Одновибратор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И С А Н И Е (и) 622I96

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВКДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Соаетскик

Саииалнстическик

Республик

"дФ =„ ii (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 04.03.77 (21) 2482629/18-21 с присоединением заявки № (51) М Кл г Н ОЗК

3/284

Государственный комитет (23) Приоритет

Совета Министров СССР (43) Опубликовано 30.08.78. Бюллетень № 32 по делам изобретений (53) УДК 621.373.5 (088,8) н открытий (45) Дата опубликования описания 27.07.78 (72) Авторы изобретения

В. С. Калмыков, И. Я. Позняковский, С. А. Чулак и В. И. Казьмин (71) Заявитель т » (1 (54) ОДИОВИБРАТОР

Изобретение относится к импульсной технике и предназначено для формирования импульсов стабильной длительности и амплитуды.

Известен одновибратор с базовыми времязадающими цспями, который, однако, имеет недостаточную стабильность длительности выходного импульса (1).

Наиболее близким техническим решением к изобретению является одновибратор, содержащий транзисторы одного типа проводимости, эмиттер первого из которых соединен с общей шиной коллектор — с эмиттером и коллектором второго транзистора, база которого соединена через резистор с шиной источника питания, а через конденсатор — с базой третьего транзистора, которая через резистор соединена с шиной источника питания, коллектор этого транзистора соединен через один резистор с шиной источника питания, а через другой резистор — с базой первого транзистора (2), Однако и этот одновибратор имеет недостаточную термостабильность длительности выходного импульса, поскольку во вре- 25 мя формирования импульса разряд конденсатора протекает через коллекторно-эмиттерный переход транзистора, падение напряжения на котором имеет температурный дрейф, вследствие чего возможно изменение длительности импульса.

Целью изобретения является повышения термостабильности длительности выходного импульса.

Для этого в одновибратор, содержащий транзисторы одного типа проводимости, эмиттер первого из которых соединен с общей шиной, коллектор — с эмиттером и коллектором второго транзистора, база которого соединена через резистор с шиной источника питания, а через конденсатор— с базой третьего транзистора, которая через резистор соединена с шиной источника питания, коллектор этого транзистора соединен через один резистор с шиной источника питания, а через другой резистор — с базой первого транзистора, введены резистор и транзистор, коллекторно-эмиттерный переход которого соединен соответственно с эмиттером третьего транзистора и общей шиной источника питания, а база через резистор соединена с шиной источника питания.

На чертеже приведена электрическая схем а одно вибр атора.

Одновибратор содержит транзисторы 1—

4, конденсатор 5, резисторы б — 10 и шины

11 — 14, соответственно входную, выходную

622196

Составитель А. Степанов

Редактор А. Купрякова

Техред О. Тюрина Корректор Е. Хмелева

Заказ 1511/9

Изд. М 605 Тираж 1087

НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва Ж-35, Раушская иаб., д. 4/5

Подписное

Типография, ир. Сапунова, 2 и питания. Шина 11 соединена с базой транзистора 1, а через резистор 8 — с коллектором транзистора 3 и шиной 12. Эмиттеры транзисторов 1 и 4, соединены шиной

14, а коллекторы — соответственно с эмиттерами транзисторов 2 и 3, базы которых соединены между собой через конденсатор

5, а с шиной 13 — соответственно через резисторы 9 и 6. Шина 13 соединена через резисторы 7 и 10 соответственно с базой 10 транзистора 4 и коллектором транзистора 3, а эмиттер и коллектор транзистора 2 объединены.

Одновибратор работает следующим образом. 15

В исходном состоянии транзистор 1 закрыт, а транзисторы 3 и 4 открыты и насыщены. Конденсатор 5 заряжен через резистор 9, базоэмиттерный переход транзистора 3 и коллекторно-эмиттерный переход транзистора 4 до напряжения,,примерно равного напряжению питания. При подаче на вход запускающего импульса транзистор

1 открывается, транзистор 3 закрывается, а конденсатор 5 разряжается через резистор 6 и транзисторы 2 и 1 до напряжения, равного потенциалу отпирания транзистора 3. В это время происходит формирование выходного импульса.

При увеличении температуры увеличивается начальное напряжение на конденсаторе 5 вследствие температурного уменьшения падения напряжения на транзисторе4.

Одновременно уменьшается падение напряжения на транзисторе 1, и, следовательно, 35

4 разряд конденсатора 5 будет происходить с меньшей постоянной времени. I àêèì образом, благодаря транзистору 4 компенсируется температурный дрейф транзистора 1, Формула изобретения

Одновибратор, содержащий транзисторы одного типа проводимости, эмиттер первого из которых соединен с общей шиной, коллектор — с эмиттером и коллектором второго транзистора, база которого соединена через резистор с шиной источника питания, а через конденсатор — с базой третьего транзистора, которая через резистор соединена с шиной источника питания, коллектор этого транзистора соединен через один резистор с шиной источника питания, а через другой резистор — с базой первого транзистора, отличающийся тем, что, с целью повышения термостабильности длительности выходного импульса, в него введены,резистор и транзистор, коллекторно-эмиттерный переход которого соединен соответственно с эмиттером третьего транзистора и общей шиной источника питания, а база через резистор соединена с шиной источника питания.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1, Яковлев В. Н. Импульсные генераторы на транзисторах. Киев, «Техника», 1968, с, 77 — 98.

2. Патент США № 3854058, кл. 307 — 273, опубл. 1974.