Электрофотографическая пленка

Электрофотографическая пленка

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОП ИСАНИ Е изоьеетения

К ПАТЕНТУ

637098 (61) Дополнительный к патенту— (22) Заявлено 07.06.73 (21) 1928751/28-12 (23) Приоритет — (32) 08.06.72 (31) 260848 (33) США (5! ) M К т G 03 G 5/02

Гасударственный комитет лв делам изобретений и открытий (53) УДК 772.93 (088.8) (43) Опубликовано 05.12.78. Бюллетень ¹ 45 (45) Дата опубликования описания 28.12.78 (72) Автор изобретен ия

Иностранец

Манфред Р. Кюнл (CIIIA) Иностранная фирма

«Коултер Информейшн Системз, Инк.» (CLIIA) (71) Заявитель (54) ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКАЯ ПЛЕНКА

Изобретение относится к электрографин, точнее к новым электрофотографическим пленкам.

Известна электрофотографическая плен ка, содержащая гибкую, прозрачную полимерную подложку, гибкий прозрачный электропроводящий слой и нанесенное на этот слой фотополупроводниковое покрытие.

Недостатками в формировании извесгной электрофотографической пленки явля1отся низкий фотоэлектрический коэффп циент усиления электрофотографически; покрытий и низкая спектральная характеристика, что ограничивает их применение (1). !

Целью изобретения является повышение разрешающей способности пленки и увеличение срока хранения скрытого потенциального рельефа.

Сущность изооретения состоит в том, 20 что электрофотографическая пленка содержит гибкую прозрачную полимерную подложку, гибкий прозрачный электропроводящий слой и нанесенное на этот слой фотон олупроводниковое покрытие, представляющее собой неорганическое вещество, например сернистый кадмий или сернистый цинковый индий, а также в качестве присадки может быть использована медь.

Причем фотополупроводниковое покрытпе, образованное пз полностью неорганического вещества, должно иметь толщину слоя не более 3000 ангстрем, а омпческпй слой пленки, состоящий пз электропроводного материала, — толщину не более 1000 ангстрем. Фотополупроводнпковое покрытие выполнено из неорганического вещества, кристаллы которого ориентированы перпендикулярно подложке, имеющего удельное поперечное сопротивление не менее

10" о.и/сл в темноте и отношение удельного поперечного сопротивления в темноте и па cBcтi не менее 10 ол/cн.

Формула изобретения

1. Элсктрофотографпческая пленка, содержащая гибкую прозрачную полпмерну.о подложку, гибкий прозрачный электропроводящий слой п нанесенное на этот слой фотополупроводнпковое покрытие, о т л ич а ю щ а я с я тем, что, с целью повышения разрешающей способности пленки п увеличения срока хранения скрытого потенциального рельефа, фотополупроводнпковое покрытие выполнено пз полностью нсорганп .еского вещества, кристаллы которого ориентированы перпендикулярно подложке, имеющего удельное поперечное сопротивление не менее 10" он/с,н в темноте

637098

Составитель Г. Бежанов

Текред В. Рыбакова

Корректор С. Файн

Редактор T. Кузьмина

Заказ 957/1512 Изд. № 345 Тираж 522 Подписное

НПО Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, jI(-35, Раушская наб., д. 4/5

Тип. Харьк. фил. пред. «Патент» и отношение удельного поперечного сопротивления в темноте и на свету не менее

104 о,я/сц

2. Пленка по п. 1., отличающаяся тем, что фотополупроводниковое покрытие представляет собой сернистый кадмий.

3. Пленка по п. 1, отличающаяся тем, что фотополупроводниковое покрытие представляет собой сернистый цинковый индий.

4. Пленка по пп. 1 — 3, отличающая с я тем, что в вещество фотополупроводникового покрытия введена в качестве присадки медь.

5. Пленка IIQ пп. 1 — 4, отличающаяся тем, что гибкий электропроводящиа омнческий слой имеет толщину не более

1000 ангстрем.

5 6. Пленка по пп, 1 — 5, отличающая с я тем, что между подложкой и гибким прозрачным электропроводящим слоем имеется металлическая поверхность раздела.

Источник информации принятый во внимание при экспертизе:

1. Патент США № 3574615, кл. GОЗ G

5/06, 1971.