Установка для изготовления цилиндрических тонких магнитных пленок

Установка для изготовления цилиндрических тонких магнитных пленок

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП И

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Соцк&лмстимеских

Республик (» 627189

4 и АВТОРСКОМУ СВНДЕТВДЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свил-ву— (22) Заявлено 04.04.77 (21) 2473671/22-02 (51) М. Кл с присоединением заявки №вЂ”

С 25 .О 21/12

G, 01 R 33/02

Государственный комитет

Совета Министров СССР оо делам изобретений н отнрытий (23) Приоритет— (43) Опубликовано 05.10.78.Бюллетень № 37 (45) Дата опубликования описания 04.09.78 (53) УДК 621.357. .53 (088,8) (72) Авторы изобретения

М. С. Штельмахов и Л. Т. Льсь!й (71) Заявитель (54) УСТАНОВКА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

ЦИЛЙНДРИЧЕСКИХ ТОНКИХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНОК

Изобретение относится к гальванотехнике и может быть использовано при нанесении на изделия гальванических магнитных покрытий заданной толщины и свойств в приборостроении и, в частноститв вычислительной технике.

Известна установка, содержащая механизмы смать>вания и протяжки проволоки-подложки, последовательно расположенные ячейки подготовки подложки, электролитического осаждения немагнитного подслоя электролнтического осаждения магнитной пленки, нанесения и сушки алектровлагозащитного поКрытия, термомагнитной обработки,и источник тока 11.

Недостаток известной установки состоит в том, что в ячейке электролитического осаждения магнитной пленки с течением времени происходит изме. нение электролита и, следовательно, возникает неоднородность свойств участков осаждаемой пленки, 2

Целью изобретения является повыше-, ние однородности свойств участков, ожидаемой пленки.

Поставленная пель достигается тем, что установка снабжена узлом контроas однородности свойств участков осаж- даемой магнитной пленки по магнитному потоку насьпдения и формирования сигнала управления и узлом управления токами осажцения немагнитного подслоя

1р и магнитной пленки, причем узел контроля однородности свойств и формирования сигнала управления размещен после ячейки электролитического осаждения магнитной пленки и его выход соеди>S нен со входом узла управления, ко второму входу которого подключен выход источника тока, один выход узла управления подключен к ячейке электролитического осаждения немагнитного поцслоя, 20 а другой к ячейке осаждения магнитной пленки.

На чертеже представлена блок-схема предлагаемой установки.

627189

Установка содержит механизм 1 сматывания проволочной подложки, механизм

2 протяжки проволочной подложки, ячейку Э подготовки подложки, ячейку 4 для электролитического осаждения немагнит- S ного подслоя, ячейку 5 для электролитического осаждения магнитной пленки, узел

6 контроля однородности свойств участков осаждаемой пленки и формирования сигналов управления, узел 7 управления 10 режимами процессов электролиза ячеек осаждения немагнитного подслоя и магнитной пленки, источник 8 тока, ячейку 9 нанесения и сушки электровлагозащитного покрытия, ячейку 10 термомагнитной обработки и проволочную подложку 11 для нанесения магнитной пленки.

Проволочная подложка 11 иэ немагнитного материала с механизма 1 сматывания непрерывно протягивается в осевом направлении механизмом 2 протяжки и последовательно проходит через ячейку 3 подготовки подложки, где она, очищаясь от грязи и окиси, проходит операции электротравления, электрополировки и промывки водой, ячейку 4 предварительного электролитического осаждения немагнитного подслоя ячейку 5

30 электролитического осаждения магнитной пленки, узел 6 контроля свойств участков осаждаемой пленки, ячейку 9 для нанесения и сушки электровлагозащитного покрытия и ячейку 10 термомагнит35 ной обработки.

Сигнал, пропорциональный контролируем ом у парам етру, наприм ер, м аг нитном у потоку насыщения, участка осаждемой пленки с выхода узла 6 контроля и фор40 мирования сигнала угравления поступает на вход узла 7 управления режимами процессов электролиза ячеек 4 и 5 электролитического осаждения немагнитного подслоя и магнитной пленки, например

4S управления режимами токов осаждения ячеек 4 и 5. Узел 6 формирует сигнал управления посредством сравнения сигнала пропорционального контролируемому параметру с опорным уровнем сигнала или с сигналом, пропорциональным однородности свойств участков эталонного образца ЦТМП. Сформированный узлом 6 сигнал является показателем однородности свойств участков осаждаемой пленки и воздействует на изменение режимов процессов электролиза ячеек 4 и 5 изменением токов осаждения в.них.

При отсутствии си1 нала управления в узле 6 изготовление цилиндрических тонких магнитных пленок происходит при режимах электролиза, обеснечивак щих требуемую однородность свойств участков осаждаемой пленки, 1

Использование новых устройств узла

6 контроля однородности свойств участков осаждаемой пленки и формирования сигналов управления и узла 7 управления режимами процессов электролиза ячеек

4 и 5 осаждения немагнитного подслоя и магнитной пленки выгодно отличает предлагаемую установку для изготовления цилиндрических тонких магнитных пленок от известного устройства, так как позволяет уменьшить неоднородность магнитных свойств участков осаждаемой магнитной пленки, В результате чего снижается неравномерность параметров участков осаждаемой пленки, определяющих область устойчивой работы элементов памяти запоминающих устройств на цилиндрических тонких магнитных пленках, что увеличивает сферу применения образцов этих пленок в накопителях информации вычислительных машин и устраняет необходимость разработки ряда накопителей информации, Формула изобретения, Установка для изготовления цилиндрических тонких магнитных пленок, содержащая. механизмы сматывания и протяжки проволоки-подложки, последовательHD расположенные ячейки подготовки подл ожки, электрол итнческого осаждения немагнитного подслоя, электролитического осаждения магнитной пленки, нанесения и сушки электровлагозащитного покрытия, термомагнитной обработки,и источник тока,. отличающаяся тем, что, с целью псрышения однородности свойств участков осаждаемой пленки, она снабжена узлом контроля однородности свойств участков осаждаемой магнитной пленки по магнитному потоку насыщения и формирования сигнала управления и узлом управления гоками осаждения нем а гнитн or о подсл оя и магнитной пленки, причем узел контроля однородности свойств и формирования сигнала управления размещен после ячейки электролитического осаждения магнитной пленки и егo выход соединен со входом узла управления, ко второму входу которого подключен выход источ62 189 ника тока, один выход узла управления подключен к ячейке электролитического осаждения немагнитного подслоя, а другой — к ячейке осаждения магнитной пленки.

Источники информации, принятые В0 внимание при экспертизе..

I.Anton BoPnPein,Уиt He stePPung дар Иаjnetcchicht.Ж аЦ„Са fvonotechn k;

1972, т, 63, N. 2, 144-150.

Составитель А. Абросимов

Редактор Н. Самедова Техред Э. Чужик Корректор Л, Василина

Заказ 5580/31 Тираж 738 Подписное

Ш1ИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., а. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4