Способ отбраковки мощных транзисторов

Способ отбраковки мощных транзисторов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советсквп

Социалистических

Республик (11) 619877 (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 01,10.76 (21) 2408855/18 — 25 с присоединением заявки РЙ (23) Приоритет— (43) Опубликовано1508.78. Бюллетень № 30 (45) Лата опубликования описания 060778 (51) М. Кл.

ЦЧ)1 к 31/26

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УЛК

621.382.3 (088.8) (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) СПОСОБ ОТБРАКОВКИ МОЩНЫХ

ТРАНЗИСТОРОВ и сложной инфракрасной техники, кроме того скорость отбраковки ограничивается временем разогрева исследуемой структуры.

Известен также способ контроля транзисторов, заключающийся в измерении статических характеристик транзистора и сравнении их с эталонными (2) .

Однако этот способ не позволяет надежно выявить дефектные приборы, так как для этого необходимо снять несколько различных зависимостей и при разных режимах.

Целью изобретения является повышение скорости и эффективности отбраковки.

Это достигается тем, что по предлагаемому способу при заданном постоянном токе эмиттера измеряют статическую зависимость напряжения между эмиттерным и базовым выводами от на пряжения между эмиттерным и базовым выводами от напряжения между базовым и коллекторным выводами транзисторной

:структуры и о неисправности транзистора судят по наличию перегиба на данной зависимости.

Способ отбраковки мощных транзисторов опробован на транзисторах типов

КТ904 и КТ912.

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к способам контроля полупроводниковых приборов, и может быть использовано для отбраковки мощных транзисторов с де- 6 фектами, которые приводят к неоднородному распределению тока.

К таким дефектам в первую очередь следует отнести наличие пустот -в эвтектике под кристаллом, неоднородность10 стабилизирующих сопротивлений, а также сопротивления в области омических контактов эмиттера и базы. Наличие этих дефектов приводит к неоднородному распределению тока и существен- 15 но снижает надежность мощности транзисторов.

Известен способ контроля и отбраковки мощных транзисторов с неоднородным ,распределением тока, заключающийся в 20 контроле инфракрасного излучения, исходящего от полупроводниковой структуры fl) . В местах повышенной плотности тока, т. е. в дефектных неоднородных структурах, тепловое излучение превышает фоновое, что позволяет находить потенциально ненадежные прибоPbl, Однако этот способ может быть осуществлен только при наличии дорогой

Б. С. Кернер, Е. A. Рубаха и В. Ф. Синкевич