Ферритовый материал для элементов запоминающих устройств

Иллюстрации

Ферритовый материал для элементов запоминающих устройств (патент 637878)
Ферритовый материал для элементов запоминающих устройств (патент 637878)
Ферритовый материал для элементов запоминающих устройств (патент 637878)
Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМ у св Идетел ьсл В У

Сеюз Сееетскик

С4щюаавстмческма

Республик (.116 3 У878

1 (61) Лополиительиое к авт. свид-яу (51) М. Кл. и 01 р 1/10 () айвлеио280377 (21) 2468340/22 02 с присоединением Заявки М (23) Приоритет (43) Оп бликова110 15,1278. Бюлле+ iii: ¹ 46 (45) .,а1 Й оп бя11ковання описян1 11 1. .:.1278.

Государствен«ый комитет

Совета Министров СССР

«о аеяам изобретений и открытий 1т", 1 Л1 669.112. .228.1 (088.8) М. A. Зиновии, П . В . Липатов и П . Л. 11ербт111 а (54) ФиРРИТОВЫЙ И= ТЕР11РЛ Д1ЛЯ ЭЛЕ14ЕНТОБ

З)1ПОМИИИа11ИХ СТРОЯСТВ

Таблица l

Сост

1Я AIIO У. О 8

Изобретение относится к области ферритовых материалов с прямоугольной петлей гистерезиса, применяемых в запоминающих устройствах электронно-вычислительных машин. 8

Известен ферритовый материал, содержащий окислы железа, лития, магния, марганца, висмута и фторид лития ("1) .

Недостатком этого материала явля- 10 ется то, что изготовленные иэ него кольцевые сердечники изменяют амплитуду сигнала, разрушенного нуля при повороте сердечника вокруг оси токопровода. l5

Наиболее близким по составу из уже известных ферритовых материалов является ферритовый материал, содержащий окислы железа, лития, марганца, висмута, циркония и фторид ли- :В тия (2) .

Фторид лития при принятых условиях синтеза материала переходит в окись лития.

Недостатком этого материала явля- 28 ется то, что изготовленные иэ него кольцевые сердечники изменяют амплитуду сигнала разрушенного нуля дат при повороте сердечника вокруг оси токопровода. 30

Целью изобретения HI331HBTcH стаби лиэация амплитуды сигнала разру шеннсго куля при повороте сердечHHYGi! 1:Окру1 ОСИ Т01<ОП11ОВОда °

Для достижения поставленной цели ферритовый материал дополнительно содержит двуокись кремния при следуюЩЕМ СООТ11ОШЕНИИ КОМПОНЕНТОВ, BGC ЪФ

Окись лития 3,2-4.„5

Окись марганца 2,0-б,О

Окисb вис1л та 2юО-5кО

Окись циркония 1,0-5,0

Двуокись кремния 0„1-4,0

Окись железа Остальное.

Были подготовлены семь партий сердечников, окончательный (после синтеза) состав которых приведен в табл. 1. имический состав сердечников, вес.Ъ

1 3,683,173,00 4,00 — ост.

-,6 3,14 2,97 4,85 0 10 ост.

3 3,59 3,112,94 3,921,96ост.

Далее из пресс-порошка прессовали на прессе Тор-1 кольцевые сердечники с размерами 0,5x0,34x0,12мм.

Обжиг сердечников проводили также на воздухе при 820 С н течение 1-2 ч, В табл.2 приведены результаты измерений электромагнитных параметрон и результаты проверки стабильности сигнала d

Коэрцитивная сила Н,Остаточная индукция В„,коэффициенты прямоугольности Э„ / Э,„ и квадратности Н /Нс измеряли в поле, равном 5Н .

Продолжение табл. 1

Импульсные параметры: амплитуды сигналов неразрушенной единицы

Щ, разрушенного нуля BVz, а также длительность сигнала на уронне

О,i ((Ч,-(;„ измеряли при подобранном

Оптимальном токе считывания 0 (при соотношении З,д =, 3 У3,, = 0,6) и длительности переднего фронта тока считывания 1; = 70 нс (здесь 3, 1-г ток записи, 0, — ток разрушения).

