР № 395925, кл. Н 01 J 29/45, 1972.