Управляемый фантастронный генератор

Управляемый фантастронный генератор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

И ЗОЬРЕТЕ Н ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДИТВДЬСТВУ

Союз Советских

Социалмстим вски«

Рвсдубвик (11) 62757 1

"""- е (51) M. Кл.

Н 03 К 4/50 (61) Дополнительное к авт. свил-ву (22) Заявлено13.12.76 (21) 2428257/18-21 с присоединением заявки №(23) Приоритет(43) Опубликовано 05.10.78 Бюллетень № 37 (45) Дата опубликования описания 14,08.78 аеудврвтвеннай нем«тат

Севета Мин«атрее СССР вр делам изабретенив и еткрмтнй (5Ç) УДК 621.374..3(088.8) (72) Авторы изобретения

Н. Н. Егорцев и В. Г. Анучин (71) Заявитель (54) УПРАВЛЯЕМЫЙ ФАНТАСТРОННЫЙ ГЕНЕРАТОР

Изобретение относится к импульсной технике.

Известен управляемый фантастронный генератор, содержащий несколько транзисторов разного типа проводимости, соединен- 5 иых между собой через резисторы, времязадающую RC-цепь и развяэываюшие це Г13.

Данный генератор не обеспечивает необходимых параметров выходного сигнала. 1о

Наиболее близким по технической сущности является фантастронный генератор, содержащий три транзистора и-р-и типа про-водимости, эмиттер первого из которых сое åH с коллектором второго и эмиттером tS третьего транзистора, один транзистор р-п-р типа поводимости, включенный по схеме с общим эмиттером, в коллекторную цепь которого включены последовательно два резистора, точка соединении которых . соединена с базой первого из транзисторов и-р-и типа проводимости, коллектор которого подключен к. точке соединения первого и второго резисторов трехрезисторного делителя напряжения, а база тре- 25 тьего транзистора п-р-п типа проводимости соединена с точкой соединения третье- . го и второго резисторов делителя напряжения, времязадающий конденсатор, подключенный к коллектору третьего транзистора и-р-п типа проводимости и времязадаюшей реэисторной цепи, диод, включенный между коллектором третьего транзистора п-р-п. типа проводимости и базой транзисто« ра р-и-р типа проводимости, соединенной через резистор с базой второго транзистора п-р-и типа проводимости 121

Недостатком этого генератора являет» ся недостаточная точность управления частотойй.

Белью изобретения является повышение точности управления частотой генерации.

Эта цель достигается тем, что в управляемый фантастронный генератор, содержащий три транзистора и-р-п типа проводимости, эмиттер первого иэ которых соединен с коллектором второго и эмиттером третьего транзистора, один транзисторр и-р типа проводимости, включенный по схеме с общим эмиттером, вколлекториую

627571 цепь которого включены последовательно два резистора, точка соединения которых соединена с базой первого иэ транзисторов п-р-и тина проводимости, коллектор которого подключен к точке roåäèíåíèà первого и втoporo резисторов трехрезисторного делителя напряжения, а база тре тьего транзистора и-р-п типа проводимости соединена с точкой соединения третьего и второго резисторов делителя напряжения, времязадаюший конденсатор, подюаоченный к коллектору третьего транзистора п-р-и типа проводимости и времязадаюшей резисторной цепи, диод, включенный между коллектором третьего тран>5 зистора и-р-и типа проводимости и базой транзистора р-пр типа проводимости, сос» дииеяиой через резистор с базой второго транзистора п-р-и типа проводимости, введены дополнительный транзистор р-и-р ти20 па проводимости и полевой транзистор, затвор которого соединен с коллектором первого транзистора и-р-п типа проводимости, а исток — с времязадающим конденсатором и базой дополнительного тран25 зистора р-и-р типа проводимости, эмиттер которого подключен к.базе второго транзистора и-р-и типа проводимости, при этом сток полевого транзистора и коллектор до-. полнительного транзистора р- -p типа

30 проводимости соединены с обшей шиной.

На чертеже приведена принципиальная электрическая схема описываемого фантастронного генератора.

Генератор содержит транзисторы 1-3

35 и-р-и типа проводимости, транзистор 4 р-и-р ртипа проводимости, времязадаюший конденсатор 5, диод 6, второй гранэистор

7 р-п-р типа проводимости, полевой транзистор 8, резисторы 9-19.. Управляющий ,4О сигнал подан на входную шину 20. Выходной сигнал снимается с выхода 21.

Принцип работы генератора заключается в следующем.

