Буферное устройство канала вводавывода

Буферное устройство канала вводавывода

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

630626

55 устройства и входами соответстзующи. ; элементов ИЛИ второй группы, подключеннь х выходами к соответствующим выходам второй группы выходов устройства. В:;x02 регистра адреса, соединенного входом с адресным входом устройства, подключен к ад есному входу накопителя.

Однако это стройстВО Та! Не:I.,!iei Г сложную конструкцию.

Цель изобретения — упрощение устрс,.ства.

Поставленная цель достигается тем, «ТО в устройство введен сдвиговый регистр, B. îä и ВыхОД IICPGIIO IkieHIIH кст01 OÃO пОДкл:О"ны соответственно к управляю цим 3. .оду и выходу устройства, à Bblxoibf — соответственно к управля1ащим входам накопи-.еля.

Ня «ep f Flic показана 0701 -с. ема б ф рнсго устройства.

Оно содержит накопитель 1, состоя;ц1гй из блоков 2 памяти, регистр 3 адреса, сдзиговый регистр 4, элементы ИЛИ 5 первой группы и элементы ИЛИ б второй груп ь1, .адресный 7 и управляющий б входы устройства, управляющий выход 9 устройства, первую 10 и,вторую 11 группы Входов устройства,.первую 12 п вторую 13,группы выходоь устройства.

Устройство работает следующим образом.

Каждый блок памяти имеет разрядность, соответствующую разрядности байтов, числ0 олокоB соответствует числ оайTo"- 3 слове, которым оперирует оперативная г.з мять, подключаеьмая к входам 10 и выходам

12.

Обмен информацией x!eжду буферным устроиством и абонентами, подкIfo«e!IHь1.,171 на вход 11 и выход И, сс1щеcIBляется !:îО" ЙТ НО.

Предлагаемое устройство имее-, четь.р режима работы: прием байтов и упаковка их в слово; распаковка слова и выдача сайтов; прнсм слова, выдача слова.

В исходном положении реГистса i ня:Одится адрсс ячейки накопителя ", регистс 4 установлен в нулевое состояние. В и-;-зсм реек,име по,входным ин.форма циснны:.: шинам П поступает байт данkibix (потенциал:ные сигналы) через элемеснты И.1И 5 на входы всех блоков 2 памяти. На блоки памяти подается сигнал запис;l. по входу 8 32носится единичный сигнал 3 младшиш р fapsI3, регистра 4. После зад ржки 3 peI I1cTop

4 на управляющий вход соотьетствуюц =го блока памяти поступает импульс перепада сигнала, который разрешает запись байта по адресу регистра 8 в блок памяти. В последующие такты, пр1и поступлении оайтов от абонента, производится сдвиг содержимого регистра 4. После задержки импу.Ibc перепада Оисгнала .с Ьго выхода регистра 4 разрешается заппсь байта данных,по адресу 1регистра в й-й блок памяти. В кон е приема последнего байта слова и зa!bf.c;l его

fO

15 пз

I 3

4Q

И

53 в накопитель 1 На вы: оде 9 регистра 4 появляется единичный сигнал Hõ.çía!Ta переI!OiiIseHIIFI pel!iC Ipa 4, T. e. C:.ICHa.-: fl!NOH«23.:Ijf упакîBêè Оайтсв В слоBO.

Второй режим работь1 устройства ЯНЯ "огичен первому. Отличие pl с 3 Toxi, что слово находится в накопителе 1 и осущ стзляется побайтное чтение, т. е. распах .ка слава и выдача байтов на зых:..Ibl 13.

Н2 выходе регистра 4 пос.-.- чтения байта из последнего блока памят;, появляется

cffDH2.I окончания распаковки слова на байты.

В р жиме приема слОВЯ,!f зыда«и с..з3 работа устройства происходит, как 3 ооь1чных буферных устройствах,H2 основе запоминающего устройства, но отличается тем, что,зо зсе разряды региcTpa †. зано .я-. я единицы и при записи ил:I: Tå;i!i! про!330дится сдвиг содержимого реп1стра 4. На выход регистра 4 поступает сигнал о приеме или выдаче слова Й ф= HbDI устрсйс-.всм.

