Формирователь импульсов
Патент 636785
Авторы
Формирователь импульсов
Иллюстрации
Реферат
Со)оз Советских
Социалистических
Республик (61) Дополнительное к авт. Свид-ву „,; 5) 0 (22) ЗаЯвлено23.06,7 —, 121) 24=87с)5,»>,3 "21 с присоединением заявки Х ..
H 03 1< 5/04
H 03 К 3/284
Государстаеннь!й комитет
Соаета Мнннстроа CCC(f
f)Q делам нэобретеннй н открь»тнй (23) 1(риоритет (43) Опубликовано 05. (2.75).Бюллетень X 45 (53) У)"сК 621. 373.
--3 (f><< 32
fL451 . ),3 Га Опуоликования ".:!!. анп)» „,;!, Я, 7,"; (С333К< В» ),, С .. ОР3. ГЬ; Ч=--Ог (>..1,, Он
i((30.Г 1"»С,»гГ
172) Авторы
ИЗ ОбрЕТЕН )г» я (71) Заявитель (54)) ФОР "(11(рORA E„<1h ),, -, ???? )),??- ??)??) ????????????.????????(<???? ?????????????? ?? ???????????????????? 1??..????” ????????, ??????????? ()f>lòü использовано для формиРОН )1!ИЯ СТЗОИ. IЬНЫ\ ПРЯ. !ОЪГОГIЬ)!ЫX ИМI!V, Ь—
COB
113нболес близок к предлагасмо)!у формн роватсль импмльсов солсо?кащий нкол!!Он и вь)хо )ной каскады на транзисторак, вк.!юч«liilûx ПО схсм(с Общим Bмilтте,)ом, 11 11 xlny,н сныЙ Tj);)!!ñôîðì3òîð. КО.!Г!скт()р транзистора Bbfxo!LHO! о каскB.L(t «Ослин«н чсрсз
Jff<)л ll резистор базой транзис гора вкол-! се)скада, Ili pB!!»н:-!я обм() Гка Ifx!H <,Lbi - IO ного трансформатора включена B КО,Ь1екторнуio Bx();IHого трннзистора, а вторичная его обмотка нод слючсна параллельно эме!тТPPIЮМ !1"г)с. О,!т ТР31!ЗIIСTOРН BЫКО,Т!iоГО каСКНЛ() (1).
1 (слОст))т! .О:») tlp0 ГО Ги и 3 я В1 яс тол низка! я
0Т30 И Bl!ОСТЬ Нм ПXЛ ЬСО!5 H f)И ВОЗ 1(»ЙСТВИI! лсстаоилизи»)»ло»)!Их факторов. напои (!(и Ii0л сб а н и Й T(. xl H 0»p 3 T <; p f»t О к р (?к 3 ю н, <. 1! старения злсме) o; и т. и., в рез(ëьгаге
К 0 ГО (3 Ы Х И 3 К! С Н и 10 Г< Я и С) 1 г, >1« 1 р !»1 -.), С М Е Н ТО В схемы.
С цель)о повышения .таби fbHo(TH ux!t!xльсОв B извсстный (рормироватсс!ь и П..Гльсов BBeë Itы транзистор, резистор .: Посл», <,и, . < Ь:, . (;(;!И !! < I !i, I 5I it! Н !» НЗ С Г30 Ii, I fl TP<»:! З, PЗ!1. I < р»г! и К(». ..!«i!С )". <)О I, ПО. (КГ)ЮЧ(НК;г(:.;Л«КТО!));» )..:
» 3 5! 3i Г;;;; I!СТОр 3
Hi)РВИ Н, IЯ 00мот г.?) I! X!I!» .! b«H()l ТРансфОР. (I гlтор г) - г. BTOpii»! Ii)iH ()Й,)<)Тнг) l(OT»)p01 0 ПодКЛК)Ч< !! tl I! t) 03.)», IС.! Ь! 0 3".! IÒÒ(p!10. i) » H(pPXO..(< ! Г) е)нзнс» Оp)I - . РО, I, Ii к Op НОС, 1»:ли«ГО чс пез
ЛИ!) I Э И 1)Е»!I«ТО»!) 6 СЖЛIIH«il (. бг ЗO»l ранз;с Г<)р;! 1. Формнро!за Г", Ib нмпx.! Bñît) (. о,»СB/ê 11! Г:.:.?Кe ра»!Зистор 7 I! Резистор )(. ! . lii lib ilЗ О<., IСЗ(ова Гt .IÜã!0 С< (.,Il ilt. ННЫ Л иОн.ti::òð::„ .-). р«зис-.<)t)3 1() и коьл«нс )TOp3 11, П 1»»! !(< I ) г!,)С Н(Н»ТОр 3!11!! i tl1 ifp(>на Н 110<: 1(i)Bl T(.. Ы)() !)I IH! T(P l!0-О()ЗОВ Ы)1 Н(Р(?0)ОМ тп" на» (-(i»,!
fi.3!3 !) ) 20
Ф(>г).>г;с г и и:н>с> Ггг<т< и гг.<г
ЦН1! <11!1 3<>><а s <>?)»Г 48 1»?>.><>< 10 !4 11<>л >исиьс.
<1><) с <ь> П > Ill < 1 r )r) r r >>. r . У, ;>" r?><>Ib )<>> l I ps>r к> нвя, 4 с(><>рчиj)»BHòcëü и.;.l ó»üñов раб<>Tàåò с..сд)!»H(r", <1 ОбразОМ. В ИС.";ОднОМ (. О(Тояипн
ТРа из и с? <) Р ОтиеРт;! TPB I!311 ñÒÎÐ 2 3 (п(-, 1)) .
