Устройство защиты ключевого транзистора
Иллюстрации
Реферат
625286 пряжения база-коллектор ключевого транзистора 3 фиксируется также отпиранием управляющего перехода база-эмиттер защищающего транзистора 2. При этом избыток отпирающего базового тока, создаваемого в выходной цепи формирователя 1, ответвляется через защищающий транзистор 2 в коллекторную цепь ключевого транзистора 3, тем самым ограничивая степень его глубокого насыщения и уменьшая потери ключевого транзистора 3. Одновременно отпирание защищающего транзистора 2 по открывающейся цепи его коллекторного перехода приводит к замыканию фиксирующей цепи гальванической обратной связи по дополнительному входу формирователя 1, закрепляя ее открытое состояние, созданное первоначально поданным отпирающим импульсом. В таком включенном состоянии формирователь 1 и открытый ключевой транзистор 3 (при отсутствии его токовой перегрузки) пребывают неограниченное время до прихода запирающего импульса управления на управляющий вход формирователя 1, ес.. . формирователь бистабильный, то есть с двумя устойчивыми состояниями. В случае выполнения формирователя моностабильным время его включения и соответственно интервал открытого состояния ключевого транзистора 3 определяется внутренней уставкой выдержки времени, определяемой параметрами времязадающей цепи формирователя 1.
Появление же токовой перегрузки открытого ключевого транзистора 3 на любой стадии работы включенного формирователя 1 приводит к увеличению его коллекторного потенциала и в момент выхода ключевого транзистора 3 из режима насыщения (при
Vi,$=. О) фиксируется запиранием управляющего перехода эмиттер-база защищающего транзистора 2. При этом включение вентиля 5 в цепь базы ключевого транзистора 3 компенсирует (при их открытом состоянии) падение напряжения на вентиле 4, позволяя тем самым более четко фиксировать момент возникновения перегрузки ключевого транзистора 3.
Запирание защищающего транзистора 2, происходящее при токовой перегрузке открытого ключевого транзистора 3, приводит далее к запиранию цепи его гальванической обратной связи по цепи коллектора с формирователя 1, что приводит к его переключению в закрытое состояние и форсированному запиранию ключевого транзистора 3, обеспечиваемому при исчезновении отпираюшего импульса базового тока активным воздействием цепи его запирающего источника 6 и резистора 7.
Токовая уставка срабатывания устройства защиты является «плавающей», то есть зависящей от усилительных свойств ключевого транзистора 3. Поэтому при постоянной амплитуде импульса отпирающего базового тока, создаваемого формирователем 1, уровень максимального коллекторного тока
20 и соответственно величина максимальной мощности, выделяемой на нагрузке 8, будут пропорциональны коэффициенту усиления по току ключевого транзистора 3.
При использовании предложенного устройства значительно повышается КПД.
Фор мула изобретения
Устройство зашиты ключевого транзистора от токовых перегрузок, содержащее формирователь управляющих импульсов и защищающий транзистор, отличающееся тем, что, 30 с целью повышения КПД, в нем между эмиттером защищающего транзистора и коллектором ключевого транзистора и между оазами защищающего и ключевого транзисторов включены соответствующие вентили, а формирователь управляющих импульсов включен между коллектором и базой защищающего транзистора.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:
1. Патент Великобритании X 103977, 40 кл. Н 3 Т, 1964.
111111И11И За каз 5416/44
Тираж 892 11одяисное
Фil.iiiал ППП Патент., г. Уж город, ул. Проектная, 4