ИСПО Ib30323!!P НОВОГО 3.7е. 1.HT2 — СдзиI ОВОГО pPI! fCTpa if ВЪ1ПО IHeH!i H 2 fiOII!f ° ля

3 Виде ОлокОВ Ояйтовой разрядности ВыгсдНО ОТТ ..И«ЯСТ ПРСДЛЯГЯЕМСЕ 3 CTPOIICTBO Ка:-!3ла Ввода — вывода от прототипа. та < HBK позволяет увеличить быстродействие Hри упаковке байтов в слово и прп распаковке слов на байты. Процесс формирования (расформирования) слов идет непосредсг— венно в накопителе и не требует выборки слов на специальный регистр, благодаpÿ этсм1 II0BbflHaeTcFI oblcTPO.feÉcTBèe кана. 2 и сокращаются затраты оборудования.

Таким образом, для управления прOHåñсогм формирования (расформирования) слов

3 предлагаемом буферном устройстве Требуется только четыре управляюц1Hx сигна:I3, тогда как B известных устройствах использу1отся около десяти. Это позволяет упростить управление буферным устройств "vf и, следовательно, повысить быстродействие канала и упростить его управля1ошие схемы.

В монопольном (селекторном) режиме работы различHblx! адресам накопителя могут соответствовать слова данных, QTHocHщиеся к одному и тому же внешнему устройству канала, т. е. предлагаемое буфг .:ное устройство предоставляет возможность фор мир ов ать блок;1 слов данны . требуем ого размера, что также ведет к росту пропускной способности канала.

Кроме того, буферное устройство обладает, по сравнешпо с известными, более ре- гулярной структурой, это делает его технологичнее при реал::1зацип на:IHTerpaëüHûõ схемах.

Формул"= изобретения

Ь фер:.10е устройство канала ввода — вывода, сод ржащее регистр адреса, накопитель, IIH(peрpмационные входы которого поразрядно с: ",:Ill!ac:fbI с соответствующимси

Составитель В. Вертлио

1»,о. ре тес И. Симкииа

Текред А. Камьилиикова

Редактор И. Грузова

Заказ 769/1159 Изд. ¹ 704 Тилак .99 Подписное

НПО Государственного комитета С СР 1 „-е;,ам и»о,""е-.:: —:! .и и атк11ь1тий

Москва Я-35, Ра п.:ск:.;.:-:.".ç., д 4 5

Тип. арьк. Фил. пред. <.Пате";.>

5 элементами первой .группы элементов ИЛИ, первый вход каждого из которых .подключен к соответствующему входу,из первой группы .входов устройства, а второй вход— и соответствующему входу из,второй группы входов устройства, информационные вь— ходы накопителя соединены .с соответстзу,оцими выходами первой группы выходов устройства II входами соответствующих элементов ИЛИ второй группы, подключен»ных выходами к соответствующим выходам второй группы выходов устройства, выход регистра адреса, соединенного входом с ад:гсным входом устройства, подключен к ад; есному входу накопителя, о т л и ч а ю щ е е

6 .=. тем. что,. с целью упрощения устройства, в него зведе:-. с„зигозый регистр, вход и выхс„- переполнения которого, подключены со:-зетстзенно к;празляющим входу и выходу устройс.в=-, а выходы — соответственно к:..поазляющим зхо ах накопителя.

11сточнихи i. ;:ôÎçмации, принятые BQ ,:;" :Мая.I » i. О У,;Спич T:.

I o

1. Дроздсз Е. А., Пятибратов А. 1I. Оси:зы пост ен::я II т,.нкционирования зь.—::.B.÷:,Iòå3b-:ых с .с-.ем. М., «Энергия>;, 1973.

", Авто ;. o= св.. етельство СССР

15 .", 93934 .,—. С 06 Е .5 16, 1969.