ПРИ ЭТОМ !s СЕРДСЧНИКС тРаНСфОРМатОРа )ВПЯС<)нсl Эн(. P<" ИЯ, ОПРСДС,?Я<,<1 а Я КО. I, CJ(TOP ÍÛ 11 токо I транзисг<)ра >. Вел!?чина этого т»ка, а С, (дОВЯТ<,Т Ьно 11 ЭНС p! I! s! В CCpдЕ if> H К(М»сист РЕГCËÈPOB;ÏÜ(.ß П. РЕМЕННЫМ Рсзпс1 оp(>ixf 3. КОГда на Вазу тра нзи с 1 0pИ<3>Е Г За??И!ра10?и)
Излишек эис(>гии. запассн?!ой в сердеч??и«с трансформатора, ?1??дмктирчст во вторичнои об>мотке эт»го трансфорчатора Э(С (полярность показана на чертеже), которая <)тпирает транз >стор >.
Низкое ri! lxoi((ioe сопротивление от;i(ртого тРа(з)!СтоРа > fffx !JTffP) BT в:(03{НУю J«f«, TPBH3HCT(. >, ООСС И(<ЧИ Ван Зсl ИЕ?, То(< 0(!»,Iи li по(лC ;3!1(I <>, В?;> 10<{»НИC >110 (а . ) I>0 , I )1ет чл ч !!?ить (? Гl»Вин 3(1 (1 ира и и я Гра н3Н(. 0ра 1.
Время расее!!ваи !я изоьпочной энергии
Т()аНС((>»ПЧ ! 0 .)с! Оиji(. .)С. Л(Т HPO,OËЖИ I(..!Ь
H0cTb BBH(pli, >с < )100» frx«i% ë bcH! Ii(КО, li!ÐÊ1 ODif 01 0 ГОКс) Трсl {с) НСтора !3» 0 и x»iп!Оч состоянии (гран si!ст»р отперт) )то время зависит от вели{инь> тока, 33даваемого каск:-<доч !ш транзист»рс 7, сл<.лук>пп?м ооразом; ири уменшпении тока OHO возр )< TH(т, ири увеличении мчс.> ьп?асг< я. (31>ix» (:1»и ток к;!с «а {а ?н; гр 3 и<с(о f)с 7 )3 cBOIO 0
Ипт(ГрпруЮЬцсй ЦЕПЬЮ, С»С ГОяпссй ИЗ рсЗ> Стора 1!) и конденсатора 11. На l;Oil.(снсат»рс
<1)<>р)! и рс ется сглаженное напряжение, п р<>H(>Pl<«»HB I bi!OP (ЛИТСГ>ЬИОСТИ ИМИ >>»ЬС»В, H РНВ IЯЮ(ЦЕС 1 П
Гсlкll -! ООР<<33с> <1, ((., I if 1, I II{ С, I ЬНО(. ть JI
1<> Л ЬC!iB, Ifd??()if>! J B fr >! r >, г> а П !) lf )f(P. Jl(H»< )Sl Jf» ВОМ Т(Af Jf»r) <3", ) РЫ К>
Р< ЖВЮГДЕII . P(. ;! Ы, ff;! >f Pff i«rf(Ji
Т,)р(Та КЖ(. >S» >рс)СТ<>с"1 И BBIBbi is С СИ. ?Е>пис в!1«о (1{»го тока каск!да на гранзист»ре 7. (I ри этом длп J «Ibl!Ость импульсов, учсHb1! I;I ЯC I>, 11 Pi! ». I È Ж<> Гсff l; 3 J! HОМ) 3 На Ч(. НИ 10.
Г<гчн(гсть по (держа ?ия зада!<Ной длител!.ности ичиульсов заьч!сит главным образом от усилительl«>ix свой»TB каскада на тран31i "TОf)(7. Ilj JIBBED! C llоt)ыi(JC >ill»Xl с f 0 >«>эф(!г>!! 1(!r HTB С C И, !ЕHИЯ С Га (И. f Из сl!(ИЯ ff0ÂÛ I!I с! (. >(я, E3B(,(си. с в ся м с) аби li!трона с) позволи,l» 1!Скл »нить влияние вы)(одного тока каскада it
Г I f > C (! с > с«с H H l>I H () O I) Xi J! p 0! ) <> I ( сс>в (н)с спс би lbili>fx им!
IУГ> ЬСОВ !!i>if КОЛ(0 I>l 0«руЖ;! Ю!П(II Ср(I I>l, ) .. с(> {(J И I f) B )I» i рОВ ЭГ!(МС<ИТОВ
B fr(3(, rJ 1 (« "l Г(. !> и !! > Ir>r (>и 110 авт. с ). Л ) j 16, с), ») лп г(ггсги(<гй(я г» и, по, с цс. «>!о иовы?пения стабильности импульсов, в него ввс {сlibl транзистор, рсз: сп>р и послед<>ват»льно со»дни»иная ((епь ьз стаби1!11ðîi1
K КО 1)!\- КТО fэ BXO.(ноl » ТP
K O f i, (C f i (. B 1 () и 3 и и! у Н 1 И p O!, вым пер» с>Г(ом транзистора, коллскi»p H0T0poc0;!() (co»3(it«ef{ к точке соединсиия cтаби lитрона и резистора.
11сT» !Ники инфорчации, принятые во внимание !Jprt экспертиз»:
1. Авт()рскос сьч?дс те, ?ьство СССР
Л, )1167(), Н 03 Е,3,"3 f, Н (»3 К 5)()4, (с)7)