Негативный фоторезист
Иллюстрации
Показать всеРеферат
Союз Советских
Социалистических
Республик
О П И C А Н И Е((>63О610
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
1
;:, 1, 11, К,-,.- G 03 С l./ 6S (61! J опслнительное к аз--.. ciH!д-зев (22) Заязлепо 19.03.76 !21 2336604 23-04
Тосударственный комитет (1.
L (-",з1 0(и O,H!11033!: - 30.111.73. 5(О, .лете((H Х 4!.;; 53 У (1 I I 1 5 па делам изобретений и открытий (0S 3.S (45i 13та 0-1; олц," =-;::. = -!цса.!!:! 1! 12 0 (72) Авторы изобретения (71) Заявитель
Л. Н. Карякина, А.
Горьковский госу им. H. (54) НЕГАТИВНЫЙ ФОТОРЕЗИСТ
Изоорстен;(е относится ii i=.егат::!зным фоторсз:!Стам, которые использу!отся и: .. прот!ззодстзе пог!упроводт(икозык HðHîî00 фотолцтографическим способом.
Известси !(егат1!вт!Ый фотзрез:.Ст, включающий cçñòî÷óâñòâèòåëüíûé плс;-!кооб" ззующий co:iîëèмер 2,4-дипроцаргилоксиац-тсфенона, я- или и-диэтии!!лоензола и фекилацет1!1(ет!а, и орган !ческий растзозитель — хлс(роформ (1).
Однако известный фоторезист ц пеет зь:сокую микродефектность (= 50 деф. с !(з), что является следствием и р. ifîòîâëåíHя ьчанессния слоя фоторсзиста на воздухе. ВО зремя эт:.!х операций в фоторезцст по.-.;":дает нскоторос количесгзо постороннцх ..:-.стиц, которь(е и вызывают поязлеиие м:(!рздефектов.
Цель изооретеиця — уменьшен;te микродсфсктности фоторезиста.
Г1оставлспная цель дости-:ается тем. чт.. негативный фоторсз ;Icт :!а зс !Озе свсто-*..=-ств.((тель.lOCО -.(олимер!(огo саед(пения, i3чествс светочувствительного пол(!мерногс соединения гимеет !1- гили и-диэт(!снцлбензо.-..
Пзедг!с;с.."... .!! фоT-oocзист сбладас-! всеми технологическими сзойстзам:.: сзеточ11вств!!тель!!Ость!О, разрешающей спосо;:(остью, ад:сзисй к различным подложках: и х(D(ичс кОЙ стойкостью, 3((алогичными.
", lec- зм сно-- = .:Стс. но ((ри этом сто микро —.с;11ектио:т = значительно лучше
1 =- - - С, С CH Г 1(Рсг(ьс(1рну!О загццт. :ую маску с помощью . З 2 (, 0 к Е . . Н О Г С (1! 0 ТЗ П Е 3 и С Т 3 И Oг! 1" 1 3 to T Г(тем з".,3(опки II- !!;(:t t--;иэт((ниг!бензола прц зотвсгствлоц!Сй темпера,уре и давлечи((ц с3 Ол:!мц1зОзания их Н3 поверхность О. .!ажден-!01! подло;Ki"., .. 3HOHOHòðoHHHèÿ получен.:Ого слоя фоторез:Ic-.:: через негатиь и наг1сза!(ия подложки со слоем экспо:-шрован::.ого отоосз .!с-.3 О определенной темпезат "3ы в зак згме или н3 .возд .хе. Прц . том >.- цли !(-эт™нцл(бензол возгоняется с ,—:сзо.т,-iå:IHûê участков слоя. à Н3 подлсж;.с остается рстьес!ная защитная маска.
П р ц м е р 1. Il- иэтинилбензо l возгоняют при д3âëå: —::- .:.: ....,: рт. ст.:! тем-:!ературе 50 С и сублцмиру!От на кремниезую (одлсжку. Охлажденную жидким азотом.
C.IoI! -(т!этц11с! -11- и "0÷P го (щино(! 0 3 икз!.
ЭКС.101-:ЦРУ(ОТ Ч ;СО ii 3TltH !10" Л 3МПОЦ
СВЛ-120А иа .а=с-.о;".нии 10 с1! з течение
;;;l..за-.:..; -ÎO= .;О.»:;:;; НаГ le".-.аЮт Прп
; 5 .. Ьч рт. сТ. дo 65 :. —..з(и э(о:1 HOOОл .3=!.1" cëîÿ зсгr0;:;-;-oг=);. I IÎc (е тсрмзоо:.," o0 r:i ", !,:(. ..::.-—.= Ho,: i," .c;".:, rl,,".t 000 С :с: —:и!е 20 . :(Оч (з! сводят т1авлснце кремния в сз(есц азотной, глаз..козой и уксусной
ЗО к:.с.-.-т на глубину Г0 — 15 .!(к(!. Пол"чают .(