Устройство для деформографических преобразований изображений

Устройство для деформографических преобразований изображений

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О И С А Н И Е 641384

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советскик

Соцмьлмстичвсиим

Расиублнн

К АВТОРСКОМУ СВИДВТИЛЬСТВУ (6i) Дополнительное к авт. свил-ву (22) Заявлено 10.06.76(2!) 2381125/18-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 05.01.79.Бюллетень №1

Дата опубликования описаний, 08.01.79

2, 51) М. Кл

G 02 F 1/19

Гасударственнык квинтет

СССР па делам нэабретеннй и открытнй

{53) 5K 621.396.. 97: 681. 87 (088. 8) (72) Авторы изобретения

Г. Е. Маслов и В. А. Сол (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ДЕФОРМОГРАФИЧЕСКИХ

ПРЕОБРАЗОВАНИЙ ИЗОБРАЖЕНИЙ

Изобретение относится к области систем отображения информации и может быть истюльзовано для преобразования входного экспонирутошего изображения в эквивалентное механическое рельефное изображение (с целью дальнейшего преобразования механического рельефа в видимое изображение путем, например, "считывания рельефа световым потоком и проектирования отраженного светового погока на экран).

Такие устройства содержат последовательно расположенные плоскопараллельные элементы: основу, проводяшее покрытие, фотопроводник, деформируемый слой и гибкий металлический слой. Между роводяшим покрытием и металлическим слоем включен источник напряжения.

Металлический слой обладает оптическими свойствами зеркала и, обычно. непрозрачен. Входное експонируюшее световое иэображение преобразуется в эквивалентное механическое рельефное изображение ,путем изменения электрической напря2 женности s деформируемом слое под действием электрических сил, вызванных ло. кальными изменениями проводимости фотополупроводника под действием света входного экспонируюшего изображенняЯ

Однако известное устройствб дае невысокое качество изображения вследствие того, что металлический слой частично пропускает падающий на него считываюший поток света. В резулвгате етого наблюдается аразитная засветка фотополупровод ника. Она создает фоновый паразитный электрический рельеф на фотополупроводнике иэ-за чего ухудшаются качество образуемого механического рельефа и, как следствие, качест во отражаемого от металлического слоя потока считываюшего света. При етом, чем выше интенсивность считываюшего света, тем выше уровень аразитной asсветки.

Снижение уровня параэитной засвеч ки за счет увеличения толшины металлв ческого слоя невозможно, поскольку сни64138 4 6

5 о

_#_

49

5э а при отражении облучаюший свет ггроходит. в обратном направлении, т.е. через прозрачный упруго-деформируемый слой 7 и вторую прозрачную основу 3.

Паразитная часть облучаюшего света, проходящая через гибкий зеркально-отражающий электрод 6 и деформируемый диэлектрический слой 5, гасится прозрачным слоем 8, который является светопоглошающим и выполняет функцию подавления паразитного света, предупреждая помеховую засветку фотополупроводника 4, искажавшую работу устройства.

При подаче на фотополунроводник 4 экспонирующего изображения (штрихового или точечного) освещенные участки фотополупроводника 4 повышают свою электропроводность. В результате этого увеличивается локальная напряженность электрического поля в деформируемом диэлектрическом слое 5, локально деформируется гибкий зеркально-отражающий электрод 6, деформируются нротиволежашие участки прозрачного упругодеформируемого слоя 7 и образуется рельефное изображение. После снятия экспонирующего изображения освещенные участки фотополупроводника 4 снова переходят в темповое состояние. При етом исчезают локальные.неоднородности электрического поля в деформируемом диэлектрическом слое 5 и исчеза от деформирующие силы. Под действием упру+ гих сил, накопленных в деформированных участках прозрачного упруго-деформируемого слоя 7, деформированные участки гибкого зеркально-отражающего электрода 6 восстанавливают исходную, например плоскую, поверхность.

Таким образом устройство работает в непрерывном режиме и не испытывает помехового действия высоких уровней облучаюшего света.

Предлагаемое устройство может быть выполнено в виде многослойной функци-,, онально неразъемной структуры. Однако это только частный случай его выполне; ния. Предлагаемое устройство может быть и любого другого конструктивного выполнения.

В качестве примера можно дать следующие ориентировочные размеры отдельных элементов.

Прозрачная основа 1 представляет собой стеклянную пластину толщиной

1О-15 мм. Прозрачный электрод 2 выполнен из двуокиси олова. Вторая прозрачная основа 3 представляет собоФ стеклянную пластину толщиной 10-15 мм.

Фотополупроводник 4 представляет собой слой толщиной 40-120 мкм, содержащий сернистый кадмий. Толщина диэлектричес кого слоя равна 10-30 мкм. Гибкий зеркально-отражающий электрод 6 может быть выполнен из полиэтнлентерефталач ной пленки толщиной 1-3 мкм, покрытой напыленным слоем алюминия толщиной

0,03-0,06 мкм.

Прозрачный упруго-деформируемый слой

7 представляет собой слой эластомера толщиной 50-900 мкм, Непрозрачныйслой8 выполнен из сополимера хлорвинила с винилденхлоридом с добавкой пигмен га- . глушителя. Толщина непрозрачного слояа равна 3-7 мкм.

Технико-экономический эффект изобре тения заключается в улучшении качества проекционного изображения за счет устранения паразитной засветки фотополупроводника от облучаюшего света. При этом увеличивается верхний допустимый предел интенсивности облучаюшего считывающего света, который необходимо повышать для нолу-чения ярких изображений на проекционных экранах больших размеров.

Формула изобретения

1. Устройство для деформографических преобразований изобракений при проекционном воспроизведении изображений, содержащее последовательно расположенные прозрачную, например стеклянную, основу, прозрачный электрод, фотополу проводник, диэлектрический слой, гибкий зеркально-отражающий электрод, прозрачный упруго-деформируемый слой, am рую прозрачную основу и непрозрачный слой, о т л и ч а ю ш е е с я тем, что, с целью повышения качества изображения за счет устранения паразичной засветки фотополупроводника, непрозрачный слой расположен между фотополупроводником и гибким зеркально-отражающим электродом.

2. Устройство но rr.l, о т л и ч аю ш е е с я тем, что непрозрачный слой расположен между фотополупроводником и диэлектрическим слоем и выполнен из сополимера хлорвинила с винилденхлорщом с добавкой пигмента-глушителя, 7 64138

3. Устройство по п.1, о т л н ч аж ш е е с и тем, что диелектрический слой выполнен непрозрачным.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

4 8

1. Патент США %3877791, кл. 350«161, 1975.

2. Авторское свидетельство СССР

S hb482020, кл. Н 04 Н 5/66, 1972.

Я ф 7

1 2 Ф

Заказ 7507/41 Тираж М V Подписное

ПНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Составитель В. цветков Редактор Б. Павлов Техред Н. Бабурка Корректор Л. Василина