Способ пайки полупроводниковых приборов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Сеюз Советсккк

Соцналисткческик

Республик

«э»

«э, )Ъ (., в (Ъ ( (51) И. Кл. ------

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву(22) Заявлено 1605.77 (21) 2485776/25-27 с йрисоединением заявки ¹(23) Приоритет—

Н 01 Ь 21/70

В 23 К 1/12

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий (43) Опубликовано 05.1178.Бюллетень ¹41 (53) УДК

621.?91.3 (088.8) (45} Дата опубликования описания10.1178

А.A.Ðîññoøèíñêèé, В.И.Кислицын, A.Ã.Èóñèí, Л.A.Dåòðîâ, Ю.Б.Утробин, А.И.Шамыгин и Н.В.Афанасов (22) Авторы изобретения

Ордена Ленина и ордена Трудового Красного Знамени: институт электросварки им.Е.О.Патона AH УССР (71) Заявитель (54) СПОСОБ ПАЙКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано в электронной промышленности.

Известен способ пайки полупроводниковых прибороб, включающий укладку выводов приборов припоя и полупроводниковых кристаллов в приспособление, сжатие соединяемых де-талей и пропускание электрического тока через соединяемые детали и полупроводниковый крисстал в прямом направлении относительно р-тт- перехо.да полупроводникового кристалла и снятие давления (11 .

Недостатком данного способа является необходимость укладки полупроводникового кристалла в приспособление в строго ориентированном направлении. Ориентирование полупроводниковых кристаллов диодов ухудшает качество приборов из-за дополнительных перемещений и другого ряда манипуляций, связанных с ориентированием. Некоторые типы диодов являются симметричными относительно полупроводникового кристалла, что дает возможность отказаться от операции ори-ентирования.

Э

Целью изобретения является пайка неориентированных кристаллов диодов °

Для достижения поставленной цели ток через паяемый прибор с приложением напряжения пропускают дважды, при этом полярность напряжения изменяют относительно р-и-перехода кристалла диода.

Дпя пайки неориентированных .кристаллов диодов. каждый. диод в нриспо° соблении подключают к источнику питания, затем меняют полярность подключения источника питания относительно ð-п-перехода полупроводникового кристалла диода и повторно подключают источник питания. Некоторое сни" жение производительности при этом компенсируется ликвидацией операции ориентирования.

Пример. В кассету, укладывают вырубленную из медной фольги толщиной 0,3 мм гребенку с облуженными окунанием в припой ПОС-61 контактными йлощадками. На контактные площадки укладывают полупроводниковые кристаллы диодов (кремний КЭФ-40, легированный бором, диаметр 1,8мм, толщина 300 мкм, верхний слой метал лизации -золото толщиной 3-5 мкм).:

Сверху укладывают вторые выводы при632010

Составитель Ф.Конопелько

Техред Н.Бабурка Корректор Л.Василина

Редактор Н.Вирко

Заказ 6360/53 Тираж 918 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и откры ий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Филиал ППП Патент, r.Óæãoðoä, ул.Проектная,4 боров. Детали в кассете сжимают многоэлектродной головкой. Давление на каждой сборке достигает

1-1,5 кгс/мм . Через все диоды поочередно пропускают многоимпульсный разряд конденсаторного источника питания. Коммутация осуществляется тиристорами, управляемыми по заданной программе. Амплитудное значение тока нагрева составляет 290-300 А, время протекания многоимпульсного разряда через каждую сбору деталей 1,2 мс, время зарядки секционированной батареи конденсаторов

40 мс.

Формула изобретения

Способ пайки полупроводниковых приборов, при котором производят укладку выводов, припоя и полупровод-никовых кристаллов в приспособление, прикладывают давление, пропускают через выводы и р-и-переход полупроводникового кристалла импульсы тока в прямом направлении (относительно р-й-перехода), а затем снимают давление, отличающийся тем, что, с целью пайки неориентированных кристаллов диодов, ток через паяемый прибор пропускают, прикладывая напря10 жение дважды, при этом меняют полярность напряжения относительно р-ьперехода кристалла диода.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

15 1. Авторское свидетельство СССР

Р 539483, кл. Н 01 21/70, 1974.