Способ записи информации на тонкопленочный ферромагнитный носитель
Иллюстрации
Показать всеРеферат
Союз Советских
Социалистических
Республик (i i i 62 7 530
{6l) Дополнительное к авт. саид-ву— (22) Заявлено 11.05.76 (21) 2366274/18-10 с присоединением заявки №вЂ” (3} Приоритет— (43) Опубликовано 05.10.78рюллетень № 37 (51) M. Кл
Q 11 В 11/02
Государственный квинтет
Совета Министров СССР оо делам изобретений н открытий (53) УДК 681.84.001. .2(088.8) (45) Дата опубликования описания 18.08.78 (72) Авторы изобретения
A. И. Ушаков, В. А. Буравихин, В. Г. Казаков и А. М. Горовой
Иркутский государственный педагэгический институт (71) Заявитель (54) СПОСОБ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ HA ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ
ФЕРРОМАГНИТНЫЙ НОСИТЕЛЬ
Изобретение относится к эбласти приборостроения и может быть использэванэ при записи цифровэй -информации в вычислительной технике.
Известны спосэбы записи инфэрмации путем разрушения нэсителя импульсным электрическим разрядом (1) или путем прожигания алектронным лучом f2).
Наибэлее близким к предлэженнэму по своей технической сущности является спо- д соб записи информации на тонкопленочный ферромагнитный носитель с испольээванием луча лазера (3).
Недэстатком способа является неэкэномичность и низкая плотность записи. \5
Iles þ изобретения является пэвышение акэнэмичности и плотности записи.
Поставленная цель достигается за счет тэго, что запись осуществляют путем нагрева локальных участков желеээникеле- 2О ваго нэсителя тэлшиной 100-5000 А дэ температуры фазового перехода объемнэцентрирэваннэй кубической в гранецентрированную кубическую решетку, равной
600-700 С. 25
Инфэрмацию записывают лучом лазера на тонкопленочный носитель, изготовленный из сплавов на основе железа с объемнэ-центрирэванной кубической (ОЦК} решеткэй, в котэрых при нагревании наблюдается переход в гранецентрированную кубическую (ГПК) решетку, которая в пленках сохраняется при охлаждении дэ комнатной температуры. Фазовый переход, происхэдящий с большой скоростью беэ разрушения материала и изменения
его химического состава при сравнительно низкой температуре нагрева (600о
700 С), приводит к резкому изменению магнитных и алектрических свэйств носителя. Используют полученные термическим нспарителем в вакууме тонкопленочные носители иэ железоникелевых сплавэв с ОПК решеткой. Носители Ге И
ОПК структурой эбладают высокой намагниченнэстью насышения. После о этжига до 600-700 С в них осушествляется мартенситный ОПК- ГПК фазовый переход. B тонкопленочных носителях Bb!cэкэтемпературная ГПК фаза со627530
Составитель В. Мусавлян
Редактор В. Филиппова Техред 3. Чужих Корректор Й. Мельниченко
Заказ 5634/50 Тираж 717 П одписное
ЦНИИПИ Государственного кэмитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Филиал ППП Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4 храняется при охлаждении до кэмнатной температуры. П осле ОЦК- ГЦК перехода намагниченность пленок с содержанием никеля менее 27 % равна нулю, а с концентрацией никеля от 27 до 35 % намагниченнос.гь пленок с UK структурой значительно меньше, чем в тех же образдах с OUK структурой. Облученные участки пленки становятся немагнитными и на фоне магнитной матрицы, соответствуюшей, например, "О, являются носителяинформадии - соответствую 1 — в двоичной системе.
Информашпо воспроизводят индукционным и магнитооптическим методами.
На чертеже иээбражена блок-схема устройства, реализующего предлэженный спэсэб. л
Информяпня в двоичной системе записывается лазером 1, который управляет20 ся блоком 2 записи. Для записи единицы информапии (1") лазер нагревает участок носителя 3 до температуры ОПК-ГАГИК перехода. Движение носителя относитель2$ но неподвижного лазера осушествляется блоком управления дшпкения носителя 4.
Предложенный способ значительно сййжает затраты энергии при записи и увеличивает плотность записи до 10 - 10
7 бит/см, Формула изобретения
Способ записи информапии на тонкопленочный ферромагнитный носитель с использованием луча лазера, о т л и ч аю m и и с я тем, чтэ, с целью повьппения экономичности и плотности записи, запись осушествляют путем нагрева локальных участков желеэоникелевого носиO тели толшиной 100 5000 А до темпера» туры фазового перехода объемно-центрированной кубической в гранецентрнрованную кубическую решетку, равной 600700 С.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:
1. Авторское свидетельство СССР № 177158, кл. Q Il В 11/16, 1964.
2 ° Авторское свидетельство СССР № 315210, кл. (j 11 С 11/00, 1969.
3. Белов Э. Н. Тенденпия развития
UBM рекордной производительности. Зарубежная радиоэлектроника", 1975, № 8, с. 15-31.