Регистр сдвига для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах

Регистр сдвига для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ п11 6006I6

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 13.05.75 (21) 2134202/18-24 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 30.03.78. Бюллетень № 12 (45) Дата опубликования описания 13.04.78 (51) М. Кл. G 11С 19/08

Государственныв комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 681.327.664.4 (088.8) (72) Автор изобретения

А. К. Андреев

Институт электронных управляющих машин (71) Заявитель (54) РЕГИСТР СДВИГА ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА

НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНАХ

Изобретение относится к вычислительной технике и может применяться в запоминающих и логических устройствах, в которых в качестве носителя информации используются цилиндрические магнитные домены (ЦМД).

Известны устройства, предназначенные для продвижения ЦМД.

Такие устройства содержат магнитный кристалл, в котором существуют ЦМД, и систему ферромагнитных аппликаций, намагничивающихся внешним вращающимся магнитным полем, приложенным в плоскости аппликаций.

Под действием поля рассеяния аппликаций

ЦМД перемещается под ними, минимизируя свою энергию во внешнем поле. Знергетиче- 15 ски выгодное положение ЦМД под аппликациями определяется направлением внешнего вращающегося поля. Таким образом, при вращении внешнего магнитного поля относительно аппликаций осуществляется направленное 20 пер ем еще ни е ЦМД.

Однако наличие в доменосодержащем материале со структурой граната «твердых» ЦМД делает невозможным направленное перемещение информации. 25

Для подавления «твердых» ЦМД обычно используется метод ионной имплантации, сущность которого заключается во внедрении в поверхностный слой доменосодержащего материала ионов гелия, что приводит к воз- ЗЭ никновению в поверхностном слое механических напряжений, лежащих в плоскости доменосодержащего материала. В таком устройстве зарождение и существование «твердых» ЦМД невозможно.

Однако этот метод сложен технологически и требует применения дорогостоящего оборудования. Кроме того, для создания нужного зазора между доменосодержащим материалом и аппликациями необходимо нанесение изолирующего слоя.

Наиболее близок по техническои сущности к изобретению регистр сдвига для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах, содержащий магнитоодноосную пленку с доменами, ферромагнитные и токопроводящие аппликации.

Недостатком этого устройства является существование в доменосодержащем материале со структурой граната «твердых» ЦМД делающих устройство практически неработоспособным.

Цель изобретения — повышение надежности регистра.

Это достигается тем, что он содержит расположенный на магнитоодпоосной пленке слой материала, обладающего обратным пьезоэлектрическим эффектом, на поверхность которого нанесены ферромагнитные и токопроводящие аппликации.

600616

Составитель А. Андреева

Корректоры: Л. Ьрахнина и A. Степанова

Редактор И. Грузова

Заказ 921/14 Изд. 343 Тираж 763

НПО Государствеппого комитста Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, )К-35, Раушская наб., д. 4/5

Подписное

Типография, пр. Сапунова, 2

1 роме того, слой материала, обладающего обратным пьезоэлектрическим эффектом, выполнен из сегнетоэлектрика. Слой сегнетоэлектрика поляризован.

Слой материала, обладающего обратным пьезоэлектрическим эффектом, выполнен из поляризованного пьезоэлектрика.

На чертеже схематически изображен регистр сдвига.

Регистр сдвига для запоминающего устройства на ЦМД содержит магнитоодноосную пленку 1 с доменами, например ЦМД 2; расположенный на поверхности магнитоодноосной пленки слой 3 материала, обладающего обратным пьезоэлектрическим эффектом; ферромагнитные 4 и токопроводящие 5 аппликации, нанесенные на поверхность материала, обладающего обратным пьезоэлектрическим эффектом.

Работает регистр сдвига для запоминающего устройства па ЦМД следующим образом.

Сегнетоэлектрический слой, например из ниобата лития LiNbO3, самопроизвольно разбивается на области, в каждой из которых вектор спонтанной поляризации имеет одинаковое направление по всему обьему области.

Существующий в каждой области обратный пьезоэлектрический эффект приводит к тому, что в поверхностном слое ферромагнитного материала со структурой граната созда1отся механические напряжения, лежащие в плоскости материала. Существование упругих напряжений в поверхностном слое доменосодер кащего материала делает невозможным зарождение в нем «твердых» ЦМД. По своему воздействию па магнитные характеристики дом еносодержащего материала нанесение слоя сегнетоэлектрика аналогично способу имплантации ионов в поверхностный слой ферромагнетика со структурой граната.

Для увеличения механических напряжений в поверхностном слое доменосодержащего материала слой сегнетоэлектрика можно выполнить поляризованным.

Кроме того, в качестве материала, облада10 ющего обратным пьезоэлектрическим эффектом, можно использовать слой поляризованного пьезоэлектрика.

Формула изобретения

15 1. Регистр сдвига для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах, содержащий магнитоодноосную пленку с доменами, ферромагнитные и токопроводящие аппликации, отличающийся тем, что, с

20 целью повышения надежности регистра, он содержит расположенный на магнитоодноосной пленке слой материала, обладающего обратным пьезоэлектрическим эффектом, на поверхность которого нанесены ферромагнитные

25 и токопроводящие аппликации.

2. Регистр по п. 1, отличающийся тем, что слой материала, обладающего обратным пьезоэлектрическим эффектом, выполнен из сегнетоэлектрика.

30 3. Регистр по п. 2, отличающийся тем, что слой сегнетоэлектрика выполнен поляризованным.

4, Регистр по п. 1, отл и ч а ющи йс я тем, что слой материала, обладающего обратным

35 пьезоэлектрическим эффектом, выполнен из поляризованного пьезоэлектрика.