Устройство для получения изображений

Устройство для получения изображений

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБР ЕТЕ Н И Я (.11 63545(Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свпд-ву— (22) Заявлено 01.03.77 (21) 2457339 !8-25 с,присоединением заявки е— (23) Приоритет—

1осударственный комитет, ;.) У, К 621.397.331.2.

1 (C88 8)

I оо делам изобретений и открытий (43) Спмбликовзно 30.11.78. Б1олле1е11ь ¹ 44 (45) Дата опубликования описания 11.0-1.79 (72) Лвторы изобретения

Иоффс,,:, 1

5. С. Агаронов, A. Х. Зейналлы, Н. H. Лебедева

Л. Г. Парицкий и О. М. Сресели (71) Заявитель Ордена Ленина физико-технический институт им. A. Ф (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕИИЯ ИЗОБРАЖЕНИЙ

Изобретение относится к фототехнике, в частности, к полупроводниковым приборам для получения изображений путем их

l.I .уа.п1зации или фотографической регистрации и может быть использовано, кроме того, на контрольных операциях в технологии изготовления полупроводниковых приборов.

Известно устройство для получения

Içîáðàë<åíèé, в котором используется преОбразование распределения плотности светового потока на поверхности полупроводника в распределение плотности электрического тока, протекающего через устройство, с последующей визуализацией распределения плотности тока различными способами (1).

Недостатком этого устройства является

?кесткость конструкции, не позволяющая использовать его для оперативной проверки качества полупроводниковых фотоприсмников.

Наиболее близким к изобретению является устройство для получения изображений (2), содержащее последовательно расположенные прозрачный электрод, полупроводниковый фотоприемник, контактный узел, заполненный ионизова иным газом, регистрирующую изображение среду и контрэлектрод.

При проектировании оптического изображения на фогочувствительный слой и п11ило?кен и!1 нап:. Я?ке!Iия От исто Iника тока между полупрозрачным электродом и контрэлектродом в газовом п1?омежутке возникает тлеющий разряд, плотность тока в котором по площади полупроводникового слоя пропорциональна его освещенности. !

pII действии газового разряда иа среду, рсп1стрирующую изображение. происходит ь1.:зуализацпя или фоторегистрация изобра>ксни я, Недостатком устройства является необходимость осуществления операции нане15 сспия полупрозрачного электрода на пои:рхность полупроводника при изготовлен11и прибора, что удорожает его стоимост1..

Особенно сильно этот недостаток сказывается прп использовании прибора с целью

2О визуального контроля однородности по площади полупроводниковых высокоомных материалов по удельному сопротивлению фоточувствительности путем нанесения на поверхность указанного материала электро-.а и установки испытуемого образца в устройство в качестве полупроводникового слоя прп равномерном освещении всей его поверхности. Необходимость наносить в этом случае прозрачный электрод на испыЗО туемый материал усложняет операции кон635451

2 3 7

Составитель А. Бишаев

Техред И. Рыбкина

Корректор И. Симкина

Редактор H. Коляда

3aказ 1009/!571 Изд. № 790 Тираж 526 Подписное

НПО Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб, д. 4/5

Тип. Харьк. фил. пред. «Патент> пределепию фотопроводимости арсенида галлия по площади пластины.

Таким образом, предлагаемое устройство позволяет проводить быстрый визуальный контроль различных высокоомных по- 5 лупроводников на однородность распределения удельного сопротивления и фоточувствительности по площади пластины. Замена полупрозрачного контакта на поверхности полупроводникового слоя плазмен- 10 ным контактом удешевляет устройство и позволяет оперативно производить смену проверяемых фотоприемников. При этом отпадает необходимость в операциях нанесения прозрачного омического контакта на 15 полупроводниковую пластину фотоприемника перед установкой ее в устройство и снятии этого контакта после окончания работы устройства.

Формула изобретения

Устройство для получения изображений, содер!кащее последовательно располо>кеннь прозрачный электрод, полупроводниковый фотоприемнпк, контактный узел, заполненный ионнзованным газом, регистрирующую изображение среду и контрэлектрод, отл и ч а ющееся тем, что, с целью осуществления оперативного динамического контроля полупроводниковых материалов на однородносгь распределения удельного сопротивления и фотопроводимости по площади образца, а также повышение чувствительности устройства, между прозрачным электродом и фотоприемником расположен дополнительный контактный узел, заполненный ионпзованным газом.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизс:

1. Патент СШЛ ¹ 28669036 кл. 250-65, !

9-8

2. Авторское свидетельство СССР

¹ 479071, кл. G 03 В 15/00, 1973.