Способ изготовления устройств с жидкими кристаллами

Способ изготовления устройств с жидкими кристаллами

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОП ИСАНИ Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ПАТЕНТУ

>637ЮЗ (61) Дополннтел)н ый к патен-.;— (22) Заявлено 26.09.74 (21) 2062486 )8-25! 51) М.Кл. - Н 01 L 21 28 (23) Приоритет—

2- ОΠ—,,.>-; .0;./д

Государственинй комитет (31) 401234 (33) США (43) Опубликовано 05.1= .78. Бю.-. -втек, " 45 (45) Дата опубликоза. 01;tic:.;::.:я t)5.1".7 ло делам изобретений и открытий

-3) х 11- 621 382 (088.8) (72) Автор изобретения

1, !" Г ()@ ) 11, д

Иностргнен

Алан Сассмэн (США) HHocTp2il!: с;:!р «РКА Корпорейшн» (США) (71) Заявитель

ВМ6 1Н0 ГГ. :а (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ УСТРОЙСТВ

С ЖИДКИМИ КРИСТАЛЛАМИ

Изобретение относиtcII к устройствам. содержашим жидкие кристаллы, в частности к устройствам с ориентированными мг,лекулами жидкого кристалла на полез.,ности.

Известен способ изготовления устройств с жидкими кр!исталлами, включающий мcханическую обработку внутренних поверхностей подложек напра!вленным Fiàòèðàíèåì для Îрнвнтирования молекул жидкого крll сталла, прилегающих к подло)ккам (1).

Недостаток !известного способа состоит в низкой прозрачности подложек, .прошеших механическую обработку.

Известен с!пособ,изготовления устройстз с жидкими кристаллами, включающий фо.. огирование электродов на поверхностях прозрачных подложек, косое напыление ка каждый электрод слоя металла толщиной о дО 200А, введен!!е tI)eLLLecTBa I

Недостаток этогo способа в том, что металлы, лаже нанесенные очень тонким слоем, непрозрачны или, по меньшей мере, недостаточно прозрачны, и, слелозателbiti), нх применение ограннчено в устройствах с ж1! .:кими !"л!сталлами <<пропуск210щего» тип2, т. е. в устрой!ствах, предназначенных для пропускания света с возможно меньши)1. <мекьшекием ", îñò:;. Хотя моноокксь кремк!iя li прозрачк2, 0 7ыты показ2л11, что доводы.-;О трулко равномерно н производитель.to наносить -.Oккне слои .п )остым и кеЛ О !) 0 П11 М С i7 0 С 0 0 O М .

Цель о нзоо.)етекня является yt)ea!I tet!tie прозра-;кости напылекного слоя металла.

Поставленная пель достигается тем. что t2llbI 2e!lFtbtÉ C,ToÉ мета.l 12 Ile,)eBO7IIT B Oli!Iсел з процессе герметизации устройства псн! температуре 380 †5 С в атмосфе;)е

КНСЛО. О"2.

ClI0COO II0FtCH ieTC2 et)Te)t

11зг,>-.азлlta2!OT лве подложки 1 н 2, каждая нз которых имеет электрод ) с удлинен.-;Ой часть!О 4. БО!)тнк 5 нз стекловатогo .;!лгк ;-;2Ftoch и!) краю одной подложки, как:-;=-. ".ã.lt.:i o l o >i е к и о кр ы «a! o T c,l,; e. it б металла толш:t ol 1о "00 А. При;toкln-;ком -:27û.leFè!! подложку орнен Äti;) ют к шток .:!спаряюшегося металла пол углом ,i0 4;) .

Да ice оое нол-о к <,:, тщат.-лько орнек-.;*.7,-Ю-; --, ",.С вЂ”.; —,1,-:О, Р11 qo,! 2 ПЭ 2 н -„» Pza :;.,: гл .зому c)tcше ию o;) ieнткpoЗаННЬ:Х МЛКPOCT71 Ктг",. СЛOЕЗ 6 МЕтаЛЛ".

opл,.:!<к". Пpli кима lol др",г и др ". \ з.,о.,ь

|борт11ка из стеl<лов2тОТО шлака, ВЗОдят вещество жидкого кристалла 7 и, пока пр:1кладьив210т с:ки i210UIce д2вление. л дер:1п1Вающее подложки "-месте, конст скц11ю ч=rpeB2IoI в атмосфере кислорода до температуры, зависящеи от используемого стекловатого шлака (380 — 540" С), т. е. достаточной для размягчения гбортика, соединения подложек и IlepeBОда напыленно О слоя металла в окпсел. РасcтОя 1ие межу, 10 подложками порядка 13 21к.11.

Благодаря угловому смешению м11кроструктур Н2 BíyòpåHBIåè поверхности подложек автоматически получают,.- IOBoe Bp2щение оси ориентации молекул жидкого кристалла, т. е. «закруч1 вающий эффект :.

Предложенный способ спозволяет в значительHîé мере упростить и удешевить изготовление устройств, име10щик ориентированные микроструктуры, которь10 ооладаю" о

Высокой diP03P2HHocTBIo ДЛЯ сВе. 2.

Формула .изобретения

Способ, изготовления устройств с жидкими «р11сталлами, включающий формирование электродов на поверхностях прозрачНЫК ПОДЛОЖЕК> ii

380 — 540 С в атмосфере кислорода.

Источники информации,,принятые Во внимание,при экспер пизе:

1. Патент СШЛ ¹ 373198б, кл, 317 — 234,,оп,мблик. 1972.

2. Applied Phys. Letters, v. 21, ¹ 4, 1972, р. 173, Составитель Л. Сергеев

Редактор T. Орловская Текред В. Рыбакова Корректор И. Симкина

Заказ 902,i I 505 1зд 1м 3 1о Тноаж 9" 1 Подписное

НПО Государственного комитета СССР го делам изобретений и открытий

Москва, К-35, Ргушская наб., д. 4/5

Тип. Харьк. фнл. пред. «Патент»