Ячейка памяти

Ячейка памяти

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

63064О

1О

Зо

50 разрядной шине 3, исток транзистора 1 соединен со стоком информационного транзистора 4. Затвор транзистора 1 считывания и одна пз об(кладок конденсатора 5 подключены к шине б сч итывания. Исток транзистора 2, а также другая о бкладка конденсатора 5 подсоединены к затвору транзистора 4. Запвор транзистора 2 и исток тра нзистора 4 пад ключены к шине 7 записи.

Ячейка памяти ра ботает в режимах за писи, считывания и хранения информации.

В режиме записи на шине 7,возбуждается высокий уровень напряжения, и транзистор,2 открывается (транзистор 1 считывания lnpH этом находится,B открытом состоянии). Записываемый уровень напряже ния посту пает lc разрядной lIIIHHbI 8 на обп лад ку конденсатора 5, соединенную с истоком транзистора 2 за писи. При этом, если, в ячейку за п исьпвается высокий уровень:напряжения, емкость конденсатора резко возра|стает, а если низкий уравень напряжения, емкость конденсатора не изменяется и имеет малое значение. После проведения записи ин форма ции транзистор 2 за крывает!ся и ячейка находипся IB режиме хранения.

В режиме считывания на шину б;подается IBbI colKHH уровень на пряжения, транзистор 1 открывается, а транзистор 2 находиткя в закрытом состоянии. Если,в конденсаторе 5 записан высокий уровень на пряжения, то повышение напряжения на,шине б считывания вызьпвает,соответствующее пр иращение на пряжения на затворе информационного транзистора 4. В предельном случае это на пряжение павыщается до .величины U4= U, + U,4, где U4 — напряжение на затворе инфор мационного транзистора 4 после подключения высокого уровня напряжения на,шине б считывания; U, — на пряжение на запворе информационного транзистора 4 до подключения,высакого уровня на пряженпя на шине б считыва ния; U,,— ам(плитуда им пульса считывания, .подаваемаго на шину считывания. Повышение напряжения на,запворе Hlnформа ционного транзистора 4:вызывает увеличение величины тока, протекающего в inепи транзисторов 1 и 4 и тем самым повышение быстродей спвия при формировании низкого уро вня,на пряжения на выходе ячейки. С другой стороны, напряжение на конденсаторе 5 может уменьшаться вследствие наличия тока утечки до уровня Напряжения, близкого к Uq, при этом за счет эф фекта повышения напряжения на затворе информационного транзистора 4 при увеличении напряжения на шине считызания абеопечивается качественное считывание низкого уравня выходного |напряжения ячейки. если же на конденсаторе 5 хранится низкий уровень напряжения (U,(/о), то приращение напряжения на запворе информационного транзистора 4 близко IK нулю и этот транзистор находится при считывании в закрытом состоянии.

В связи с тем, что шина нулевого потенциала .в предлагаемой ячейке отсутствует, размеры ее значительно уменьшаются.

Таким Образом, указанное включение элементов ячейки позволяет;повысить время хранения инфорMBIIJHH IB три раза, а быстродейспвие ячейки, в режиме считывания — в два раза. За счет устранения шины нулеваго потенциала существенно уменьшаются га бариты ячейки в интегральном псполнении.

Формула изобретения

Ячейка памяти, содержащая МДП-гранзистор за писи, затвор которого lno+Kлючен к шине записи, сток —,к разрядной, шине и стаку МДП-транзистора считывания, исток которого соединен со стоком информационного МДП-транзистора, затвор которого подключен к истоку МДП-транзистора записи и одной из обкладок конденсатора, и шину считывания, о тл и ч а ю щ а я с я тем, что, lc целью повышения быстродейcTвия ячейки и увеличения времени хранения, в ней другая обкладка конденсатора подключена к затвору МДП-транзистора считывания .и шине считывания, а исток информационного МДП-транзистора подключен к шя,не за писи.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. IЕЕЕ Journal of Solid. State Cirenits, vol. SC — 8, № 5, 1973, р. 252 — 257.

2, «Элекпрон|4ка», № 4, 1971, с. 33.

Редактор И. Грузова

Составитель В. Сухоруков

Техред С. Антипенко 1(орректор И. Симкина

Заказ 736/1166 Изд. № 675 Тираж 692 Подписное

НПО Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий.Чосква, 7К-35, Раушская наб., д. 4/5

Тип. Харьк. фил. пред. «Патент»