Двухтактный усилитель

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Соцналкстическнх

Республик

Q д-- И-С-,А- Й И Е

ИЗОБРЕТЕН ИЯ (1Ц 6О 3096

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (6l) Дополнительное к авт. саид-ву (И) Заявлено 07.06.7 6 (21)2369930! 3. 8-0 9 с присоединением заявки №

2 (53) М. Кл.

Н 03 F 3/26

Н 03 F 3/34

Гесударственнай кочктат

Вааата Мнннстраа СССР аа делам ныбретвннй и аткрмтнй (23) Приоритет г (43) Опублнковано15.04 78.Бюллетень №14 (53) УДК 621.375.127 (088.8) (45) Дата опубликования опнсаяия21.03.78 (72) Авторы изобретения

В. Н. Иванов и Я. A. Некрасов (71) Заявитель (54) ЙВУХТАКТНИЙ УСИИИТЕИЬ

Изобретение относитси к радиотехнике и может использоваться в устройствах автома, тического управления, в .частности в следящих системах.

Известен усилитель с непосредственными связями, содержащий предварительный и вы- . ходной каскады, плечи каждого из которых выполнены на комплементврных транзисторах, включенных по схеме с общим эмиттером fig

Однако известный двухтвктиый усилитель имеет сравнительно малый динамический диапазон, Цель изобретения — расширение динамичес«ого диапазона усилителя.

Для этого в предлагаемом двухтактном усилителе с непосредственными связями в каждое плечо предварительного каскада пос» ледовательно по постоянному току с транзистором плеча введен дополнительный транзистор противоположного типа проводимости, йв база которого соединена с базой дополнительного транзистора противоположного плеча через генератор тока, причем генератор тока выполнен на резисторах, точка соединения которых подключена к источнику входного сигнала или на комплементарных транзисторах, эмиттеры которых соединены «ереэ резистор, а базы — с коллекторами трензисторов соответствующих плеч выходного каскада, На фиг. 1 представлена принципиальная электрическая схема предложенного двухтактного усилителя; на фиг. 2 — To KE, c генератором тока, выполненным нв резисторах; ив фиг. 3 - то же, с генератором тока, выполненным на транзивторах.

Двухтактный усилитель с непосредстведными связями содержит предварительный и выходной каскады 1, 2, плечи каждого нз которых выполнены на комплементардых транзисторах 3, 4 и 5, 6, в каждом плече предварительного каскада 1 включенные последовательно с транзисторами 3, 4 дополнительные транзисторы 7, 8, база одного из них соединена с базой другого через генератор 9 тока, выполненный на резисторах

10, 11, точка соединения которых подключена к источнику 12 входного сигнала, илн на комплементарных транзисторах 13, 14, 1 эмиттеры последннх соедннены через ре603096 зистор 15, а базы — с коллекторами транзисторов 5, 6 соответствуюших плеч выходного каскада 2.

Усилитель работает следующим образом. 5

При положительном напряжении на входе усилителя (на базах комплементарных транзисторов 3, 4) комплементарные транзисторы Д 5 открыты, комплементарные 4, 6 заперты, При насьиценном транзисторе 5 на- 1п пря жение коллектор-эмиттер транзистора

6 почти удвоенному напряжению питания, Ток базы дополнительных транзисторов 7, 8 равен току генератора 9. Так как напряжение эмиттер-коллектор дополнительного транзистора 7 равно напряжению база-эмич тер открытого транзистора 5, то дополнительный транзистор 7 находится в активной области, через него протекает часть тока коллектор транзистора 3, 30

Обратный ток коллекторного перехода I„

"о транзисторов 4, 6 протекает по коллекторной цепи транзистора 8, который при достаточной величине тока генератора S находится в области насьицения, Напряжение база-эмит-йй тер транзистора 6, равное напряжению коллектор-эмиттер насыщенного дополнительного транзистора 8, близко к нулю, поэтому напряжение пробоя коллектор-эмиттер транзистора 6 близко к напряжению пробоя коллек- Ф тор»эмиттер при закороченной базе, При изменении знака напряжения входного сигнала транзисторы 4, 6 открыты, Часть тока кол лектора-транзистора 4, равная току Its<< коллектора дополнительного транзистора 8, Зб протекает через этот дополнительный транисто з р

1. - e1"

8 где — коэффициент успения по току 40 дополнительного транзистора 8; — ток генератора 9.

Так как ток I транзисторов 4, 6

<о значительно меньше номинальных токов коллектора этих транзисторов 4, 6, то для то-45 го, чтобы дополнительный транзистор 8 находился в области насьпцения, когда, транзисторы 4, 6 заперты, величина тока Ir может быть выбрана малой, Следовательно, и величина тока 1„невелика. При токе

К и коллетора транзистора 4 больше величины

Тк все приращения тока базы транзистора

6 равны приращению тока коллектора транзистора 4, поэтому наряду с увеличением допустимого напряжения питания, которое должно быть меньше напряжения пробоя коллектор-эмиттер, коэффициент усиления усилители сохраняется высоким в отличие от схемы усилителя с шунтируюшими резситорами.

Формула изобретения

1. Двухтактный усилитель с непосредственными связями, содержащий предварительный и выхоцной каскады, плечи ка,дого иэ которых выполнены на комплементарных транзисторах, включенных . по схеме с общим эмиттером, о т л и ч а ю ш и и с я тем, что, с целью расширения динамического диапазона, в каждое плечо предварительного каскада последовательно по постоянному току с транзистором плеча введен дополнительный транзистор противоположного типа проводимости, база которого соединена с базой дополнительного транзистора противоположного плеча через генератор тока, 2. Усилитель по п. 1, о т л и ч а ю— ш и и с я тем, что генератор тока выполнен на резисторах, точка соединения которых подключена к источнику входного сигнала, . З„Усилитель по п. 1, о т л и ч а ю— ш и и с я тем что генератор тока abtполнен на комплементарных транзисторах, эмиттеры которых соецинены через резистор, а базы — с коллекторами транзисторов соответствующих плеч выходного каскада.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1, Шило В, Л. Линейные интегральные схемы в радиоэлектронной аппаратуре, М., "Советское радио, 1974, с. 112, рнс.4,7

6О3ОО6 фис.1

Фис. 2 фиг.З

Составитель Е. Любимова

Редактор T. Янова Техред Л. Ллатырев

Корректор К, Яцемирская

Филиал ППП Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Заказ 1872/53 Тираж 1086 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

1l3035, Москва, Ж-35, Раушскаи наб., д. 4/6