Способ измерения емкости коллекторного перехода транзистора

Способ измерения емкости коллекторного перехода транзистора

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советскин

Соцналистнмескнх

Республик

ОП ИСАН-ИЕИ ЗОБРЕТЕ Н Ия (I1) 611Т63(61) Дополнительное к авт. свил-ву (22) Заявлено 09.06.75 (21) 2142282/18-25 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет (43) Опубликовано 15.0678. Бюллетвнь № 22 (45) Дата опубликования описания 15.05.78 (51) М. Кл, G 01 R 31/26

Государственный комитет

Совета й1инистров СССР оо делам иэооретений н открытий (53) УДК 621.382.3 (088.8) (72) Авторы изобретения

Н. С. Григорьев, О. Ф. Рамэайцев и В. А. Шварцбург (71) Заявитель (S4) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ЕМКОСТИ КОЛЛЕКТОРНОГО ПЕРЕХОДА

ТРАНЗИСТОРА

Изобретение относится к измерительной технике для полупроводниковых приборов и предназначено для контроля транзисторов по высокочастотным параметрам; емкости коллекторного перехода, активной и пассивной составляющим емкости коллекторного перехода, постоянной времени коллекторной цепи и распределенному сопротивлению базы.

Известен способ измерения емкости коллекторного перехода Ск, основанный на определении коэффициента обратной передачи транзистора, включенного по схеме с общей базой. При этом в коллектор испытуемого транзистора подают сигнал высокой частоты, а измеряемый сигнал снимают с токосъемного резистора, включенного между базой и землей t 1).

Известен также способ измерения емкости коллекторного перехода транзистора .путем лодачи на исследуемый прибор двух различных по частоте высокочастотных сигналов и измерения козф- О фициента обратной передачи транзистора (2),.

Недостатком известных способов является низкая то пюсть измерений.

Цель изобретения — повышение точности из.мерений. Это достигается тем, что по предлага2 емому способу на одной из двух частот измеряют коэффициент обратной передачи из коллектора в эмиттер и на обеих частотах — коэффициент об. ратной передачи из коллектора в базу, а величину емкости коллекторного перехода определяют по формулам.

Затем по известным формулам определяют высокочастотные параметры трайзистора: емкость коллекторного перехода С,, постоянную времени коллекторной цепи т и распределенное сопротивление базы гу

На чертеже изображена функциональная схема измерителя высокочастотных параметров транзисторов, Измеритель содержит два генератора 1, 2, высокочастотных сигналов, формирующих сигналы с частотой fI и fq соответственно, измерительные каналы 3, 4 и 5, электронную вычислительную машину (ЭВМ) 6 и индикатор 7.

Измеритель работает следующим образом.

С выходов генераторов 1 и 2 высокочастотные сигналы поступают через клемму К в коллектор испытуемого транзистора. С базы и эмиттера испытуемого транзистора (с клемм Б и Э соответственно) сигналы поступают через буфер61) 163

30

Составитель В. Немцев

Техред Н. Андрсйчук

Корректор Г 1арасиняк

Редактор Л. Батанова

Заказ 3149/37

Тираж 1112 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул: Проектная; 4 ные устроиства (на чертеже не показаны) в каналы измерения 3, 4 и 5, где происходит преобразование сигналов и усиление, после чего сигналы поступают нг ЭВМ б, которая производит необходимые вычисления и обрабапивает результаты измерения, Эти результаты поступают на индикатор 7. Измерительный канал 3 настроен на частоту fq и измеряет. величину коэффициента обратной передачи иэ коллектора в эмиттер испытуемого транзистора — параметр (h< >): каналы 4 и

5 на частотах f, и f соответственно измеряют коэффициент обратной передачи из коллектора в базу испытуемого транзистора — параметры I h, I 1зг !.

ЭВМ б по приведенным формулам вычисляет значения параметров Ск, С„., С, и т, гб ".

Постоянная величина (const), входящая в формулу для определения постоянной времени коллекторной цепи т,„определяется коэффициентом усиления измерителя, Прсллагаемый способ обеспечивает повыше20 ние точности измерения по сравнению с известными в 2-3 раза.

Формула изобретения

Способ измерения емкости коллекторного перехода транзистора путем подачи на исследуемый прибор двух различных по частоте высокочастотных сигналов и измерения коэффициента обратной передачи транзистора, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью повышения точности измерения, на одной из двух частот измеряют коэффициент обратной передачи из коллектора в эмиттер и на обеих частотах — коэффициент об. ратной передачи из коллектора в базу, а величину емкости коллекторного перехода определяют по формулам

Ск, к — активная и пассивная составляющие емкости коллекториого перехода соответственно;

I h;, I — модуль коэффициента обратной передачи из коллектора в эмиттер;

I hj 1,1 hg! — модуль коэффициента обратной передачи из коллектора в базу на частотах измерения т, 2 соответственно:

r — величина сопротивления токосъемного резистора, включенного в базу испытуемого транзистора.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. "Транзисторы. Параметры, Методы измере. ний и испытаний" под ред. И.Г.Бергельсона, Ю.А.Каменецкого, И.Ф.Николаевского, M., Сов.

Радио, 1968; с.155.

2. Авторское свидетельство СССР Р451027, кл, 6 01 R 31/26, 1974.