Дифференциальный усилитель

Дифференциальный усилитель

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

605307

Селга Ссеетсыит

Седиалистичесиих

Peñлуслик

ОПИСАНИ.Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВКДЕТЕЫЬС ЗУ! (61) Дополнительное к авт. свид-ву—

) (22) Заяв.гсио 14.11.74 (2i) 2076233,118-00 (31) М. }хл. - Н 03Г 3/45 с присоединением заявки гм

Совета Миыистрав СССР по делам ызобретеиий и лткрг гтий (43) Опубликовано 30.04,78, Б!Оллстс ib М 16 (53) УДЫ> 621.375.024 (088.8) (45) Дата опубликования описания 2l.04.78 (7?) Авторi>i изобрстc H !я

В. К. Кармазин, В, 11. Сафронов. E. А, Ломтев и В. М. Шляндин (71) 1аявитсс!!.

Пензенский политехнический институт (54) ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ УСИЛИТЕАЬ

Государствеыыь!й ксгиитет (23) Приоритет

Изобретение от:госится к радиогсх!гик может использоваться в рад готехии;сских усТ2НОВК2Х Р23 IИЧI(ОГО Наэпа IСПИЯ. известен диффереицггальиbié усилитель, содержащий в каждом плече транзисторы, э HTтеры которых через общий генератор тока подключен к источнику питания одной полярности (11.

Однако в извесгном усилителе тргнз;!сторные каскады собраны по схеме с общим эмиттером, поэтому паразитные емкости транз,— сторов существенным образом сказыва!ото!1 на быстродействии усилителя.

Цель изобретения — увеличение бысгродс iствия.

Для этого в дифференциальный усилитель, содержащий в каждо I плече транзисторы, эмиттеры которых через общий генератор ток 2 и ОД кл 10 >I c H bl к и с т 0 ч г и к г п 1 l т 2 и !1 Я ОДНОЙ полярности, введены второй источник питания, имеющий противоположную полярность, !icp вый дополнительный транзистор, база которого соединена с базой транзистора первого пле !2> эх!!!гтср — — с Оощим ГенсраторОм тока, второй и третий дополнгггельиые транзисторы, включенные по схеме с общей базой, э. иттсры

КОТорЫХ ПОДКЛIОЧЕНЫ СООТВЕТСТВЕННО К КОЛЛСКторам первого дополнительного Тр2НННСТор2 и транзистора первого плеча, а коллекторы объединены и через нагрузку соединены с общей

ii!»H0!I> 2 Т2КЖС ДОПОЛНИ СЛЬИЫИ ГЕНСР2ТОР TOка, Вклlо IcilHbiii мс"1 .ду эмпттером HTopo! o допол:!и тельного тр21.з !ОТор2 и Вторым источником питания, i!pH этом тип проводимости вто5 рого дополнительного транзистора противоположен проводимо"тп остальных транзисторов.

11а чертеже приведена электрическая принци:шальная схема предложенного усилителя.

Дифференциальный усилитель содержит в

1ю ка (+0!, H lc ге Тр l!зисторы 1 H 2, 3:>IIITTcpbi 1(0торых через общий генератор 3 тока подключены к источнику 4 питания одной полярности, второй источник 5 питания, имеющгц! Ilpoтивоположную полярность, первый дополни15 тельный транзистор 6, база которого соединена с базой транзи!стора 1 первого плеча, эмиттер — с общим генератором 3 тока, второй 7

I! третий 8 дополнительные транзисторы, включсггг>bie Ilo схеме C оощей базой, эмитторы i(o2Ю 10Pb!. (пОДклlо Ic!ibl с001 ВетстВенно к 1(оллекторам первого дополнительного транзистора 6

;; тр2Hçèñòoðà 1 первого плеча, а коллекторы

ouьединсиы и «срез нагрузку 9 соединены с общей шиной, а; акже дополнительный генс25 р;!тОр 10 тока, Включенный между эмиттсром второго дополнительного транзистора 7 и вторым исто ушком 3 питания, при этом тип проводимости второго дополнительного транзистора 7 противоположен проводимости осталь30 ных транзисторов.

Дифференциальный(, «iiл:{Т<.ль;)або г;((. «л< дующим образом.

Синфазное в Одное на))рян{сн)(с об! (с»г)5(:ет на базах транзисторов 1, 2 и 6 опр,д;.;,«!(в ное смещение, причем 12ЕОе смс цеl(:I(5 д

0bITI положительны><1. Ilp» )1(.ооход I)(u«. !i работы с отрицательным вхOJ!Н)м «:{нфа)иым напряжением TH)l проводимосги тра»(51!L! 0„0!3

И ПОЛЯРНОСТЬ ИС!ОЧНИКОВ (1 ИТаii (:H 0 j(«1 f;)0тивоположными изображен»ым 11;1 >i«pic"

11,<с«. в;одно» дифф(р(нци>3 1; и(,!» обуславливает уменьшLН!((. базовых «ео! транзисторов l, t) первого II;lcча,:;:.«личс; Ii. базового тока транзистора 2 второ.о»л«ч;f. тогда коллекторный ток )ран;)и«торов 1 уменьшается, 2 следовательно уме:!(и»,«»

И КОЛЛЕКТОрНЫЙ 1 ОК I р а НЗ И С I 0(. . Ь. i Ir >1 j. -. .1:<,тельный потенциал:ta Нагрузке 9. «u <, ;;;!>;fемый коллекторным !оком тра(!з):«О:)(f М, уменьшается, что приводит к смещен ио выходного уровня в область о(ри.;атель»ы. (2пряжений. Уменьшение коллск!орного ток! транзистора 6 благодаря действию (е-.:!сраг<— ра 10 тока приводит к увсличсншо Огри!(2K0JI;IEKTOPli0i 0 ÎK2 ) Р((НЗИ «1 ÎP; 7, вследствие чего OTpHI)HTL;fl flue смсщ(:! iu»2

H2I р< 2КН 9, обу «20(31CIIIIOC в i If:<1 10ko)l, ?? !3(. .i!f??????2?? i ???? 110 ??????>< ;Ilu, 1 аки v(О ор 220(1, u« :ц(.ставляет двухтактнос у«ил IH()5. од:l(j:0 нала.

