Устройство управления для блоков памяти на цилиндрических магнитных доменах

Устройство управления для блоков памяти на цилиндрических магнитных доменах

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ВСКСоюзнля

Ит НТНЪ,Ы.,1 .,С. лкЩ щ

ОП И КЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик (") 824294

К АВТОРСКОМУ СВИДНЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свил-ву(22) Заявлено13.10.76 (21) . 2411134/18-.24 с присоединением заявки №(23) Приоритет— (43) Опубликоваио15.09,78.Бюллетень №34 (45) Дата опубликования описания 04.08.78 (51} М. Кл.

6 11 С 11 14

Государственнмй комитет

Совета Министров СССР .оо делам изобретений н открытий (53) УДК 628.327. .6(088.8) E. И. Ильяшенко, Н. И. Кармацкий, С. Н. Матвеев, L. П. Паринов и Г. К. Чиркин (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО УПРАВЛЕНИЯ ДЛЯ БЛОКОВ ПАМЯТИ

НА БИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНАХ

Изобретение относится к области автоматики и вычислительной техники и может быть использовано при построении логических и запоминающих устройств H& цилиндрических магнитных доменах (БМД).

Известны устройства управления продвижением UNQ, в которых канал продвижения 11MQ выполнен в виде магнитомяг ких аппликаций Т, I Х - образной или шевронной формы (11

Однако: область устойчивой работы устройств с каналами продвижения БМД на аппликациях мала.

Известно устройство управления для блоков памяти на цилиндрических магнитных доменах, содержащее пластину магнитоодноосного материала с расположенной на ней пластиной немагнитного материала с аппликациями из магнитомягкого материала, отстоящими одна от другой на расстоянии (0,1-1) Ык<цк с периодом Л - Зс1„о „, гдес1щ, -номинальный диаметр цилиндрических магнитных доменов в пластине магнитоотдноосного материала (2) .

В указанном устройстве магнитомягкие аппликации канала продвижения

БМД выполнеиыввиде замкнутых фигур, контуры которых с некоторым приближением могут быть аппроксимированы участками эллипсов, расположенными иод разным углом наклона один относительно другого, и различными длинами главных осей. фо Область устойчивой работы устройств на БМД в указанном случае расширена, однако технология этого устройства сложная, кроме того, конфигурация аппликаций содержит предпосылки к существенно неравномерному движению UMQ. целью 1 изобретения является расширение областй устойчивой работы и упрощения технологии изготовления устройства управления для блоков памяти на БМД.

20 Это достигается тем, что аппликации из магнитомягкого материала выполнены, в форме. замкнутых фигур, ограничен. ных частями двух групп эллипсов, причем центры первой группы эллипсов рас25 положены на одной поямой и главные оси

624294

Напрабпение. Составитель А. Романова, Редактор Т. Янова Техред О. Андрейко КорректоР E. Лапп

Заказ 5196/43 Тираж 717 Подписное

БНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 имеют длины (0,9-1,3) Л для большой оси и (0,45-0,8) Л для малой оси, наклон большой оси по отношению к прямой, на. которой расположены центры первой о о группы эллипсов от 90 до 180, длина главной оси второй группы эллипсов от ограничивающих фигуры аппликаций (0,9-1,6)Л для большой оси и (0,45-1}A для малой оси, соответственно параллельны главным осям первой группы эллип- сов и смещены относительно больших осей первой группы эллипсов на {0,05-2)Я относительно малых осей первой группы эллипсов на (О, 1 5-0, 3) Л

На чертеже дана конфигурация магнитомягких аппликаций канала продвижения устройства управления для блоков памяти на ИМД. (пластинка магнитоодноосного и немагнитного материалов на чертеже не показаны).

При приложении равномерно вращающегося поля управления в плоскости магнитоодноосной пластины в устройстве из- за намагничения аппликаций возникают области пониженной энергии — магнитостатические ловушки (МСЛ). Величина и положение МСЛ изменяются вслед за изменением положения вектора поля управления.

ШЧД в пластине магнитоотдноосного материал стремятся занять позицию, в которой их энергия минимальна, то есть стремится попасть в область МСЛ.

Скорость перемещения и величина

МСЛ определяют скорость перемещения .и диаметр UNll, и существенно влияют на область устойчивой работы устройств

1 иа ЦМД.

Формулa изобретения

Устройство управления для блоков памяти на цилиндрических магнитных домем нах, содержащее пластину магнитоотдноосного материала с расположенной на ней пластиной немагнитного материала с аппликациями из магнитомягкого материала, отстоящими одна от другой на

% расстоянии (0,1-1) д„омс периодом

Л Зд„о„„гдето,о,„- номинальный диам метр цилиндрических магнитных доменов в пластине. магнитоодноосного материала, отличающаяся тем,что, 10 с целью расширения области устойчивой работы и упрощения технологии изготовления устройства, аппликации из магнитомягкого материала выполнены в форме замкнутых фигур, ограниченных частями

15 друх групп эллипсов, причем центры первой группы эллипсов расположены на одной прямой и главные оси имеют длины (0,9-1,3) Л для большой оси и (0,45-0,8)Л для малой оси, наклон боль-,с шой оси по отношению к прямой, на которой расположены центры первой группы о эллипсов от 90 до 180, длина главной оси второй группы- эллипсов, ограничивающих фигуры аппликаций, 1$ . (0,9-1,6) Л для большой оси и (0,45-1) Л для малой оси соответственно параллельны главным осям первой группы эллипсов и - смещены относительно больших осей первой группы эллипсов

30 на (0,05-2) Л, относительно малых осей первой группы эллипсов на (0,15-0,3) Л.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1.A 1P Con fe ге псе Р госе e ding

4 5, 19И: А. ЬстЬес1с,R.Fisher а д3. бттО .

2. I. E E E Trans on Mag net ice Vot.

М А Q "3 22, л/ 6 р.61, 4 9 76.