Высоковольтный транзисторный переключатель

Высоковольтный транзисторный переключатель

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

612410 (1«! .> r H : и жен ие 1iB TI>T! H3flcтое) е!>> — I -I . !>>Онлсисат()phl 3-1 3-и заряжены, диоды 5-1-- 5-п 1(! 11 PTI>! И . I;! I I P> 51 Ж(I!11Å (Е(КаЖ, 10 > I i Ill i., РЕI В

1!(> ri .;!»51 Ж:!!!II(), I!/>(i,(0?КСIIНО:>i К КВЖЛО>М v ИЗ I р;!!!31;(ò(>!>()B i - I I -и., 1,;!я з(lщ!!т(>! От !1среI! (! 11)Я ж(i! l! 1! il(P(кольl Оеlза -3)I IITTBР TPB H3HcTQ1-1 -l! )i!) ) ", (>!:: I е Bаii! I>I!TilpоBаiibi лilо ! fi >1(I.

l lpl! I.,>È..()Ë«3;f.I, г(ВК> цСГÎ ИМПуЛЬСа На базу тр tilзист(ра I- * . .!!Оследнпй иа ииает OT. ((ираться> . апр;-;?!((И(!с иа его колл(кторе и, СООтв(Гс! Bi !filo, !, 11:- )1 итт(р" тра!!зистОра ->- .

:ч>. f1 i>l! i!!>. C 5>. I>>. . IC 1(. ТВ И (BT()l 0 ТрВ H31iCTOO 1 такж«; ::!. (Всг (>гпираться и через его и;;— хОЛ база-3)!Иг((р течет ток разряда коидсп(;-,I(, ðB 3- и мкости сгабилитрона 4-1, вызь: «!5 (! О!)(i! i l«О ((1 1рсll! и 51 тj>BII;i(i(г(); I > -2 и с ни ж(-!

1!1(!!!3>(РЯЖ" ИИЯ !(Еl С! О КО, !, !(. КТ(,!(Ii Н l ЭЛI И(в

r(pрс т >аи.!(;(>Ор?1 1- . Таки)! Образ()м, ирои. x(>(""" .!I)T,. ?i B11 l i l l l, l l P 0 I l CC C. (! Р И В О: 5! 11:. И и ((1!О II 1(<>(!>! !ЦС(((> (О В((r(ТР>1! !3! ("ОРОВ I (!)ОР )l п-!

)о(»ни ff!(i (!>1(!Oll! а и>1>(».! Всi(il;.!;I >5» ке! !i! Я 1>а (>а г р > 3 l(C f) Bt>!CO!vOBO;f l>TI(0f H(>D) И -! j>(к, (!Оча гс. IH. l lp!f мсньш(>!И(и ildiIpH?KE. !II!51 па

1;) ifIBI!OI()I>fi. 1 ! > ло >ров!)я а>мппит>лы

;> . И У С « i li! Ц (. (О И М П . i i> C B, ОТ И И Р и 10 Г Си Л И ОЛ Ы д -:—

5-и и -l(р(з ни(llpoT(касг ток и базы траизисто!>Он 1-2 --1-11, м;10рживая их i3 Откр ITo>I сосТО511(и(1 if(!(!с 1><13!>5(Л(! !(()!!д>снсаторов 3-1 — и- l.

В",» >м )(1 Ок()>! 11ИИЯ 3!IГ1мскаlо(ц(,ГО ичг!>ле>са тр il!BH, I(>j)i>l 1-1--1-и I! лиолы 5-1- 5-и-1 заII I! р i!()T«5! Ii форм!(!>Онат(, !! 7 ()Ор)! >(пуст спад

ВЬ> ;() 1! I .> I О >! М I >, f>(. (, il;!l! >) Я>f((1! I и !i>I I I" I РМЗКС

f>

j !Bi HiI÷èB hoH tcII«HToj.(>B 3- 1;3>-и и емкостей (,(би, (и, ропов 4-1--- 4-!1, Bh,ft(i>(еl!иых В ба30в !>(>. !1(ч: il тpBH3!lcторОВ 1 - 1- I -и иск, (!Очи, io:(атЯ I l » (:: I! c (Р1эонта il. >f f .)T I>cB !! fill!>Яжсеlll ii н (! и;(г1,:, к(6 высоковольтного транзисторного исP (> h Л Ю и <1 ?? ??, i l h (..??????(!1!??!(5(?? ???????????? 0-1- ????” 5-tt-1 ?? ????????(??????????(?????????? ?????????????? ?????????????????? ???????????????? ???????????????????????? ????????????????????. ?????????????? ??!0?????! ????,iaaf).???????????????? ?????????????????????? (???? ??????! ?????????????????? il(. ??c.. ll(>(атель, так как в атом случае обратное HB(fp51жсиис, ирикладывасмос к каждому из диодов

:> !- -5-и-1 не превышает напряжения, падаюllicгО на каждом из транзисторов 1-1 — -I-п, и повышение числа транзисторов ii, соответствсн>

i(o коммутируемого !(Впряжения нс приводит и увеличению обратного напряжения на диодах

5-1 — 5-и- l.

Испытания предложенного высоковольтного транзисторного псрекл(очателя показали, что длительность фронта ), xfeIIBI! IIfлась в три (!G раза. Снижение обратного напряжения на диод(!х 5-1-- 5-и-1 позволило повысит!. )!BIvcHMB.II>:-, (,с напряжение, ком мути русмое высоковол ьтиым транзисторным переключателем.

Фор,>((/?1 а изобретения

Высоковольтный транзисторный переключатель, содержащий и-последовательно соединенных транзисторов с базовыми резисторами, ста.

20 б!(литроны, диоды и формирователь, вход которого соединен с входной шиной и базовым резистором первого транзистора, а выход — с коллектором и-го транзистора, нагрузкой и вы> ходHOH шиной, отлича(ошийея тем, что, с целью уменьшения длительности фронта выходного импульса и повышения коммутируемого напряжения, введены rl-конденсаторов, каждый из

КОТОРЫХ ПОДКЛЮЧЕН МЕЖДУ ЗМИттЕРО vl ПРЕЛЫлущего и базой последующего транзисторов. кроме последнего, который подключен между

Зр базой li-го транзистора и шиной питания, причем с .аби»!Tpoti»i вкг!к?чены между базах(1:. соселии. транзисторов, кроме последнего. котс>рый г!Одкг((очее! между базой и-транзис(ора выходной шиной. пр>(зт(>м лиоды вк ючспы

МСЖ;!М ВЫВОЛ, i,:И Оааовык 1;СЗ(!(-. О )OR Каж Е>)!! из транзисторог>

Источник((!i!(I>oj>)IBI(fill, принятые во виимаii! IC П )H ЭКСlt(ÐTÈ3(. :

1. Лвторское свиЛ(гc.tt>c; iin ((.С! >" 3 >";>. 3> кл. Н 03 К 77//008., 20.07.70.

2. Авторское свидстс IbcTB(> Е CCP ¹ 4930 !8, кл. ! 03 1(, 17/04, 2!.02.74.