Способ фототермопластической записи

Способ фототермопластической записи

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЪСТВУ 631855 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено22,04.75 (21) 2128308/28-12 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 05.11.7& Бюллетень № 41 (45) Дата опубликования описания 10.11.78 г (5!) М. Кл.

G 03 G 15/00

Государстоеннмй квинтет

Совета Инннстрао СССР во делам нзобретеннй н открытнй (53) УДК 77-.93 (088.8) (72) Авторы изобретения A I "рудзинский, Д. Д. Розум и И. M. Почерняев (71) Заявитель (54) СПОСОБ ФОТОТЕРМОПЛАСТИЧЕСКОЙ ЗАПИСИ

1

Изобретение относится к области приборостроения, в частности к технике фототермопластической записи.

Известен способ фототермопластической записи, заключающийся в формировании скрытого электростатического изображения на термопластическом носителе путем введения в механический контакт фотополупроводниковой пластины и термопластического носителя, при одновременном проецировании и зобра жения регистрируемого объекта и подаче высокого напряжения и разделения фотополупроводниковой пластины с термопластическим носителем для проявления скрытого электростатического изображения (11

Но известный способ отличается непродолжительным хранением электростатического изображения, обусловленным тем, что между средним слоем носителя и фотополупроводниковой пласти-, ной подают постоянное напряжение, близкое к пробойному.

11ель изобретения — увеличение срока хранения скрытого электростатического и зобра жения.

Указанная цель достигается тем, что перед введением в контакт фотополупроводниковой пластины и термопластического носителя, последний со сторонь1 основы приводят в контакт с проводящей подложкой, подключают напряжение, например, 290-300 в между последней и фотополупроводниковой пластиной, à paзделение термопластического носителя с проводящей подложкой осуществляют непосредственно перед процессом проявления.

На чертеже приведена схема расположения элементов при осуществлении за15 писи, Изображение объекта 1 с помощью объектива 2 оптически сопряжено через проводящую подложку, состоящую из лавсановой основы 3 с проводящим слоем 4, термопластический носитель, состоящий из лнвсановой основы 5, среднего проводящего слоя 6, термопластического слоя

7 с фотополупроводниковой пластиной 8.

Последняя и проводящий слой 4 электри855 возрастет до 1000 в и производят проявление электростатического напряжения нагревом.

631 чески соединень1 с источником высокого напряжения 9

lI р и м е р . Обычный термопластический носитель, например, типа ТПН-14, состоящий из лавсановой основы 5, среднего проводящего слоя 6 (наличие его в этом способе записи не обязательно) и термопластическог о слоя 7, приводят в контакт со стороны основы 5 с проводящей подложкой — провоцящим слоем 4 э IO нанесенным на лавсановую основу 3.

С помощью фотополупроводниковой пластины 8 сп светочувствительньм слоем, например А>> Ез, источника высокого напряжения 9 (с выходным напряжением 290-300 в), объектива 2 создают на термопластическом носителе потенциальный рельеф, соответствующий изображению регистрируемого объекта (при механическом контактировании и разде- 20 ленин указанных фотополупроводниковой пластины и термопластического носителя и подаче высокого напряжения). В известном способе для получения электро.статического изображения потребовалось 25 бы напряжение не менее 1000 в. Затем в любой момент времени. (не более 30 суток после нанесения потенциального рельефа ) отделяют терм опластический носитель от подложки (проводящего слоя 4 и лав- З0 сановой основы 3) — при этом уровень потенциала на термопластическом сдое

Формула изобретения

Способ фототермопластической записи, включающий формирование скрытого электростатического изображения на термопластическом носителе путем введения в механический контакт фотополупроводниковой пластины с термопластическим носителем, экспонирования, отделения термопластического носителя от фотополупроводниковой пластины и проявления,о г л и ч а ю шийся тем, что, с целью увеличения срока хранения скрьтого электростатического изображения, перед введением в контакт фотополупроводниковой пластины и термопластического носителя, последний со сторонь основы привоцят в контакт с проводящей подложкой, подключают напряжение, например, 290-300 в межцу последней и фотополупровоцниковой пластиной, а разделение .термопластического носителя с проводящей подложкой осуществляют непосредственно перед процессом проявления.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе;

1, Патент США М 3542545, кл. 96-11, 1970.

ЦНИИПИ Заказ 6338/44 Тираж 522 Подписное

Филиал 11ПП Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4