Выходное напряжение U в начальный вых 45 момент переходного процесса определяется величиной напряжения конденсатора 5, эаряжаемого через полевой транзистор 8, и оно равно максимальной величине. В переходном режиме выходное напряжение

U.падает,,если входное напряжение И Хх вы больше некоторого напряжения И,, то

U стремится к нулю, если же Ug меньЬ3 h 3( ше Ц вЂ” к конечному значению.

Заряд времяэадаюшего конденсатора 5

0 происходит при запертом транзисторе 3.

В качестве резистора эмиттерной связи используются последовательно включепны коллекторно-эмиттерный переход транзис .тора 2 и резистор 14. Переход из первого устойчивого состояния, которому соответствует прямой ход пилообразного напряжения или усилительный режим при открытом транзисторе 3, во второе, когда транзистор 3 закрывается, а транзистор 1 открывается, осуществляется за счет относительно медленного уменьшения напряжения на базе транзистора 3.

Обратный переход из второго и первое происходит эа сыет уменьшения напряжения на базе транзистора 1 до напряжения на базе транзистора 3. Процесс опрокидывания протекает самопроизвольно благодаря наличию связи через эмиттеры транзисторов

1 и 3, осуществляется благодаря наличию резистора 14 в цепи амиттера транзистора 2.

С момента времени Т, которому соот0 ветствует конец заряда конденсатора 5 и переход в первое состояние с одновременным закрытием полевого транзистора

8, начинается переходной процесс, при котором выходное напряжение Ц,„падает, что соответствует прямому коду пилообразного напряжения.

И момент времени Т выходное напряжение U „падает ниже базового напряжения транзистора 3, и последний переходит в режим насыщения. После этого базовое напряжение транзистора 3 начинает падать иэ-за резкого увеличения базового тока, В момент времени Т5 базовые напряжения транзисторов 3 и 1 сравниваются и происходи= переход во второе состояние, при котором транзистор 3 закрывается, а полевой транзистор 8 открывается и начинается заряд конденсатора 5, т.е. обратный ход пилообразного напряжения. В момент времени Т>, когда выходное напряжение Ц „начинает превышать напряжение источника питания Ей (не показан), диод 6 открывается, транзистор 4 закрывается. Базовое напряжение транзистора

1 падает ниже базового напряжения транзистора 3, происходит переход в первое состояние с одновременным закрытием полевого транзистора 8. На атом заканчивается полный цикл колебательного процесса. Если на входную шину 20 подать входное напряжение Ц g то выходное напряжение Ц z. упадет только до базового

ОЫX напряжения транзистора 1, колебательный процесс прекратится и фантастронный генератор перейдет в усилительный режим.

Формула изобретения

Управляемый фантастронный генератор, содержащий три транзистора и-р-и типа

627 57 1

Еч бмх

Составитель В. егоpoaa

Редактор О. Филиппова Техред Е. давидович Корректор Л. Кравченко

Заказ 5638/52 Тираж 1087 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам.изобретений и открытий

1 13035, Москва, Ж-35, Рвушская наб., n. 4/5

Филиал ППП Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 проводимости, амиттер первого из которых соединен с коллектором второго и амиттером третьего транзистора, один транзистор р-и-р типа проводимости, включенный по схеме с обшим амиттером, в коллекторную цепь которого включены последовательно два резистора, точка соединения которых соединена с базой первого из транзисторов и-р-п типа проводимости, коллектор которого подключен к точке соединения первого и второго резисторов трехрезисторного делителя напряжения, а база третьего транзистора ð-п типа проводимости соединена с точкой соединения третьего и второго резисторов трехрезисторного делителя напряжения, времязада15 ющий конденсатор, подключенный к коллектору третьего транзистора п-р-п типа проводимости и времязадаюшей резисторной цепи, диод,; включенный между коллектором третьего транзистора -p-п типа проводи20 мости и базой транзистора р-п-р типа проводимости, соединенной через резистор с

Е2 базой второго транзистора п-р-и ти и проводимости, о т л н ч а ю ш и и с я тем, что, с целью повышения точности управления частотой генерации, в него введены дополнительный транзистор р-и-р типа проводимости и полевой транзистор, затвор которого соединен с коллектором первого транзистора и-р-и типа проводи-мости, а HcTDK - с времязадвющим конден--. сатором и базой дополнительного транзистора р-п-р тида проводимости, эмиттер которого подключен к базе второго, транзистора и-р-п типа проводимости, при атом сток полевого транзистора и коллектор дополнительного транзистора р-и-р типа проводимости соединены с об пей ти» ной.

Источники информации, принятые во внимание при акспертизе:

1, Патент США М 36 81622, кл. 307-27)3, 27.06.72.

2. Авторское свидетельство СССР

N 382226, кл. Н 03 К 4/50, 14.02.72.