Электромагнитный датчик положения объекта

Электромагнитный датчик положения объекта

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАЙИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советекик

Социалистических республик (11) б 02

{63) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 121174(23) 2075243/18-10 (51) М. gg 2 с присоединением заявки Pfi (23) Приоритет (43) Опубликовано 1504,78. Бюллетень ph 14

6 01 D 5/22

Гэарйэрэтнэнннн иаиатэт

Ваээта эйнннатрвэ ШР аэ дэнни ннварэтэний н атирктнй (58) УДК 91.208 ° 3

-8:531.767 (088.8) (45) Дата опубликования описания 170378 (72) Автор . изобретения

В.A.Øèøåíêos

ГосУдаРственный проектно-конструкторский и научноисследовательский институт по автоматизации угольной промышленности

Pl) Заявитель (54) ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫИ ДАТЧИК ПОЛОЖЕНИЯ OSbEKTA

Изобретение относится к технике контроля и может быть использовано для измерения параметров движения раз личного рода машин и механизмов.

В настоящее время в промышленной автоматике широкое применение находят бесконтактные датчики положения и перемещения различного рода объектов (1)

Наиболее близким по технической сущности и решаеьым задачам к предла- Т0 гаемому изобретению является индуктивный датчик положения (2), содержащий дифференциальный трансформатор с двумя первичными и вторичными обмотками, источник питания и регенеративный усилитель, выполненный на транзисторе с трансформаторной связью с датчиком положени я.

Однако известное устройство отли- я0 чается сложностью схемы и недостаточн эй чувствительностью.

Целью настоящего изобретения является повышение чувствительности датчика положения и упрощение схемы. 25

Поставленная цель достигается тем, что в предлагаемом датчике эмиттер транзистора связан со средней точкой первичных обмоток, а коллектор подключен к анодам двух диодов, катоды кото- ЗО рых подключены к шинам источника питания.

Конструкция датчика положения и принцип действия его поясняются схемой, представленной на фиг. 1 и графиками выходных сигналов на фиг. 2.

Датчик положения объекта состоит из дифференциального трансформатора с сердечниками 1 и 2, первичные обмотки которых 3 н 4 соединены согласно и подключены к источнику питания. Вторичные обмотки 5 и б включены последо вательно встречно и подключены к усилителю 7 через резистивный делитель.

Усил тель выполнен на транзисторе, эмиттер которого подключен к среднеи точке первиччых обмоток, а коллектор к анодам диодов 8 и 9. Катоды диодов подключены к шинам источника питания.

Принцип действия датчика состоит в следующем.

При отсутствии в зоне действия датчика контролируемого объекта на выходе сигнальных обмоток 5 и 6 наведенные ЭДС равны, сигнал равен нулю и усилитель 7 запрет (cM.ôèã.2) .

При появлении объекта, обладающего ферромагнитными свойствами илн снабженного ферромагнитной акладкой, возрастает магнитная проводимость, да602780

ФигЛ

4гиг.8

СОСтаВИтЕЛЬ Р.ШВецОВ техред Я.Андрейчук корректор А.Иласенко

Редактор И.глубина

Заказ 1834/36 Тираж 8 72 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4 пРимеР сердечника 1. Это вызывает увеличение потока и электромагнитной связи между обмотками 3 и 5 и происходит перераспределение падений напряжения питания в секциях обмоток воэбуждення. При этом возрастает сигнал

5 на обмотке 5 и появляется сигнал на входе усилителя 7. Открытым переходом эмиттер-коллектор транзистора через диод будет шунтироваться обмотка воз буждения сердечника 2, что вызывает увеличение напряжения питания на обмотке 3 сеРдечника 1 и лавинообразное нарастание амплитуды выходного сигнала. Это позволяет получить высокую чувствительность датчика положения.

При перемещения контролируемого объекта в зону сердечника происходят те же процессы, в которых участвует обмотка 3, диод 9 и усилитель 7.

Формула изобретения

Электромагнитный датчик положения объекта, содержащий дифференциальный магнитопровод, последовательно соединенные первичные обмотки возбуждения которого соединены с источником питания, и усилитель на транзисторе, переход эмиттер — база которого через резистивный делитель подключен к выходным обмоткам датчика, о т л и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения чувствительности и упрощения схемы, эмиттер транзистора связан со средней точкой первичных обмоток, а коллектор подключен к анодам двух диодов, катоды которых подключены к шинам источника питания.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Ивенский 10.И. Бесконтактные путевые переключатели в промышленной ввтоматике, Ы.- 1971

2. Авторское свидетельство СССР

Р 377850, кл. G 08 С 19/Об, 1969.