Способ вихретоковой дефектометрии

Способ вихретоковой дефектометрии

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП VC An He

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Лополнителькое к авт. свид-ву (22) Заявлено p1,p677 (21) 2490693/28-28 с присоединением заявки Ля (5l) М. Кл. (; 01 И 27/8G (23) Приоритет—

Государственный комитет

Совета Министров С(.СР

f10 делам ивобретепий и открытий (53) УДК 620. П 9. .14 (088.8) (43) Опубликовано 15,11.78. Бюллетень,% 42 (45) Лата опубликования описания 20.1)..78 (72) Авторы иЗобРЕтЕНИЯ

Б.И.Колодий и A A Oðëoâñêèé (71) Заявитель

Физико-механический институт AH украинской CCP (54) СПОСОБ ВИХРЕТОКОВОИ ДЕФЕКТОМЕТРИИ

Изобретение относится к области неразрушакщего контроля и может быть использовано для оценки параметров подповерхностных дефектов н электропроводящих иэделиях методом вихревых токов.

Известен способ измерения глубины залегания дефекта, заключающийся в том, что н объекте контроля возбуждают вихревые токи с помощью двух электромагнитных полей различной частоты, а о глубине залегания дефектов судят по разности двух сигналов, полученных на соответствующих частотах Г12Недостаток известного способа состоит в сложности аппаратурной реализации из-за необходимости возбуждения и измерения магнитных полей на разных частотах.

Наиболее близок к предложенному способ вихретоковой дефектометрии (2), заключающийся н том, что в объекте контроля возбуждают вихревые токи и измеряют нормальную составляющую маг- 25 нитного поля, обусловленного ими.

Недостаток известного способа заключается в низкой точности измерений, так как о параметрах дефекта судят по годографу напряжения, полученному на измерительной катушке в процессе сканирования преобразонателя.

Цель изобретения — повышение точности измерений.

Это достигается тем, что нормальную составляющую магнитного поля измеряют двумя катушками различного диаметра, а о глубине залегания дефекта и его размерах судят по отношению максимумов полученных ЭДС и абсолютной величине одного иэ них.

На фиг. 1 приведены зависимости отношения максимумов ЭДС Е, и Е от глубины залегания дефекта; на фиг. 2зависимость коэффициента Х, необходимого для определенИя параметров дефекта, от глубины 1т.

Данный способ можно реализовать с помощью преобразователя, состоящего иэ возбуждающей катушки и двух пар измерительных катушек, значительно отличающихся своими диаметрами, располокенных по обеим сторонам генераторной катушки и включенных попарно встречно с целью компенсации сигнала от первичного поля. Возбуждающую катушку подсоединяют к генератору гармонических колебаний, измерительные катушкик двум милливольтметрам. Сканируя датчиком по поверхности контролир:емог

632946

Формула изобретения

2 Я

Фь2. 2

ЦЦИИПИ Заказ 6545/35 Тираж 1070 Подписное

Филиал ППП Патент, r.Óêãoðoä, ул.Проектная,4 иэделия, фиксируют максимальные значения ЭДС в каждой иэ катушек, а также точку на поверхности иэделия, над которой ЭДС в измерительных катушках проходит через нуль. Это будет искомая точка над дефектом. Глубину залегания дефекта определяют с помощью 5 формулы

Ь-к—

Е»

Е где и — глубина эалегания дефекта, 10

К вЂ” коэффициент пропорциональности, ŠŠ— максимальные ЭДС, наведенные в каждой иэ пар измерительных катушек. 15

Для определения коэффициента кладут прокладку толщиной h< из материала, идентичного по своим электрическим параметрам контролируемому, и проделывают все аналогично описанному выше. Для случая с прокладкой по1 лучают отношение E„ I g . Тогда из формулы

h„

22 Ед получают искомый коэффициент. При известной глубине залегания Й и максимальной ЭДС Е одной из пар катушек размер дефекта Р определяют по упрощенной формуле р= х(Ь)/Г

При построении графика Эс(%) для имитации равных глубин залегания де- 85 фекта используют ряд пластин известной толщины иэ контролируемого материала, которые кладут на пластину толF1

Е2 щиной 1 мм со сквозным отверстием диаметром 1 мм. В этом случае значения ж(Й)получают как хСЯ,)= ™м, МЕ, где 4. — толщина пластины, — максимальная ЭДС катушки при данной пластине, Примерный вид этой зависимости показан на фиг. 2. В общем случае она зависит как от конструктивных особенностей преобразователя, так и от параметров контролируемого материала и частоты электромагнитного сигнала.

Реализация предлагаемого способа обеспечит повышение точности измерений за счет использования в нем измерения только амплитудных характеристик сигнала.

Способ вихретоковой дефектометрии, заключающийся в том, что в обьекте контроля возбуждают вихревые токи и измеряют нормальную составляющую магнитного поля, обусловленного ими, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерений, нормальную составляющую магнитного поля измеряют двумя катушками различного диаметра, а о глубине залегания дефекта и его размерах судят по отношению максимумов полученных ЭДС и абсолютной величине одного иэ них.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Авторское свидетельство СССР

9 191196, кл 6 01 N 27/86, 1963.

2. Авторское свидетельство СССР

Р 179070, кл. G 01 Й 27/86, 1961.