Способ получения низкоуглеродистого карбида бора

Способ получения низкоуглеродистого карбида бора

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

№ 11ВЬ

Класс 12i, 37

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

А. В. Тихонов

СПОСОБ ПОЛУ I ЕНИЯ Н ИЗКОУГЛ ЕРОДИСТОГО

КАРБИДА БОРА

<1<(>(((((>((() I I 5(и() Ч)5(I!) 1г() )п((ll(((l(>(т!Чи ((ия (:<.(1

Известен способ полу-loiaiisi .i!!çêоугле„)одистого ка()бида бора соста— ва В С и ниже (пo углероду) пу.тем нагревания смеси борного сырья и углерода в электрической iicчи.

3TO I HlOCO() l103B015IOT ПО, I>> >IBT!> каРОи. 1 00j)<1 coctbb, содер >к я !11и1! хl и ни мял ьно(> кол и !(>ство растворенного углерода и с il 7Вын)спными абразивными свойства)(!и. О.-обенность способа заклю )ас.гся В то)1, чтО 001)H> ю кис;)от", ОО())ный ачгидрид или другое сырье, ci)ДВP)KЯI)lcс боj), НЯГ, )сВЯ!От В э.! Kтричегкой печи с угл(родом Io температуры спекан<ия 1!)Икты, т. с. 10

2200 — 2450, но не выше (п()и этой темпера Гуре растворение графит!! нич1 Ожи о) . К170ме тоГО, В шихт>>> . \Обяв,)я)от окис;)ы Kj)OLIHHII, цирко))и5), >

Процесс предподчительно вести

B дуговой электроне ги шахтного типа. Зде.-ь улетучивающгиеся из зоны рсакци)1 пары борного ангидрида осаждаются в выше лежащих слоях шихты, следовательно не те1)яются, ПО. )учасмый HpодуKT (В Ви () 10.<а и, Ill c, 1 .I тк<1) 1) <1<3Н Оз!< 1) но

З<)К!7 I Ò<1, !,! I!BOB<1 ??, ??????oj) ??????li ???? ??))?????? t ??! i)ill??(?? ??????!> сос 1 ЯВ )1 с:);!(>() ж и Очень )lсз <1>!и тB. ы10(. 1<0 1!1

<1(01 ВО <. 130б(7дН.) ГО;>Г. 1(j) 0)1<1, 10 ) <1;3 явны(. с301)стВЯ ка роид<1 ()Oj) а, по

Г! >> 101!Н 01 О Т KО

13Û<" О!<11, ITÎ 01{ )!ОЖ(Т З<1)!(. Н5IT!> Я, I

3)аз.

Предмет пзобрсте )ия!. Спо;об получения низкоуглер<), 1 И 01 0 i« l j) () и:1 <1 0 i) j) С и и:)же (llo угле;)о!у), путем нягр»В а Н !! H C ) I С < H 0 0 <7 ?? ?? ?? (hl j)> 5! И (1, (>

0 )а В Э Kl Р ИЧ(Ко>! >I(. >>И, 0 Т;! Ичак)п;1)и, H те)1 > го (. ц, 1(,ю ИО,1 и(H I5l l1 )0Д > НT<1 cbooo:1:10??o ???? 3<1 i o p 0 1 <1 ?? ?? ??l )?? (> 11 1 51 (> Г () < О Р а 3 И В Н Ы Х

CB0!lCÒB, И ."ОДН3 10 П)ИХ )i<)l j)()B! Сll(KBii 1!H ПРО;1) КТ;1 (2201) — 2450" ) c,10<);) В,.10 и и с м Оки с10В vj7c)I)fIl5I, 11ИРко .)Я. 310 Iио 1(>п)) плп тита)111.

2. 3л51 о ущсствл(нпя cnnco()B по п. 1 — применен)!с 1пахтнь)х,1уговь)K

Tle«ei!.