Способ получения инверсных слоев в алмазоподобных полупроводниковых материалах

Способ получения инверсных слоев в алмазоподобных полупроводниковых материалах

Реферат

 

1. Способ получения инверсных слоев в алмазоподобных полупроводниковых материалах путем воздействия на них импульсами лазерного излучения, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности управления концентрацией носителей заряда, воздействие лазерным излучением осуществляют импульсами с плотностью мощности от 6 до 400 МВт/см² при длительности импульса от 10^-1 до 10^-9 с.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью получения в антимониде индия концентрации доноров от 10¹⁵ до 10¹⁸ см^-3, воздействие лазерным излучением осуществляют импульсами с плотностью мощности от 6 до 56 кВт/см² при длительности импульса от 6 10^-3 до 0,8 10^-3 с.

3. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью получения в антимониде индия концентрации доноров от 5 10¹⁶ до 10¹⁹ см^-3, воздействие лазерным излучением осуществляют с плотностью мощности от 4 до 400 МВт/см² при длительности импульса от 5 10^-8 до 0,3 10^-8 с.