Стабильность сйгнала gal при повороz те сердечников вокруг оси токопровода Оценивали по количестну сердечников, F. е соответствующих техническим требованиям при повторной разбраконке на антОмате

Т а б л и ц а 2

Состав l известный и приведен для сравнения. l5

Тридцату с ча ь лития ннаднли н состав в виде фторида лития.

ПОМОЛ прОнодили с дистиллирован

HoA zioiioi3 B нибромель нице 14--»1 О н те-чение 1 ч. После помОла !л хтч сушили.,- с;О брикетировали и обжигали на воздухе при температупе 725"" н течение 3

Второй Hcмол пр нодили - о не дробления брикетон г.ри тех же условиях, ЧТО и первый. 28

После сушки готовили пресс-порошок " на 8 — 10ь-«iov НОдном растнаае пал»лни ,нилоного спирта, Электромагнитные параметры =-,кспериментальных:образцов

Тамг эра » уриый

Статические паРаметРь.1коэ,-„, "1лпульсные и казрцитинной силы ТКН, н Ъ, на 1 С н инте нале

Сост

У (см. табл.l), 1

-60 — 20 C, ;20."70

Н (Н

-О; 23 31

-0,23 31

-О, 21 30

-О, 21 31 — 0,21 30

-0,22 31

-0,22 30

100

1 7,00 1340 0,92 0,78

4 3,55 3,07 2,91 3,88 2,91ост.

5 3,53 2,002,91 3,884,00.ост.

6 3,20 3,001,10 2,00 2,00 ост..

7 4,32 6,004,90 2,500,50ост.

2 7,1.0 1320 0,92 0,79 Ор23

3 7,15 1290 0,91 0,78 0,2)

4 7,25 1290 0,91 0,78 0,21

5 7,25 1245 0,90 0,76 0,21

6 7,15 2300 0,90 0,76 0,22

7 7,25 1250 0,89 0,75 0,22

4,0 0,19 880

4,2 0,19 880

4,2 0,18 880

4,3 0,17 880

4,5 0,16 880

4, 4 0,19 880

4, 5 0,19 880

Источники инФормации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Авторское свидетельство СССР

Р 367467, кл. Н 01 Г 1/10, 1971.

2. Авторское свидетельство СССР

9 513395, кл. Н 01 F 1/34, 1969.

Формула изобретения

Ферритовый материал для элементов запоминающих устройств, содержащий

Составитель Т.Сырвачева редактор JI ° Емельянова Техред Н. Андрейчук Корректор В. Сердюк

Заказ 7127/43 Тираж 918 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035 Москва, Ж-35 Раушская наб. д. 4/5

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

5 637878 6

Как видно из данных, приведенных окись желева, окись лития, окись марв табл. 2, добавка двуокиси кремния ганца, окись циркония и окись висне ухудшает электромагнитные парамет- мута, отличающийся тем, ры, но позволяет стабилизировать ам- что, с целью стабилизации амплитуды плитуду сигнала разрушенного нуля сигнала раэрушенного нуля при

BV сердечников при изменении их по- повороте сердечников вокруг оси толожения на токопроводе (поворот вок- копровода, он дополнительно содержит

pyr оси токопровода), в результате а двуокись кремния при следующем соотчего отсутствуют сердечники с неста- ношении компонентов, вес.%: бильными сигналами д . Окись лития 3,2-4,5

Таким образом, сердечники из пред- Окись марганца 2,0-6,0 ложенного материала обеспечивают вы- Окись висмута 2,0-5,0 сокую надежность работы запоминающих 10 Окись циркония 1,0 — 5 0 устройств, изготовленных на их осно- Двуокись кремния 0,1-4,0 ве и требуют меньших затрат при их Окись железа Остальное ° изготовлении.