Способ записи информации в запоминающее устройство типа 2д на многоотверстных ферритовых элементах

Способ записи информации в запоминающее устройство типа 2д на многоотверстных ферритовых элементах

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

И ЗОБ РЕТЕ Н ИЯ.

Союэ Советских

Социалистимеских

Республик 634371

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ / у ь (6т) Дополнительное к авт. свид-ву—

{22) Заявлено 20.06.77 (21) 2497134у18 24 с присоединением заявки № (23) Приоритет(43) Опубликовано 25.11.78.Бюллетень Л 43 (45) Дата опубликования описания26.11.78

2 (5l) М. Кл. (11 С 7/00

Госудврственнь и комитет

Совета Министров СССР па делам изобретений и открытий (5З) < 681.327.. 66 (088. 8 ) (72) Авторы изобретения

Т. К. Богоев, И. В. Бурковский и В. Г. Сгашков (71) Заявитель (54) СПОСОБ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ В ЗАПОМИНАЮЩЕЕ

УСТРОЙСТВО ТИПА 2Д НА МНОГООТВЕРСТНЫХ

ФЕРРИТОВЫХ ЭЛЕМЕНТАХ

Изобретение огносигся к вычислительной технике и может испветьзовагься в запоминающих усгройсгвах (ЗУ) типа 2П на многоогверсгных ферриговых элементах с неразрутцающим счигыванием информации.

Известен способ записи информации в 5

ЗУ типа 28 иа многоогверсгных ферриговых элементах, основанный на подаче в числовую шину пачки разнополярных имаульсоа тока (1) . то

Недовгагком этого способа записи яя ляется изменение амплитуды выходных сигналов с элеменгов невыбранных адресов за счет воздейсгвия на них разрядного тока при записи информации.

Наиболее близок к предлагаемому изобретению способ записи информации в ЗУ гипа 2П на многоогверстных ферриговых элеменгах, основанный на подаче в числовую шину пачки разнополярных. импульсов тока, а в разрядную - перекрывающего ее импульса гока, полярность которого зависит от записываемой информации (2Я .

Однако в агом способе при записи информации по какому-либо адресу, в ре зульгаге воздействия разрядных гоков записи на запоминающие элеменгы невыбранных адресов, значигельно уменьшаегся амплитуда выходных сигналов с гех элеменгов, в которых хранимая информация записывалась разрядным гоком прогивоположного направления. Величина уменьшения амплитуды зависит ог количества воздействий на запоминающий элеменг разрядным гоком и в процессе рабогы ЗУ может досгигагь 30%.

Кроме гого, при нескольких обращениях к одному из указанных адресов (невыбранных) в режиме счигывания информации, выходные сигналы с накопигеля могут иметь различную амплитуду.

Пель изобре гения — повышение надежности записи информации.

Эго досгигаегся гем, чго в известном способе записи информации после подачи импульсагока в разрядную шину поочередно подаюг импульс гока по числовым

634371 шинам адресов, объединенных общей разрядной шиной записи.

На чертеже даны временные диаграммы работы ЗУ типа 2ll с неразрушающим считыванием информации, функционирующего 3 в соответствии с предлагаемым способом записи информации. Электромагнитные параметры запоминающих элементов устройства условно приняты одинаковыми. допустим, что по адресам "1" и "h" записана IO информация — "О", а по адресам "2" и

Ф 1 юj Ф

В режиме записи в числовую шину выбранного адреса подают пачку импульсов знакопеременного тока 1 . Одновремен- 13 но с. этим в разрядную шину -го разряда подают разрядный ток, который перекрывает пачку импульсов 1 .. После действия разрядного тока по числовым шинам g всех адресов поочередно пропуска- М ют HMBульс тока (1 ° 1 д ° .. 1z01

1 ). При этом на выходе накопителя появляются сигналы. На чертеже представлены сигналы на выходе накопителя по g разряду — К . Естественно, что по 25 лярность сигналов при воздействиии на запоминающие элементы передним фронтом тока 1 зависит от хранимой в кажХ дом элементе информации. Однако характерно, что амплитуды этих сигналов раз- М личны. Выходные сигналы с каждого из запоминающих элементов имеют амплитуду больше при совпадении по значению хранимой в них информации с информацией, записываемой в выбранный адрес, и меньше — при несовпадении. Под воздействием дополнительных импульсов тока 1 в режиме записи амплитуда сигналов нормализуется, т.е. в режиме считывания, при каждом обрашении, с одного и того же элемента получаем сигнал одинаковой амплитуды, полярность которого зависит от хранимой информации.

Предлагаемый способ записи информации обеспечит увеличение нижнего уровня амплитуды выходных сигналов с накопителя примерно на 20-25%, стабилизирует амплитуду сигналов, повышает надежност записи информации в ЗУ, Формула изобретения

Способ записи информации в запоминающее устройство типа 2Н на многоотверстных ферритовых элементах, основанный на подаче в числовую шину пачки разнополярных импульсов тока, à в разрядную — перекрывающего ее импульса тока, поляр ность которого э висит or записываемой информации, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности записи информации, после подачи импульса тока в разрядную шину поочередно подают импульс тока по числовым шинам адресов, объединенных общей разрядной шиной записи.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Бардиж В. В. Магнитные элементы

UBN. М., Энергия, 1975, с. 348.

2. Патент США N 3455426, кл. 34О-174, 18.04.69.

634371

Jz !

rz г

Ьei

Составитель Ю. Розенталь

Редактор Л. Гребенникова Техред О. Андрейко Корректор А. Власенко

Заказ 67 7 2/5 2 Тираж 675 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4