Измерительный преобразователь напряжения
Иллюстрации
Показать всеРеферат
629508
Формула изобретения
Составитель Ф.Цареградский
Редактор T.Èâàÿîâà Техред,Н.Бабурка Корректор Л.Веселовская
Заказ 6062/40 . Тираж 1112 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва. Ж-35, Раушская наб., д.4/5
Филиал ППП Патент, r.Óæãîðîä, ул. Проектная, 4. дывая электрическое псле. Изменение й, естественно, приведет к изменению коэффициента отражения. Таким образом, :если световой поток падает на крисI талл под некоторым постоянным углом, то, прикладывая к кристаллу электрическое поле, можно управлять интен- 5 сивностью отраженного от него света.
В сегнетоэлектрических кристаллах изменение показателя преломления происходит скачком, когда электрическое поле достигает величины коэрци- 10 тивного поля Ек,причем эти изменения зависят от полярности приложенного напряжения. Вследствие этого зависимость интенсивности отраженного света от переменного напряжения, при- у ложенного к сегнетоэлектрику, имеет гистерезисный характер.
Измерительный преобразователь работает следующим образом.
Непрерывный светово и поток-, идущий от источника 1, падает на грань сегнетоэлектрического кристалла 2 под соответствующим углом. Если .к электродам 3 приложено питающее синусоидальное напряжение О и аналоговое напряжение U ; то при отражении от кристалла непрерывный световой поток преобразуется в импульсы света, в длительности которых заключена информация о напряжении 0
Нредлагаемый преобразователь превосходит прототип по точности. Это обусловлено тем, что форма выходного импульса предлагаемого преобразователя определяется только состоянием отражающей поверхности кристалла, в то время как работа прототипа зависит и от состояния поверхности кристалла и от качества (дефектности) объема кристалла.
Кроме того, предлагаемый преобразователь может работать как в поляризованном так и обычном (естественном) свете, Последнее позволит работать без поляроидов. Это .обусловливает более высокую надежйость устройства, так как поляроиды являются термически нестойкими элементами и при работе на высоких частотах возможна их деградация из-за разогрева кристалла, к которому примыкают поляроиды.
Кроме того„ введение в предлагаемый преобразователь дополнительных сегнетоэлектрических кристаллов позвалит расширить его функциональные возможности.
Измерительный преобразователь напряжения, содержащий источник света, сегнетоэлектрический кристалл,с электродами и фотоприемник, о т л и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения точности преобразования, источник света и светоприемник рас положены по одну сторону кристалла симметрично нормали к его грани под
7. глом .9 к этой нормали, при этом
>avctg n, где и - показатель прелбмления сегнетоэлектрического кристалла.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:
1. Мирский Г.Я. Радиоэлектронные измерения. М., Энергия, 1975 с. 296.
2. Авторское свидетельство СССР
Р 529429, МКИ Ц01 R 19/26; 23.09.75.