Способ определения профиля легирования полупроводниковых материалов

Способ определения профиля легирования полупроводниковых материалов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ () 6402I6 (61) Дополнительное к авт. овид-ву— (22) Заявлено 04.02.76 (21) 2320242/18-25 (51) М.Кл. G 01 К 31/26 с присоединением заяаки №вЂ” (23) Приоритет—

Гвсударственнмй комитет пв делам изобретений и вткрмтий (43) Опубликовано 30.12.78. Бюллетень № 48 (53) УДК 621.3&2.2 (088.8) (45) Дата опубликования описания 24.01.79 (72) Авторы

ызабретвн ия

В. П. Сушков, М. В. Невский и И. Д. Гудков (71) Заявитель (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПРОФИЛЯ

ЛЕГИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

МАТЕРИАЛОВ

Изобретение относится к области контроля свойств полупроводников и может быть использовано как для определения, так и для непрерывной регистрации профиля легирования в полупроводниковых материалах иа р — n-,ïåðåõîäàõ.

Известен способ определения профиля легирован ия путем измерения концентрации носителей тока, обратно пропорциональной напряжению второй .гармоники п ри прохождении ВЧ-тока через .измвряемую нелинейную емкость диода (1).

Недостатком этого способа является тот факт, что сигнал второй гармоники весьма мал, а паразитные сигналы (от генератор=. основной гармоники и измерительной схемы) велики, требуется использовать сложные, фактически уникальные, схемы, что значительно усложняет измерения на установке. Стоимость установки большая, и ее эксплуатация сложна:,необходим высококвалифнцирован ный обслуживающий персонал, сложно, наладить серийное производство для использования установки в промышленности.

Известен также способ (2) определения профиля легирования полупроводниковых материалов на р — и-переходах и барьерах

Шоттки путем подачи на исследуемый образец напряжения смещения и высокочастотно""о сигнала.

Цель изобретения — упрощение аппаратурной реа.тизацнп измерений.

5 Поставленная цель достигается тем, что высокочастотный сигнал модулируют низкой частотой и измеряют Hàïðÿæâíèå на испытуемом образце на частоте модуляции.

Сущность описываемого способа состоит

10 в том, что при подаче тока высокой частоты на измеряемый образец (барьер Шоттки илн р — и-переход) вследствие нелинейности его емкости возникает сигнал

I cos u>t 1"cos 2

Sseоа 4яо,дм N!

2 где С= — постоянная составляю-q -N

2о щая. Прп включении тока ВЧ, модулированного меандром низкой частоты 9=0,5— — 1,0 Кгг1, в измерительной цепи появляется н изкочастопный сигнал U частотой Й, который легко усиливается, детектируется

t подается:на,регистрирующее устройство

1 - сов И А cos И в да- N N

Существенное упрощение схемы достигаЗО ется благодаря тому. что отношение частот

640216

Формула изобретения

Составитель В. Немцев

Техред С. Антипенко

Редактор И. Грузова

Корректор С. Файн

Заказ 1136/40 Изд. № 353 Тираж 1070 Подписное

НПО Государственного комитета СССР по делам изобретений н открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Тип. Харьк. фил. пред. «Патент» в описываемом способе достаточно велико (10з — 104) и,их ф ильтрация в выходном усгройстве до требуемой величины не представляет собой сложности.:Изготовление и настройка усилителя низкой частоты с большим коэффициентом усиления значительно проще, чем у резонансного усилителя высокой частоты.

Способ определения профиля легирования полупроводнHKOBblx материалов .на р — n-переходах и барьерах Шотъки путем подачи на исследуемый образец напряжения смещения и высокочастотного сигнала, отличающийся тем, что, с целью упрощения .аппаратурной реализации, измерений, высокочастотный сигнал модулируют низкой частотой и измеряют напряжение на испытуемом образце на частоте модуля ции.

Источники информации, принятые .во

10 внимание при экспертизе:

1. Патент США ¹ 3518545, кл. G 01 R

31/26, опублик. 1970.

2. Авторское свидетельство СССР

15 № 240853, кл. G 01 К 31/26, 1969.