Использование в таком ),c:{л; Ic>)c»клю (Lния транз !егоров I(0 схеме с об)цсй б((:50."1 г

ДВУ>ХТЯКТНОГО У СИЛ СНИЯ В." ОДНОГО СИГII ИЛ 2 )>Ы" годно отличает предлагаемый у«и ii;i(л. опрототипа Ilo быстродействии и«;ic !L I ã: уменьшения паразит»ого вл»ягия ихолгых г проходных смеосгсй транз»сгорз)3 22:: . у !(.

С,, и (Е< )(>, -1! (Х I <, «вЂ”,«;; -,Яча Bf>fcr): 0« jf»" )« "" Т.)< (» !>ОЗМ ) О:T ОС«-,С IC;I>:3! ГOСб, (".,(0(") г. < !» »1!j <, f)О!3> Я 1)ых<)Л <>< (0 Л.il:i (. :I . » ««(I i « . I>(f! Iu ; 13« . 1:r (11 < (",!",..>) .

11(»»г .:": ; ..! !j< 1)«,! .f (1>ff 1») 1>,, »,. 1, < ГИ 1(<11 .,, !» < б «, «!!» . I»(!). «Oj(:, р/кгff(H:,3

15 Еа j"(,, (С ."! >. < < 1> 2!1,)Г< .. 0,)1>!. > j; и ТСРЫ КОТ <)),! "Спс 3 < бц)и>(:,1«,;()0;) (ок;! f<),".!f(,110 lсиы

i(1 .«1 <) !1! JI K < () Г!2:.I:! Я,> (Г

>! 2 ю )и <»» Г(" (с 11 <> < Рr>;,и" с<>,IC;!LT(3 !il. h If(I 0 <313(((»Ibl, T()p(>1 Jl< 10:I>!<Е < <»!:i, <1«0!: (>:;If!(l l! : 30.10.10»(ll < K; .10. I » P. I ., « I>. L Р:».:. ...Г>.I.), !, I I! (.!1>I!1 I! Pс! !3 —

, (>!>, I) 2:52 - <) . :),)ОГ.,, «.1!1 1!(С f >f . 02.50:.1

Р«»5»«::>,);< !«f!> OJ < 1,!«: 1, >»i»(г(Ð !()1:(;f:,t . ::. ", f!! ),)(),* "<>Kif. 13 i Opо! . .И

: и. (»й,!0»<>,::: —..:,:f (ы (:)2»з»«гupbl. вклю <С)<(;.,, (О > >(>1; «u<) !1<. » С)5 50», 3 >(ИТ (f) Ь! Е(> "О b. :I ) Е. К"!(!:!Л i LО ii(1«! BC! I

ИО ){ I<01;) <,! f! 2;. -< -)-,0 0 -1()<10.! H» Tñ11!10-r) ! P,f1; 3 1« J 0 >, f "() 2 ) )30! О П..С 12 2

ЕО12!< . ЕТ<>".l>! 01) f>L,;:.I!I(1!1>I Ir i(О(. 5 !1((1,) > ЗЕ ,"<:(.1 < 1 () 1» ." . .)П(«! I:1)Г 101 :.,,2 Т(! >(i (.!<:П«.1 i I!"."., I »(> I»if: (:!".;):! <> Гr)b>:f, !51(Л((>Ч(Г!:I 1:!;>I(ж;1", ) и I (!>!; I,;;-)»I, 1 >1-0 (,-I.I r- — I,!fr> "«, —, )f !I ><

> I 1) f (31 (>". .:. . i;I " »I {< >. 1 I » 1 ; <1

3<>; И»; (Р 0150.(<:«! . . 3 <>, )О! 0 .(О!10 1>{» Г 11 1<0 0

1 p;I, 511« Ор2 1:ро Иво IОЛ()ж(»I I,;, !1)одl .МОСТ", С ..! (>I I! < );<:! i! « i uр«)3.

< <«. ) III!» "II > .>I(<)0РМ2I;HÈ, 1>»f 1 ; < ),,! !3 » <>г»;fr. ») 1 j ))< >< и < » > 7 <, ;< ., 1 . 1 ; ! .1 : ) h (. ; . 1 1 <« : I 1 1>! i ! I с ) f) ;! ;> >1 c « х с< t>i i3 P(!.! Гr)ЗЛ". (1 .)" 1. 110 !;i)1 .t;! P 2 > .)С. « .. <СО ). (1 . 1 < I ." ", .",, )," < 9

Редактор И. Суханова

Спета>питс !I> А. Меньи нкова

Тсхрсд А. Камышникова

Коррскторьп И. Позняковская

:. T. Добровольская

Лака з 592 1 0 l1çi, . > 412 T:.ðàæ 10S7 По.! писнос

НПО Государстгенпого ко>яптста Созст,". Министров СССР!

Io дслаз. .çîáðñòñíèé и открытий

113035, Москва, 5К-35, Рауьискап наб., д. 4 5

Типогра;IIH, lip. Сапунова, 2