Аналоговый запоминающий элемент

Аналоговый запоминающий элемент

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

< >б0!Уб1

ОП ИСАН ИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз. Советских

Социалистических

Республик

i (51) М.Кл G 11 С-27/00

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 01.07.76 (21) 2380292 18-24 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приорите",— (43) Опубликовано 05.04.78. Бюллетень № 13 (45) Дата опубликования описания 10.04.78.Государствеииый комитет

Совета Мииистрав СССР (53) УДК 681.327.66 (088.8) по делам изобретеиий и открытий (72) Автор изобретения

А. ф. Башкеев

Волжское отделение Института геологии и разработки горючих ископаемых (71) Заявитель (54) АНАЛОГОВЫЙ ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ

Изобретение относится к области вычислительной техники, и в частности к ЗУ.

Известен аналоговый запоминающий элемент, содержащий конденсатор, ключ и схему управления (1).

Недостаток этого элемента заключается в сравнительно малом времени хранения информа ции.

Наи1более близким техническвм решением к и зоб ретению я вляется аналоговый запоминающий элемент, содержащий конденсатор, подключенный к затвору полевого транзисто,ра, исток которого подключен к резистору (2).

Однако точность работы этого элемента недостаточна из-за нестабильности каскада на полевом транзисторе.

Целью изобретения я вляется повышение точности работы элемента.

Для достижения поставленной цели предложенный элемент содержит биполярный транзистор, база которого соединена Ic истоком полевого транзистора, а коллектор — с его затвором.

На чертеже представлена принци пиальная электрическая схема аналогового запоминающего элемента.

Аналоговый запоминающий элемент содержит бл Io;IHDHbIH транзистор 1, конден."атзр

2, полевой транзистор 8 и резистор 4.

Элемент работает следующим образом.

При .подаче на эмиттер транзистора 1 положительного напряжения по участку эмиттербаза транзистора 1 течет ток, транзистор открьпвается, и .конденсатор 2 начинает заряжаться током коллектор а. Процесс заряда продолжается до тех пор, пока напряжение не достигнет величины, IIpiH которой транзистор

1 закроется. При этом потенциал на истоковом выходе транзистора 3 оказывается ниже входного напряжения на величину напряжения отсечки, перехода эмиттер-база транзистора 1.

Таким образом, весь элемент оказывается охваченным глубокой отрицательной обратной связью, что исключает влияние нестабильности транзистора 8, обеспечивает высокую линейность и точность работы элемента в целом.

В режиме хранения разность потенциалов между коллектором и базой транзистора 1 чевелика, в результате чего обратный ток этого перехода очень мал, что определяет большое, время хранения заряда на конденсаторе 2.

Запоминаемый потенциал, появляется на выходе устройства одновременно с его подачей на вход, чго повышает быстродействие схемы.

Экономический эффект изобретения заключается в точном II длительном запоминании

601761

Составитель И. Загинайко

Техред И. Рыбкина

Редактор Л. Утехина

Корректор В, Гутман

Заказ 115/219 Изд. № 124 Тираж 734

НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д, 4/5

Подписное

Тип. Харьк. фил. вред. «Патент» напряжения при малых аппаратурных затратах.

Формула изобретения

Аналоговый запоминающий элемент, содержащий конденсатор, подключенный к затвору полевого транзистора, исток которого,подключен.к резистору, отличающийся тем, что, с целью повышения точности работы элемента, он содержит биполярный транзистор, база которого соединена с истоком полевого транзистора, а коллектор — с его затвором.

5 Источники информации, при нятые во,внимание при экспертизе:

1. Авторское св и детельство СССР № 416757, кл. G 11 С 27/00, 1974.

2. Авторское свидетельство СССР № 327487,.

10 кл. G 06 G 7/02, 1972.