Устройство для регистрации цилиндрических магнитных доменов

Устройство для регистрации цилиндрических магнитных доменов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (!1) 602984 (6l) Дополнительное к авт. свил-ву

2, (5е) М. Кл.

611 С 7/00

511 С 11/14 (22) Заявлено 01 04 76(21) 2342273/18»24 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43} Опубликовано 15.04.78. Бюллетень №1 (45) Дата опубликования описания 25.03.78

Гвс1,вврственный нвннтет

Сввеи Мнннвтрвв СССР вв лелвн изобретений н еткрвпнй (53) УДК 681.327..66 (088.8) (72) Р вторы изобретения

Л. С. Ломов, Е. П. Паринов, Г.-К. Чиркин и А. И. Юдичев (71) Заявитель (54) УСТРОИСТВО ДЛЯ РЕГИСТРАЦИИ

ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при построении запоминаюших устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Известны устройства для регистрации

ЦМД, содержашие магнитоодноосную пленку с ЦМД, на поверхности которой расположены два магниторезистивных датчика, включенных в разные регистры таким образом, что продвигаюшие аппликации перед датчиком оказываются в противофазе, т.е. домены через датчики могув идти только со сдвигом на 180, то дает возможность включать их

nv мостовой схеме 1 . В атом случае тре буется усилитель считывания с большой по l5 о лосой пропускания и малым временем вос становления нули, так .как сигнал от до менов может появлятьса с частотой вдвое. больше, чем частота пола управления. причем каждый раз нужни регистрировать эти сигна- 20 лы для различных каналов, распознаваа их по полярности, что усложняет схемотехнику.

Наиболее близким по технической сушности к данному изобретению является устройство для считывания ЦМД, которое содержит 25 магнитоодноосную пленку с цилиндрическими магнитными доменами, на поверхности которой расположены ферромагнитные аппликации расширения и продвижения цилиндрических магнитных доменов и магниторезистивные датчики, подключенные к выходу устройства .(2).

Недостатком известного устройства для считывания ЦМД является его относитель ная сложность

Для упрошения предлагаемого устройст ва для считывания ЦМД в нем каждая ферромагнитная аппликация выполнена иэ двух полушевронов, расположенных в ферромагни1 ных слоях, размешенных на магнитоодноооной пленке и разделенных слоем иэ немагнит ного материала, расстояние между смежными полушевронами в каждом слоев в 3-4 раза больше их ширины, один магнитореэис» тивный датчик расположен в первом слое у одних концов полушевронов, а другой — во втором слое у других концов этих же полушевронов.

На фиг. 1 показана схема описываемого устройства для считывания ЦМД; на фиг. 26О2994 то ж., разре - по слоям; на фиг. 3-5 — про) хом..ы.!ш . дом нов ь окрестностях датчиков при;.пзлнчнь.х направпениях вектора попя управц(- ния", ка фиг. 6 — форма считанного сигнапа or прохождения одного домена. 5

Устройство дпя регистрации 0МД содержит магниторезистивный датчик 1, расположенный и верхнем ферроми нитном слое

2 у одних концов попушевронов 3 ферромагнитных апппикаций продвижения и расширения щ0

L(> LL раздепенных слоем 4 из немагнитного материала, и подключенный одной стороной к общей шине 5. К этой же шине подключен мж ниторезистивный дат шк 6, расположенный во втором (нижнем ) ферромагнитном слое

7 у других концов тех же полушевронов.

Попушевроны 2 верхнего слоя расположены таким образом, что входят с зазором между и олушевр она ми & ни жнег о сп os .

Датчики 1 и 6 подключены по мостовой 20 схеме с помощью резисторов 9 и 10 к

-банансному усилителю 11 шинами 12 и 13.

Ферромагнитные аппликации расширения и продвижения 0МД расположены на раздепитепьном немагнитном слое 14, нанесенном 2s на магнитоодноосную ппенку 15 с 0МД

16, например эпитаксиальную феррит-гранатовую пленку, выращенную на немагнитном гранате 17. Источник питания 18 подкпк чен одним попюсом к общей шине 5 и к сред-30 ней точке усипитепя 11, а другим полюсом к резистором 9 и 10.

0МД 16, двигаясь по аппликации продвижения и расширения (4МД под влиянием попя управпения Я„, вращающегося в плос- З5 кости ппенки по часовой стрелке, проходит последовательно в моменты времени 14,6, положения, показанные на фиг. 3, 4, 5.

Прибпижаясь к устройству считывания (фиг, 3).

ШМД 16 регистрируется датчиком 1, дат 40 чик 6 еше не чувствует присутствия домена, и поэтому баланс мостовой схемы нару шается и появляется сигнал положительной полярности (фиг. 6а). При дальнейшем перемещении )(МД 16 он попадает в пространств 4 во между датчиками 1 и 6 (фиг, 4, момент времени 1 ), и поскольку воздействия на датчики одинаковы, сигнала не будет (фиг. Об). 11родвигаясь дальше, 0МД 16

50 проходит в момент времени 1 в попожение, показанное на фиг. 5. Датчик 6 под воздействием домена изменяет свое сопро» тивпение, воздействие домена на датчик 1 оспаЬпено, поэтому мост оказывается снова разбалансированным, причем в противоположную сторону от случая, показанного на фиг. 3. Соответственно, сигнал будет противопопожной полярности (фиг. 6в).

Расположение датчиков в разных слоях облегчает технологию изготовлении устройства дпя LiMjl малых (менее 5 мкм) размеров, так как минимальные зазоры между эпементами апппикаций (полушевронов) возрастают примерно вдвое, поскольку сами элементы, составпяюцше одну апппикацию, расположены в разных слоях.

Формула изобретения ,у тройство дпя регистрации ципиндрических магнитных доменов, содержащее магнитоодноосную пленку с цилиндрическими магнитными доменами, на поверхности которой расположены ферромагнитные аппликации расширения и продвижения цилиндрических магнитных доменов и магниторезистивные датчики, подключенные к выходу устройства, о т и и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью упрощения устройства, каждая ферромагнич ная аппликация выполнена из двух попушевронов, расположенных в ферромагнитных споях, размещенных на магнитоодноосной пленке и разделенных слоем из немагнитного материала, расстояние между смежными попушевронами в каждом слое в 3-4 раза больше их ширины, одним магниторезистивный датчик расиопожен в первом слое у одних концов попушевронов, а другой - во втором слое у других концов этих же полушевронов.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Патент Японии l4 50-13614, кл. 11 4 А 512, 21,5.75, 2.3obek А.Н.et af.,Ргос.оi 1Ьв TEED,v.

М Ь, 1975, р. 1176.

602994

/б

Фиа5 и

<с

Составитель Ю Розенталь

Техред Э. Чужик Корректор Н. Ковалева

Редактор Л. Бибер

Заказ 1863/48 Тираж 717 Подписное

1)НИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам иэобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 г г