Полупроводниковый прибор

Полупроводниковый прибор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

1,639362

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт, свид-ву (22) Заявлено 19.05.76 (2!) 2361481/18-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 30.07.79. Бюллетень № 28 (45) Дата опубликования описания 30.07.79 (51) М. Кл.2

Н 01L 29/04

Государственный комитет (53) УДК 621.382 (088.8) по делам изобретений и открытий (72) Авторы изобретения

Б. С. Лисенкер, И. Е. Марончук и 1О. E. Марончук (71) Заявители

Институт физики полупроводников Сибирского отделения

АН СССР и Новосибирский государственный университет

* (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР (»., »

Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению, в частности к устройствам для выпрямления электрического тока, и может быть использовано при производстве полупроводниковых высоковольтных силовых выпрямителей.

Известны полупроводниковые приборы, используемыс для выпрямления переменного электрического тока (1).

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является полупроводниковый прибор на основе р — n-структуры (2).

Свойство известных устройств выпрямлять переменный электрический ток обусловлено тем, что сопротивление р — и-структуры сильно меняется при изменении мощности напряжения, прикладываемого к ри и-областям р — n-структуры.

Однако в известных полупроводниковых приборах имеются краевые токи утечки, которые приводят к снижению пробивного напряжения.

Цель изобретения — уменьшение краевых токов утечки и увеличение пробивного напряжения.

Это достигается тем, что в полупроводниковом приборе на основе р — и-структуры по крайней мере одна из областей структуры выполнена на основе варизонного по

2 площади полупроводника с наибольшей шириной запрещенной зоны по периферии структуры.

Устройство работает следующим обра5 зом.

При приложении переменного напряжения к р- и и-областям р — n-структуры происходит выпрямление электрического тока.

Уменьшение краевых токов утечки и повы1о шение пробивного напряжения достигается тем, что неосновные носители заряда в варизонной области структуры смещаются встроенным электрическим полем, образованным изменяющейся шириной запрещен15 ной зоны в варизонной области, от периферии р — и-перехода к центральной области р — и-структуры. Следовательно неосновные носители в варизонной области р — и-структуры не участвуют в образовании краево20 го тока утечки.

Величина напряженности встроенного электрического тока достигает 102—

10 В/см.

Формула изобретения

Полупроводниковый прибор на основе р — n-структуры, отличающийся тем, что, с целью уменьшения краевых токов утечки и увеличения пробивного напряже30 ния, по крайней мере одна из областей

639362

Составитель Г. Шкердин

Техред А. Камышникова

Корректор Л. Орлова

Редактор Т. Колодцева

Заказ 1777/4 Изд. Ке 469 Тираж 923 Подписное

НПО «Поиск» Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 структуры выполнена на основе варизонного по площади полупроводника с наибольшей шириной запрещенной зоны по периферии структуры.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Федотов Я. А. Основы физики полупроводниковых приборов. М., «Сов. радио», 1969.

2. Ситник Н. М., Шурупов Н. В. Силовые

5 кремниевые вентильные блоки. М., «Энергия», 1973.