Способ получения защитных рисунков с помощью сухих пленочных негативных фоторезистов

Способ получения защитных рисунков с помощью сухих пленочных негативных фоторезистов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАН

ИЗОБРЕТЕ

К АВТОРСКОМУ СВИДИТ

Сееа Советских

Социалистических рес ублик (6!) Дополнительное к авт. свид-в (22) Заявлено11.05.76 (21) 2358 с присоединением заявки № (23) ПриоритетГасударстввннмй квинтет

Свввта Мнннстрвв СССР нв делам нзвбрвтвннй н вткрмтнй (43) Опубликовано 5 О7.7йэюл (45) Дата опубликования описан

В. М. Треушинков, Н. Л.. Гусарская, А. В. Опейивк, Г, Л. Nenaaoas a В. Г. Лебеивва (72) Авторы изобретения (73) Заявитель

Горьковский государствеииьтй университет им. Н. И. Лобачевского (64) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЗАЩИТНЫХ РИСУНКОВ

С ПОМОЩЬЮ СУХИХ ПЛЕНОЧНЫХ НЕГАТИВНЫХ

ФОТОРЕЗИСТОВ

Изобретение относится к области полу- чения защитных рисунков с помощью сухих пленочных фоторезистов и может быть ис,пользовано в процессах изготовления печатных плат в радиотехнике.

Известен. способ получения защитных рисунков с помощью сухого пленочного негативного фоторезиста, светочувствительный слой которого включает полнметилметакрилат, триакрилатпентаэритрнт, 2-трет.бутилаитрахинон и пластификатор, заключающийся,в в снятнв с фоторезиста полиэтиленовой пленки-носвтеля, прикатыванни фоторезистивной. пленки металлической подложке, экспонировании ее через фотошаблон, снятии .лавсановой защитной пленки и проявлении в органических растворителях (l).

3$

Недостатком известного способа является то, что операцию проявления рисунка прстводят в токсичных органических растворителях, при этом возникает опасность otравлення рабочего персонала.

Целью изобретения является обеспечение безопасности при работе.

Поставленная цель достигается тем, что после экспонирования не позднее, чем через

4,5 — 5 мин, фоторезистивную пленку с металлической подложкой прогревают при 25

60 — 100 C в течение 3 — 0,5 мин соответственно, а операцию проявления проводят путем прикатывання к светочувствительному слою липкой ленты и последующего отдирания ее вместе с необлученнымн участками светочувствительного слоя.

Предложенный способ позволяет исключить опасность отравления рабочего персонала и получить защитные рисунки ai;окого качества.

Сущность изобретения заключается в том, что процесс формирования скрытого изображения проводят таким образом, чтобы освещенные и неосвещенные участки пленки при экспонировании через фотошаблон приобретали различную прочность сцепления с подложкой, а проявление проводят путем прикатывания липкой ленты н ее последующего отдирания вместе с участками плен. ки с меньшей прочностью сцепления с-подложкой.

Были найдено, что на отрабатываемом сухом пленочном фоторезнсте (СПФ-! ), представляющем собой композицию полиметилметакрилата, трнакрилатпентаэритрита и 2грет.бутилантрахинона,взятых в весовом соотношении I:l:О,l, и пластнфикатора, нанесенном на полнэтиленовую пленку и закры615448

Формула изобретения

Редактор Л. Емельянова

За каз 3907/37

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и. открытий

1 13035, Москва, Ж 35, Раушская наб. д. 4/5

Филиал ППП кПатентэ, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 том лавсановой пленкой, появление дифференцированной прочности сцепления облученных и необлученных участков возникает только в том случае, если после экспонирования, не позднее, чем через 4 — 5 мин фоторезистивные пленки, прикрепленные к под ложке, подвергнуть термообработке при .60 — 100С в течение 3 — 0,5 мин. Проведение такой термообработки способствует резкому увеличению прочности сцепления облученных участков пленки с подложкой. В этом случае необлученные участки пленки легко удаляются липкой лентой, тогда как облученные участки остаются на подложкЬ. 8 приведенных примерах подробно описываются способы получения негативных изображений на сухих пленочных фоторезнстах.

Пример 1. Сухой негативный фоторезнст марки СПФ-l без полиэтиленовой пленки наносят на очищенную медную подложку с помощью горячего валика при 85 С и экспонируют через шаблон на расстоянии 10 см лампой СВД-l20A в течение 40 с. Спустя

l мин подложку с фоторезистивной и лавсановой пленкой подвергают термообработке при 60 С в течение 3 мин. Далее лавсановую пленку механически снимают, а на ее место йакатывают липкую ленту. При отдиранин липкой ленты на подложке получают негативное изображение без применения какого-либо растворителя.

Прймер 2, Экспоннрованный по примеру сухой негативный фоторезнст СИФ-l спустя 3 мин подвергают термообработке при 80 С в течение 2 мин. Дальнейшие операции и результат аналогичны примеру

Пример 3, Экспонированный по примеру 1 сухой негативный фоторезист СПФ=1 спустя 5 мин подвергают термообработке при

l00 С в.течение мин. Дальнейшие операции и результат аналогичны примеру l.

Предлагаемый способ получения негативных изображений на сухих пленочных негативных фоторезистах позволяет полностью исключить применение растворителей в проФ изводстве деталей радиотехники. Это в свою очередь делает процесс получения защитных рисунков безопасным и исключает необходимость проведения каких-либо операций в специальных боксах, предусматривающих удаление испаряющегося растворителя. Последнее позволит значительно снизить затраты на организацию производства.

f$

Способ получения защитных рисунков с помощью сухих пленочных негативных фоторезистов, светочувствительный слой которых включает полиметилметакрилат, триакрилатпентаэритрит, 2-трет.бутилантрахинон и пластификатор, заключающийся в снятии полиэтиленовой пленки-носителя, прикатывании фоторезистивной пленки к металлической подложке, экспонировании ее через фотошаблон, снятии лавсановой защитной пленки и прояв

2у ленин, отличающийся тем, что, с целью обеспечения безопасности работ, после операций экспонирования, но не позднее. чем через 4,5 — 5 мин, фоторезистивную пленку с металлической подложкой прогревают при

60 — l00 С в течение 3 — 0,5 мин соответственно, а операцию проявления проводят путем прикатывания к светочувствительному слою липкой ленты и последующего отдирания ее вместе с необлученными участками светочувствительного слоя.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

ТУ б — l 7 — 104 — 74 на фоторезист

СПФ- t.

Составитель А. Круглов

Техред О. Луговая Корректор С. Шекмар

Тираж 564 Подписное