Способ изготовления электронного прибора

Способ изготовления электронного прибора

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистимесних

Республик (11) 621О37 (61) Дополнительное к авт. свил-ву (22) Заявлено 06.04.77 (21) 2475178/18-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 25.08.78. Бюллетень № 31 (45) Дата опубликования описания 14.07.78

Государственный комитет

Совета Мнннатров СССР ао делам нзобретеней и аткрытнй (53) УДК

621.383.032 (0888) В. A. Гаванин, И. А. Прагер и Т. А. Трофимова (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОННОГО ПРИБОРА

Изобретение относится к электровакуумной технике, в частности к способу изготовления электронных приборов с эмиссионными поверх- . ностями, активированными цезием, например, с фотокатодами и вторично — эмиссионными дино дами, Известен способ изготовления электронного прибора, в котором пары цезия при активировке получают с помощью генератора на основе помещенного в металлическую оболочку однофазного соединения церия и металла, давление паров которого значительно меньше давления паров цезия (11.

Недостатком такого способа является невозможность одновременного получения достаточного количества чистого цезия и сохранения сверхвысокого вакуума в приборе в процессе активировки эмиссионных поверхностей.

Известен также другой способ изготовления электронного прибора с эмиссионной поверхностью, включающий активировку. парами цезия эмиссионной поверхности и вспомогательного источника паров цезия на основе однофазных соединений цезия, представляющего собой напыленный на внутреннюю поверхность стек1янного баллона прибора слой вещества, обладающего низким давлением паров по сравнению с цезием и образующего с ним однофазное соединение, которое диссоциирует с выделением чистого цезия при нагреве прибора (2).

Недостатком этого способа является seвозможность регулирования количества цезия, поступающего от вспомогательного истоатика. и зависимость скорости поступления цезия от то температуры активирования эмиссионной поверхности и, как следствие этого, малая стабильность параметров.

Целью изобретения является увеличетпте стабильности параметров. т5 Это достигается тем, что после активиро6ания вспомогательного источника парами це- зия, прибор обезгаживаюг при температуре не ниже 150 С и не выше температуры разложения или испарения эмиссионной поверхности, л а затем производят активировку этой поверхности путем регулируемого нагрева вспомогательного источника паров цезия.

В процессе обезгаживания прибора при температуре выше 150 С происходит разруше, ние геттерных пленок, образованных на различ621037

1 974

Составитель В Белоконь

Техред А Алатырев

Редактор Н, Хлудова

Корректор Н. яцемирскал

Заказ 4670/49 Тираж 960 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Рвушскал наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент, г. Ужгород, ул. Проектнал; 4 ных поверхностях внутри прибора, и активная дессорбция неконтролируемых загрязнений, ко торые отгоняются иэ прибора путем откачки.

В то же время происходит частичный распад пленок, содержащих цезий, образованных на эмиссионных поверхностях во время предварительной активировки вспомогательного источника. При этом выделяется цезий„что при темперагуре выше 150 С, ведет к образованию на конструктивных элементах прибора пленок иэ хемосорбированного и растворенного цезия, !О тем самым повышается стабильность прибора.

Верхний предел используемого при обезгаживании диапазона температур определяется .необходимостью сохранения материалов, являющихся основой для изготовления эмиттирующих 15

nose ðõíîñòåé.

Примером способа изготовления электронного прибора может служить изготовление фотоприборов с сурьмяно-цезиевыми эмнттерами.

В этом случае оптимальный диапазон темпера- 20 тур при обезгаживании составляет 180 — 200 С, т. к. при температуре свыше 200 С начинается испарение слоя сурьмы. Регулируемый нагрев вспомогательного источника производят с помощью встроенного в него подогревателя. 25

Способ позволяет получить оптимальное давление свободных от загрязнений паров цезия в объеме прибора, что обесленивает улучшение и стабильность параметров электронных приборов.

Формула изобретения

Способ изготовления электронного прибора с эмиссионной поверхностьй, включающий активировку парами цезия эмиссионной поверхности и вспомогательного источника паров цезия на основе однофазных соединений цезия, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью увеличении

na6nnûðem параметров. после активировки вспомогательного источника парами цезия, прибор обезгаживают при температуре не ниже

150 С и не выше температуры pasnoxeaas или испарения эмиссионной поверхности, а затем производят активировку этой поверхности путем регулируемого нагрева вспомогательн источника паров цезия.

Источники информации, принятые во вни мание при экспертизе:

1. Патент Франции И 2189860,кл. Н 01 3 19/70, 2. Патент США йе 3858955, кл. 31б — 19, 1975.