Способ переработки сульфидных полиметаллических материалов в шихтовокислородном факеле

Способ переработки сульфидных полиметаллических материалов в шихтовокислородном факеле

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свил-ву (22) Заявлено 170377,(21) 2463784/18-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 150978.Бюллетень ¹ 34

В (45) Дата опубликования описания 3107.78

Cj 01 К 31/26

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (5З) УД 621.382 (088. 8>

Т. И. Голынная, В. Л. Приходько, Д. В ..Соболев и Л. A. Хоменко

P3} Заявитель (54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ ХАРАКТЕРИСТИК

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Изобретение относится к области электронной техники, к технологии производства полупроводниковых приборов и.может бить использовано для контроля стабильности характеристик полупроводников.

Известны способы контроля стабильности характеристик поверхности полупроводниковых приборов. K их числу относится способ определения поверхностной нестабильности полупро-. водниковых диодов ы триодов по зависимости роста мерцающего шума при обратном напряжении (1) . Данный способ имеет недостаток, который заключается в том, что шумовое напряжение иа исследуемом приборе зависит от многих факторов.

Известен способ измерения стабильности .полупроводниковых приборов путем сравнения вольт-амперных характеристик до и после пропускания через прибор прямого тока 1,5 А в течение 1,5 ч. Критерием оценки стабильности является изменение величины напряжения пробоя (2j.

Известный способ обладает следующими недостатками: во-первых, пропускание через прибор большого тока приводит к его значительному раэогреву, во-вторых, измерение напряжения лавинного пробоя часто приводит к тепловому пробою p — l1 — перехода испытуемого прибора> в-третьих . Работа диода в лавинном прсбое приводит к увеличению концентрации поверхностных состояний, что сказывается на стабильности поверхности приборами в-четвертых, значительное изменение контролируемого параметра .происходит эа продолжительный отрезок времени.

Наиболее близким к предлагаемому способу является способ контроля характеристик полупроводниковых приборов, заключающийся в измерении величины фото-ЭДС при освещении поверхности р - н -перехода (3 .

Однако, с помощью данного способа невозможно определить стабильность характеристик.

Целью изобретения является расширение;функциональных возможностей способа за счет обеспечения воэможности определения стабильности характеристик полупроволникового прибора. Цель достигается тем, что по предлагаемому способу стабильность опре- деляют по разности двух значений фото-ЭДС при освещении перехода между замерами излучением мощностью, не ни624180

1Л у пр

=З,59+ 0,91

UZ(O} lJ„„>(0) где д Ц 5„,(ма х) -U+ (0) (пр др(0) д (< ") U„ (pj U (0) „р(п н)Я (}()

-начальное и конечное значения напряжения пробоя и фото-ЭДС соответственно, Таким образом, большему дрейфу напряжения пробоя соответствует больший дрейф фото-ЭЦС. Коэффициент корреляции между этими величинами, как следует из уравнения регрессии, равен 0,91, что свидетельствует о наличии функциональной зависимости между ними.

Формула изобретения

Способ контроля характеристик поЛупроводниковых приборов; заключающийся в измерении величины фото — ЭДС . при освещении поверхности Р— И -перехода, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей способа за счет обеспечения возможности определения стабильности полупроводниковых приборов, стабильность о1 редцл ют по разности двух значений фото-ЭДС, при освещении перехода между замерами излучением мощностью, не менее чем в 10 раз превышающей мощность облучения при измерениях.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Патент ГДР В 52479, кл. 21 8 36/10, 1967.

2. Патент Японии Ь 6979, кл. 95 (5), 1966.

3. Фотоэлектрические явления в полупроводниках и оптоэлектроника.

Ташкент ФАН, 1972, с. 308-337, Аронов Д. A

2 4 6 б ld 2 O 6 8 22 2 4 б 8 Л же чем в 10 раз превышающей мощность облучения при измерениях.

Способ осуществляется следующим образом

После изготовления p ..- -П -переходов на пластине полупроводника измеряется величина фото-ЭдС при

5 освещенности Е 1 поверхности прибора, затем освещенность поверхности вблизи р -И -перехода увеличивают до зна чений Е (10+15) Е1 на время, к оторое одного порядка со временем релаксации заряда на поверхностных состояниях. После этого проводится повторное измерение фото-ЭДС при освещенности Е g поверхности прибора. Величина изменения исследуемого параметра свидетельствует о ста бильности характеристйк прибора.

Пример. Проводилась отбра+ ковка !зз< -мезадиодов 7 - И - И типа с величиной удельного сопротив- 20 ленив N -области 65 Омвсм. р -П.переход получен диффузией бора в высокоомную и -орласть. Ширина области 5 мкм, глубина залегания

- и -перехода 2,34 мкм. После изго-щ товления на пластине полупроводника меза-структур были проведены измерения начального значения напряже2 чия пробой и фото-ЭЛС при освещен-, ности 5 10 лк. Затем освещенность поверхности в течение 10 мин для всех приборов составляла 5 ° 10 лк, После

5 чего вновь измерялись фото-ЭдС при освещенности 5 10 лк и напряжение

2 пробоя диодов. 36

На чертеже представлена корреляционная зависимость дрейфа напряжения пробоя и фото - ЭДС, измеренная у

30 приборов на пластине, и которая может быть описана уравнением ре-

4<1 грессии вида.

ЦИИИПИ Заказ 5177/36

Тираж 1112 Подписное

a)

Филиал ППП Патент

В

r.Óìãîðîä,óë.Ïðîåêòíàÿ,4