Способ пайки полупроводниковых кристаллов стабилитронов к металлической арматуре приборов
Патент 623240
Авторы
Способ пайки полупроводниковых кристаллов стабилитронов к металлической арматуре приборов
Иллюстрации
Реферат
(») 623240
Союз Советских
Социалистических
Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 13. 12.76 (21) 2428218/25-27 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет (43) Опубликовано05.09.78.Бюллетень № 33 (45) Дата опубликования описания 23.()3.7g.
2 (51) М. Кл.
Н 01 1» 21/04
В 23 К 31/02
Государственный комитет
Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 621.791..3 (088.8) А. А. Россошинский, В. H. Добровольский, С. П. Павлюк, В. М. Кислицын, А. Г. Мусин и В. А, Бондарев (72) Авторы изобретения
Ордена Ленина и ордена Трудового Красного Знамени институт электросварки жм. E. О. Патона АН УССР и Ордена Ленина
Киевский государственный университет им. Т. Г. Шевченко (71) Заявители (54) СПОСОБ ПАЙКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ
СТАБИЛИТРОНОВ К МЕТАЛЛИЧЕСКОЙ АРМАТУРЕ
ПРИБОРОВ
Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов и может быть использовано при сборке стабилитронов.
Известен способ сборки полупроводниковых приборов с нагревом электрическим током, проходящим в прямом направлении относительно р — и перехода (1).
Однако неравномерный нагрев контактных площадок кристалла делает невозможной одновременную пайку двуx выводов.
Известен также спосоо паики полупро10 водниковых кристаллов стабилитронов к металлической арматуре, по которому нагрев осуществляют пропусканием импульсов тока через кристалл стабилитрона в обратном направлении относительно р — и перехода (2). 15
Недостат .. указанного способа заключается в том, что для нагрева используют пробойную ветвь вольт-амперной характеристики (ВАХ). Классификационные группы стабилитронов допускают разброс значений напряжений стабилизации внутри указанных групп в пределах +15% Прн пайке кристаллов с напряжениями стабилизации (Ungag) до 50 В абсолютная величина
25 отклонений 1) стстб мало влияет на процесс пайки. С ростом ()строф классификационной группы абсолютная величина отклогпний UcNf каждого кристалла составляет значительную величину (например, при
1)стц6= — 100 В допуск 150/р дает абсолютную величину отклонений 11ст@б=- 30 В), что приводит к нарушениям р — и переходов кристаллов при определенном, заранее 3аданном для классификационной группы режиме пайки. Разбраковка высоковольтных кристаллов стабил итронов на подгруппы с целью снижения абсолютной величины отклонений U
Цель изобретения — — повышение выходя годных приборов на операции пайки, сниже623240
Формула изобретения
Составитель Ф.Конопелько
Редактор Н. Вирко Текрсд 0,"1уговая Корректор В. Сердгок
Заказ 4923/48 Тираж 950 Подписьи)е 1Н11ИГ1И Государственного ком ите а Совета Министров СССР во делам изббретений и открытий
I f 3035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Филиал Г1ПП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4 ппе градиента температуры в объеме кристыл,)ы, уменьшение разброса энергий, выделяемых в кристалле, преимущественно в кристаллах с напряжением стабилизации BI I(пе 50 В.
Поставленная цель достигается тем, что р- — и переход предварительно нагревают до температуры, обеспечивающей возрастание обратного тока р — и — перехода выше 0,5 А, а напряжение тока основного нагрева выбирак)т меньше напряжения стабилизации полуяроводниковог0 кристалла стабилитрона.
Предварительный нагрев может быть осуц1ествлен током, протека101инх! В прямом Hdправ !опии относительно р- — и-- перехода.
В этом случае обратный ток основного нагрева пропускают с задержкой после окончания тока предварительного нагрева. по величине равной или большей времени тепловой диффузии в кристалле.
Технологический цикл по описываемому способу следующий. Полупроводниковый кристалл стабилитрона укладывают между залуженными контактами металлической арматуры, сжимают сборку и нагревают р — ив переход до температуры, обеспечивающей протекание обратного тока больше 0,5 А, затем через кристалл пропускают ток в обратном направлении, причем напряжение тока выбирают меньше LcTab кристалла. То есть для нагрева сборки используют допробойную ветвь ВАХ. Поскольку напряжение основного нагрева меньше минимального 11апряжения 1 ла!ссификационной грх пны приОоров, энергия, выделяемая в кристалле, мало зависит от ВАХ структуры 1мо>кет изменяться лишь характер выделения ука3;»Iной энергии).
Предварительный нагрев р--n-перехода можно осуществлять током, проходящим в прямом направлении относительно этого переходы. При предварительном нагреве р — и перехода прямым током нельзя получить одинаковыс температуры на контактных площадках полупроводникового кристалла. Этого же нельзя добиться и при основно 1 нагреве. С целью снижения градиента 1емпературы в Объеме кр11стаС)лы после окончания предварительного нагрева прямым тс)ком обеспеч)1выют задержку обратного тока основного нагревы по времени, равную или
<н)лысую времени тепловой диффузии в
К Г) Н С т а Л. I e, Паяли полупроводниковые крис аллы стыбилитронов (классифика)!ионная группа ц817Г, U гтсФ100+-15о)/о В1 на металли. ческую арматуру нригюем H0<: -61. Г1редварительный нагрев осуществляли от конденсаторного источника питания: число импульсов 3, величина амплитуды тока 20 А, длительность каждого импульса 6 мсек. Время задержки тока основного нагрева 2 мсек, величина амплитуды тока основного нагрева 22 Л (обратная полярност1,), длительность импульса 14 мсек.
Описанный способ позволяет снизить вероятность выхода из строя высоковольтных кристаллов стабилитронов в процессе пай15
1. Способ пайки полупроводниковых кристаллов стабилитронов к металлической арматуре приборов, включающий укладку кристалла стабилитрона между залуженными де— талями прибора, сжатие их и нагрев проходящим в обратном направлении относитель25 но р — rl-пере ода током до температуры пайки, отличающиися тем, что, с целью повышения выхода годных приборов, р — п переход предварительно нагревают до температуры, обеспечивающей возрастание обратного тока р-п-перехода выц)е 0,5 А, а напряжение тока при нагреве под пайку выбирают меньше напряжения стабилизации полупроводникового кристаллы стабилитрона.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, 35 что предварительный нагрев р — п перехода проводят током, протекающим в прямом направлении относительно указанного перехода.
3. Способ по п. 2, Отличающийся тем, что, с целью снижения градиента температуры
40 в обьеме кристалла, ооратный ток основного нагрева пропуска)от с задержкой после окончания прямого тока предварительного нагпева, по величине не меньшей времени тепловой диффузии в кристалл».
45 Источники информации, принятьц во внн мание при экспертизе:
1. Авторское сьп.1с 1е,!ьство СССР ,)х)) 539483, кл., Н О1 L 7/34, 1074.
2. Заявка к в 2331817/25---27 от 04.03.76, 50 по которой принято решение о выдаче авторского свидетельства.