Сверхвысокочастотный аттенюатор
Иллюстрации
Показать всеРеферат
(и 1
1, .",.Ф, оц634403
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополиительиое к авт. свил-ву (22) Заявлено 05.0177 (2ll) с присоедииениеи заявки И (23) Приоритет (И) Опубликовано 251178. Б.оллетень № 43 (45) Дата опубликования описании 26,1178 (51) М. Кл.
Н 01 Р 1/22
Государствен и ы Й ком итет
Совета Инякстров СССР ао делам изобретений я открытий (53) УДК 621. 372, (088.8) В.П. Нарбут, В.Л. Фурман и А.И. Юшин (54} СВЕРХВЫСОКОЧЛСТОТНЫЙ АТТЕНЮЛТОР
Изобретение относится к СВЧ-технике и может использоваться для управления сигналами в различных радиоприемни.<ах, радиопередающих и измерительных устройствах.
Известен сверхвысокочастотный атTpHioBTop, содержащий отрезок полосковой линии передачи с включенным в него полупроводниковым элементом и цепь управления jlJ .
Однако это устройство характеризуется пониженной развязкой между цепью управления и СВЧ-линией передачи.
Целью изобретения является увеличение развязки между линией передачи и цепью управления.
Для этогo в сверхвысокочастотном аттенюаторе, содержащем отрезок полосковой линии передачи с включенным в него полупроводниковым элементом и цепь управления, полупроводниковый элемент выполнен из материала с высоким температурным коэффициентом сопротивления в виде слоя, нанесенного на гсдложку полосковой линии передачи, цепь управления выполнена в виде металлического слоя с высоким удельным сопротивлением, расположенного на поверхности полупроводникового элемента и изолированного слоем диэлектрика, причем металлический слой соединен с заземленным проводником линии передачи.
На Фи". 1 приведено предложенное устройство, общий вид в разрезе; на фиг. 2 — принципиальная электрическая схема.
Сверхвысокочастотный аттенюатор содержит отрезок полосковой линии передачи 1 с включенным в него полупроводниковым элементом 2 и цепь управления 3. Полупроводниковый элемент 2 выполнен из материала с высоким температурным коэффициентом сопротивления в виде слоя 4, нанесенного на подложку 5 полосковой линии передачи 1. Цепь управления 3 выполнена в виде металлического слоя 6 с высоким удельным сопротивлением, расположенного на поверхности полупроводникового элемента 2 и изолированного слоем диэлектрика 7, причем металлический слой 6 соединен с заземленным проводником 8 СВЧ-линии передачи 9. Кроме того, схема содержит сопротивление 10 слоя 4 полупроводникового элемента 2, сопротивление
11 металлического слоя 6 и источник
12 управляемого тока.
Устройство работает следующим образом
СВЧ-сигнал, мощность которого необходимо регулировать, поступает и
СВЧ-линию передачи 9, зашунтированную сопротивлением 10 слоя 4 полупроводникового элемента 2. В исходном состоянии сопротивление 10 слоя 4 значи тельHo больше BGJIHGBGTG сопротивления
СВЧ-линии передачи 9 и, следовательно, СВЧ-сигнал практически без потерь проходит через сверхвысокочастотный ат- 10 тенюатор.
При включении источника 12 управляемого тока через металлический слой б начинает протекать ток„ нагревающий этот слой. Металлический слой ЕЕ в свою очередь, нагревает слой 4 полупроводникового. элемента 2, сопротивление которого с ростом температуры уменьшается и начинает шунтировать
СВЧ-линию передачи 9, вызывая умень- > шение коэффициента передачи устройства, уменьш ние мощности СВЧ-сигнала на его выходе. Уменьшая или увеличивая ток через металлический слой б, можно изменять его температуру и, следовательно, сопротивление 10 слоя
4 и мощность СВЧ-сигнала на выходе устройства, Таким образом, ток СВЧ-сигнала,протекает через слой 4 полупроводнико@Ого элемента 2, а ток управляющего 80 аигнала через металлический слой б—
ВЫСОКОЧастотная цепь Отделена От цЕпи управляющего сигнала. Вследствие этого уменьшается просачивание СВЧсигнала в цепь управления, уменьшается уровень паразитного излучения
ИЗ УСтРОйСтэа.
Формула изобретения
Сверхвысокочастотный аттенюатор, сОдержащий Отрезок полОсковой линии перецачи с включенным в него полупроводниковым элементом н цепь управления„ отличающийся тем, что, с целью увеличения развязки между линией передачи и цепью управления, полупровоцннковый элемент выполнен иэ материала с высоким температурным коэффициентОм сопротивления в виде слоя нанесеннОгО на подлОжку пОлОс ковой линии передачи, цепь управления выполнена в виде металлического слоя
c в- ысок,им удельным сопротивлением, расположенного на поверхности полупроводникового элемента и изолированного слоем диэлектрика причем металличес кий слой соединен с заземленным проводником лйнии передачи, . Сточн ::,ки информации, принятые во внимание при экспертизе:
1 . Дзе;-;;,Gp р., В. и pIJ. Р - I -: в широкополосных устройствах СЙЧ. К., Сов.радио, 1970„ с. 74-75.
ЦЛИЫПП Заказ 6775/54
Тираж 916 Подписное
Филиал ППП Патент, г.ужгород, ул.ПрОектная,4