Динамический элемени памяти

Динамический элемени памяти

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О Л И С А" И"Й Е

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Соеетскмк

Соцмалмстммескмк

Республик (} }} 627541 (6}) Дополиительиое к авт. свиа-ву(22) Заявлено 11.05.76 (21) 2359814/18-24 с присоедииеиием заявки №вЂ” (23) Приоритет— (51} М. Кл

G 11 С 11/40

Гооударотвенаый комитет

Соаета Мкиестраа СССР оо делам иэооретеиик и открытий

" "" "" 05 1-0 78.6юллетеи е 37 (53) УДК 681 327 66 (088.8) (45) Дата опубликоваиия описания 18 08 -.8 (72) Авторы изобретения

H. А, Подопригора, В. В. Баринэв и A. А. Орлнкэвский (71) Заявитель

Московский институт электронной техники (54) ДИНАМИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ

Изобретение относится к полупроводниковым схемам памяти на биполярных транзисторах, может быть испэльзоввно в различнътх устройствах,кранения информации. 5

Известны динамические элементы памяти (ДЭП) на бипэляоных полупроводниковых приборах (1). В каждом из них информация хранится в виде заряда на емкости обратносмещенногэ р-п-перехода, Наиболее близэк к предлагаемому динамический элемент памяти, содержвший и-р-и транзистор, эмиттер которогэ сэе"диней сэ словарной шиной, коллектор — с разрядной шиной, а база — с катодом т5 диода, причем анод диода соединен с адресной шиной (2).

Для управления этим ДЭП используются три шины с большим кэличеством пересечений, чтэ снижает надежность элемента и увеличивает габариты запэминаюшего устрэйства (ЗУ).

Кель изобретения — повышение надежности элемента. Достигается она тем, чтэ анод диода подключен к эмиттеру транзистора.

На фиг. 1 представлена принципиальная электрическая схема предлагаемого

ДЭП, пв фиг. 2 — временная диаграмма

его работы.

ДЭП содержит (т-р-и транзистэр 1, барьерную емкость 2 базэ-кэллектэрного р-тт-перехода (BMKocTb хранения); диод

3, словарную шину 4, разрядную шину 5.

К словарной шине подключены эмиттер транзистора и внэд диода, катод диэда подключен к базе транзистора, а коллектор пэследнегэ — к разрядной шине.

На диаграмме обозначены:Q — изменение напряжения не словарной шине

4, б — изменение напряжения на разрядной шине 5, в — изменение тока в разряднэй шине 5, Предлагаемый элемент памяти работает следуюшим образом.

На этапе 3< записывается единица. Р это время повышается напряжение на слэварнэй шине 4 и понижается нв разрядной шине 5, открывается диод и заряжа627541

Составитель H. Подопригора

Редактор Б. Федотов Техред H. Бабурка Корректор Д. Мельниченко

Заказ 5634/50 Тираж 717 Подписное

UHI ИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушскаи наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 ется емкость. На этапах < и „ обеспечивается режим хранения.

На этапе t> происходит считывание еди ницы за счет понижения потенциала на самовар ной шине 4. Емкость перезаряжается че рез базовую цепь и эмиттерный p-ri-пере- ход транзистора, усиливается, и в разряд)ной шине 5 появлиется импульс тока 2.

На этапе g> считывается нуль, и в разрядной шине 5 появляется импульс помехи д, который во много раз меньше

1О импульса r, Благодаря уменьшению количества шин управления ДЭП сокращаются площадь ДЭП и ИС, количество взаимопересе 5 чений шин управления и существенно цовышается надежность 3 на предлагаемом

ДЭП.

Ф ормула изобретения . Динамический элемент памяти, содер. жащий -рд транзистор, эмиттер котр рого соединен со словарной шиной, коллектор - с разрядной шиной, а база — с катодом диода, отличающийся тем, что, с целью повышения его надежности, анод диода подключен к эмиттеру транзистора.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Патент США М 3898483, 307-238, 18.10.73. ,2, Заявка Франции Ы 2248579, кл. Cj 11 С 11/40, 20.06:75.